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고압 수소 열처리를 이용한 나노선 전계효과 트랜지스터 메모리 소자 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014061972
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 고압 수소 열처리를 이용한 나노선 전계효과 트랜지스터 메모리 소자 및 이의 제조 방법을 제공한다. 고압 수소 열처리를 이용한 나노선 전계효과 트랜지스터 메모리 소자는 p형 기판, 상기 p형 기판 상에 형성된 도핑 산화막, 상기 도핑 산화막 상에 형성된 나노선 및 상기 나노선 양단에 형성된 소스 전극과 드레인 전극을 포함하고, 상기 도핑 산화막은 고압 수소 열처리에 의해 주입된 양성자를 포함하는 나노선 전계효과 트랜지스터 메모리 소자를 포함한다. 따라서, 고압 수소 열처리를 통하여 산화막 내에 양성자를 주입하여 도핑 산화막을 형성하므로 비교적 저온(400℃ 이하)에서의 열처리가 가능하고 나노 재료들과 소자에 열 손상을 주는 영향을 줄일 수 있다. 또한, 상보성 금속 산화물 반도체 소자와 호환 가능할 수 있다.
Int. CL H01L 27/115 (2006.01) H01L 21/8247 (2006.01)
CPC H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01)
출원번호/일자 1020110043138 (2011.05.06)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-1229804-0000 (2013.01.30)
공개번호/일자 10-2012-0125069 (2012.11.14) 문서열기
공고번호/일자 (20130205) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.05.06)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이탁희 대한민국 광주광역시 북구
2 윤종원 대한민국 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 광주광역시 북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.05.06 수리 (Accepted) 1-1-2011-0338510-28
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.11.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.12.14 수리 (Accepted) 9-1-2011-0094925-69
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.07.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0409629-87
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.09.17 수리 (Accepted) 1-1-2012-0749806-01
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.10.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0845936-57
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.10.17 수리 (Accepted) 1-1-2012-0845935-12
9 등록결정서
Decision to grant		 2013.01.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0057267-85
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
p형 기판;상기 p형 기판 상에 형성된, 두께 30nm 내지 100nm의 도핑 산화막;상기 도핑 산화막 상에 형성된 나노선; 및상기 나노선 양단에 형성된 소스 전극과 드레인 전극을 포함하고,상기 도핑 산화막은 2기압 내지 20기압에서 고압 수소 열처리하여 주입된 양성자를 포함하며,상기 주입된 양성자는 상기 p형 기판에 인가되는 전압의 극성에 따라 상기 나노선의 전기 전도 문턱전압을 조절하는 나노선 전계효과 트랜지스터 메모리 소자
2 2
제1항에 있어서,상기 p형 기판은 p형 Si 기판인 나노선 전계효과 트랜지스터 메모리 소자
3 3
제1항에 있어서,상기 도핑 산화막은 도핑 실리콘 열산화막인 나노선 전계효과 트랜지스터 메모리 소자
4 4
삭제
5 5
제1항에 있어서,상기 나노선은 반도체 나노선, 나노 튜브, 탄소 나노 튜브, 나노 입자 또는 그래핀을 포함하는 나노선 전계효과 트랜지스터 메모리 소자
6 6
제1항에 있어서,상기 소스 전극과 드레인 전극은 접착층과 산화방지막층의 2층 구조인 나노선 전계효과 트랜지스터 메모리 소자
7 7
제6항에 있어서,상기 접착층은 Ti, Ta, Al 또는 Nb이고 상기 산화방지막층은 Au, Pt 또는 Pd인 나노선 전계효과 트랜지스터 메모리 소자
8 8
제1항에 있어서,상기 고압 수소 열처리의 온도는 200℃ 내지 400℃인 나노선 전계효과 트랜지스터 메모리 소자
9 9
p형 기판을 준비하는 단계;상기 p형 기판 상에 두께 30nm 내지 100nm의 산화막을 형성하는 단계;상기 산화막 상에 마스크를 형성하는 단계;상기 마스크를 패터닝 하여 패턴된 마스크를 형성하는 단계;상기 패턴된 마스크의 개방 공간을 통해 상기 산화막 내에 2기압 내지 20기압의 고압 수소 열처리를 이용하여 양성자를 주입하여 도핑 산화막을 형성하는 단계;상기 도핑 산화막 상의 상기 패턴된 마스크를 제거하는 단계;상기 패턴된 마스크가 제거된 도핑 산화막 상에 나노선을 형성하는 단계; 및상기 나노선 양단에 소스 전극과 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하는 나노선 전계효과 트랜지스터 메모리 소자의 제조방법
10 10
제9항에 있어서,상기 고압 수소 열처리의 온도는 200℃ 내지 400℃인 나노선 전계효과 트랜지스터 메모리 소자의 제조방법
11 11
제9항에 있어서,상기 나노선은 반도체 나노선, 나노 튜브, 탄소 나노 튜브, 나노 입자 또는 그래핀을 포함하는 나노선 전계효과 트랜지스터 메모리 소자의 제조방법
12 12
제9항에 있어서,상기 소스 전극과 드레인 전극은 접착층과 산화방지막층의 2층 구조인 나노선 전계효과 트랜지스터 메모리 소자의 제조방법
13 13
제9항에 있어서,상기 도핑 산화막 내 이동할 수 있는 양성자를 이용하여 상기 나노선 의 전도도를 조절하는 것을 특징으로 하는 나노선 전계효과 트랜지스터 메모리 소자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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1 지식경제부 한국반도체연구조합 산업기술개발사업 프린팅 기술을 이용하여 고성능 유기 메모리 소자 개발(3/4)