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비휘발성 메모리 소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015174041
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 저항 변화 비휘발성 메모리 소자가 개시된다. 본 발명의 비휘발성 메모리 소자는 양 전극에 개재되는 절연막으로서 빠른 금속이 도핑된 이성분계 산화막을 채용한다. 이러한 금속이 도핑된 이성분계 산화막을 가지는 메모리 소자는 균일한 소자 특성을 보여주면서도 간단한 공정으로 구현될 수 있다. 이를테면, 열확산에 의한 하부 전극으로부터의 도핑 방법이 적용된다. 이는 이성분계 산화막의 증착 공정에서 이루어질 수 있고, 또한 이성분계 산화막의 증착 후에 열처리로서 이루어질 수 있다.저항 변화, 이성분계 산화물, 열확산, 열처리
Int. CL H01L 21/8247 (2006.01)
CPC H01L 45/146(2013.01) H01L 45/146(2013.01)
출원번호/일자 1020070009087 (2007.01.29)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-0873792-0000 (2008.12.05)
공개번호/일자 10-2008-0071020 (2008.08.01) 문서열기
공고번호/일자 (20081215) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.01.29)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 황현상 대한민국 광주 북구
2 이동수 대한민국 광주 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2007.01.29 수리 (Accepted) 1-1-2007-0087850-98
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.12.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0688426-74
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.02.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0125474-49
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.02.20 수리 (Accepted) 1-1-2008-0125460-11
5 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2008.06.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0308067-19
6 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2008.08.04 수리 (Accepted) 1-1-2008-0560118-47
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.08.04 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2008-0560161-01
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.08.04 수리 (Accepted) 1-1-2008-0560153-35
9 등록결정서
Decision to grant		 2008.11.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0605287-80
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
저항 변화 비휘발성 메모리 소자에 있어서, 하부 전극;상기 하부 전극 상에 형성된 금속이 도핑된 이성분계 산화막; 및상기 이성분계 산화막 상에 형성된 상부 전극을 포함하되,상기 이성분계 산화막은 몰리브덴산화막, 바나듐산화막, 텅스텐산화막, 탄탈산화막, 하프늄산화막, 지르코늄산화막, 코발트산화막, 또는 아연산화막이고,상기 이성분게 산화막에 도핑된 금속은 Cu, Ag, Au, 또는 Mg인 비휘발성 메모리 소자
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
청구항 1에 있어서,상기 하부 전극은 Cu, Ag, Au, Mg 또는 Al인 비휘발성 메모리 소자
5 5
저항 변화 비휘발성 메모리 소자를 제조하는 방법으로서:기판 상에 하부 전극을 형성하는 단계; 및 상기 하부 전극 상에 금속이 도핑된 이성분계 산화막을 형성하는 단계를 포함하고,상기 이성분계 산화막에 도핑된 금속은 상기 하부 전극으로부터 열확산에 의해 도핑되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자를 제조하는 방법
6 6
청구항 5에 있어서,상기 금속이 도핑된 이성분계 산화막을 형성하는 단계는:상기 하부 전극을 가열한 상태에서 이성분계 산화막을 증착 형성함으로써, 상기 하부 전극의 금속이 상기 이성분계 산화막으로 열확산되는 것을 특징으로하는 비휘발성 메모리 소자를 제조하는 방법
7 7
청구항 6에 있어서,상기 하부 전극의 가열 온도는 400 내지 700℃인 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자를 제조하는 방법
8 8
청구항 5에 있어서,상기 금속이 도핑된 이성분계 산화막을 형성하는 단계는:상기 하부 전극 상에 이성분계 산화막을 형성한 후, 상기 하부 전극 및 상기 이성분계 산화막을 포함하는 기판을 열처리함으로써 상기 하부 전극의 금속이 상기 이성분계 산화막으로 열확산되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자를 제조하는 방법
9 9
청구항 8에 있어서,상기 열처리의 온도는 500 내지 900℃인 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자를 제조하는 방법
10 10
청구항 5에 있어서,상기 도핑된 금속은 원자분율 5% 내지 50%인 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자를 제조하는 방법
11 11
청구항 5에 있어서,상기 이성분계 산화막은 몰리브덴산화막, 바나듐산화막, 텅스텐산화막, 탄탈산화막, 알루미늄산화막, 하프늄산화막, 지르코늄산화막, 코발트산화막, 또는 아연산화막인 비휘발성 메모리 소자를 제조하는 방법
12 12
청구항 5에 있어서,상기 하부 전극은 Cu, Ag, Au, Mg 또는 Al인 비휘발성 메모리 소자를 제조하는 방법
13 13
저항 변화 비휘발성 메모리 소자를 제조하는 방법으로서:기판 상에 하부 전극을 형성하는 단계;상기 하부 전극 상에 물리적 증착을 이용하여 금속이 도핑된 이성분계 산화막을 형성하는 단계; 및상기 금속이 도핑된 이성분계 산화막 상에 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 이성분계 산화막은 몰리브덴산화막, 바나듐산화막, 텅스텐산화막, 탄탈산화막, 하프늄산화막, 지르코늄산화막, 코발트산화막, 또는 아연산화막이고, 상기 이성분계 산화막에 도핑된 금속은 Cu, Ag, Au, 또는 Mg인 비휘발성 메모리 소자를 제조하는 방법
14 14
청구항 13에 있어서,상기 물리적 증착 공정은 400 내지 700℃에서 수행되는 것인 비휘발성 메모리 소자를 제조하는 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.