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저항 변화 메모리 소자 및 저항변화 메모리 소자의 포밍방법

  • 기술번호 : KST2015174138
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 스위칭 재현성 및 균일성이 향상된 저항변화 메모리 소자, 저항변화 메모리 소자의 포밍방법이 개시되어 있다. 저항변화 메모리 소자는 기판 상에 위치한 제1 전극, 제1 전극 상에 위치한 이온을 함유하는 고체전해질 저항 변화막 및 고체전해질 저항 변화막 상에 위치하며, 제1 전극과 상기 이온에 대한 화학적 친화력이 다른 제2 전극을 포함한다. 또한, 포밍방법은 기판 상에 위치한 제1 전극, 제1 전극 상에 위치한 이온을 함유하는 고체전해질 저항 변화막 및 고체전해질 저항 변화막 상에 위치하며, 제1 전극과 이온에 대한 화학적 친화력이 다른 제2 전극 구비하는 저항 변화 메모리 소자를 제공하는 단계 및 저항 변화 메모리 소자를 화학적 포밍하여 이온 결함 필라멘트를 형성하는 단계를 포함한다. 화학적 포밍, 저항 변화 메모리 소자, 고체전해질 저항 변화막
Int. CL H01L 27/115 (2006.01) H01L 21/8247 (2006.01)
CPC H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01)
출원번호/일자 1020080093392 (2008.09.23)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-0986018-0000 (2010.09.30)
공개번호/일자 10-2010-0034325 (2010.04.01) 문서열기
공고번호/일자 (20101006) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.09.23)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 황현상 대한민국 광주광역시 북구
2 이동수 대한민국 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.09.23 수리 (Accepted) 1-1-2008-0668916-64
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.06.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0272947-42
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.08.26 수리 (Accepted) 1-1-2010-0551975-96
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.08.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0551970-68
5 등록결정서
Decision to grant		 2010.09.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0424454-11
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 위치한 제1 전극; 상기 제1 전극 상에 위치하고, 이온, 및 상기 이온과 대응하는 결함을 함유하는 고체전해질 저항 변화막; 및 상기 고체전해질 저항 변화막 상에 위치하며, 상기 제1 전극과 상기 이온에 대한 화학적 친화력이 다른 제2 전극;을 포함하는 저항 변화 메모리 소자
2 2
제1항에 있어서, 상기 제1 전극은 Ni막, Zr막, Nb막, Zn막, Cr막, Pt막, Co막, Mn막, Fe막, Al막, Mg막, Y막, Ti막, TiN막 또는 란탄계(Lanthanide) 금속막인 저항 변화 메모리 소자
3 3
제1항에 있어서, 상기 제2 전극은 Ni막, Zr막, Nb막, Zn막, Cr막, Pt막, Co막, Mn막, Fe막, Al막, Mg막, Y막, Ti막, TiN막 또는 란탄계(Lanthanide) 금속막인 저항 변화 메모리 소자
4 4
제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 란탄계 금속막은 Sc막, La막, Ce막, Pr막, Nd막, Pm막, Eu막, Gd막, Tb막, Dy막, Ho막, Er막, Tm막, Yb막 또는 Lu막인 저항 변화 메모리 소자
5 5
제1항에 있어서, 상기 이온은 산소, 구리 또는 은 이온인 저항 변화 메모리 소자
6 6
제5항에 있어서, 상기 산소 이온을 함유하는 막은 Nb2O5막, V2O5막, NiO막, Cu2O막, SiO2막, ZrO2막, ZnO막, PrCaMnO3막, 또는 LaCaMnO3막인 저항 변화 메모리 소자
7 7
제5항에 있어서, 상기 구리 또는 은 이온을 함유하는 막은 Cu2S막, Ag2S막, AgSe막 또는 CuSe막인 저항 변화 메모리 소자
8 8
제1항에 있어서, 상기 고체전해질 저항 변화막은 금속을 도핑한 막인 저항 변화 메모리 소자
9 9
제8항에 있어서, 상기 도핑 금속은 Y, Ca, Mg, Mn, Bi, Ce, N 또는 란탄계 금속인 저항 변화 메모리 소자
10 10
기판 상에 위치한 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 위치한 이온을 함유하는 고체전해질 저항 변화막 및 상기 고체전해질 저항 변화막 상에 위치하며, 상기 제1 전극과 상기 이온에 대한 화학적 친화력이 다른 제2 전극 구비하는 저항 변화 메모리 소자를 제공하는 단계; 및 상기 저항 변화 메모리 소자를 화학적 포밍하여 이온 결함 필라멘트를 형성하는 단계를 포함하는 저항 변화 메모리 소자의 포밍방법
11 11
제10항에 있어서, 상기 화학적 포밍은 열처리인 저항 변화 메모리 소자의 포밍방법
12 12
제11항에 있어서, 상기 열처리는 400℃ 내지 1200℃의 온도에서 수행하는 것을 특징으로 하는 저항 변화 메모리 소자의 포밍방법
13 13
제10항에 있어서, 상기 이온 결함 필라멘트는 댕글링 본드를 구비하는 저항 변화 메모리 소자의 포밍방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.