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하이브리드형 저항성 메모리 소자, 그 작동 방법 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015174470
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 하이브리드형 저항성 메모리 소자, 작동 방법 및 그 제조 방법에 대해 개시된다. 개시된 하이브리드형 저항성 메모리 소자는 적어도 2개 이상의 저항성 메모리부를 포함하며, 상기 저항성 메모리부 중 적어도 하나는 장기 가소성 특성을 지니도록 형성함으로써 단기 가소성 특성 및 장기 가소성 특성을 모두 구현할 수 있다.
Int. CL H01L 27/115 (2006.01) H01L 21/8247 (2006.01)
CPC H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01)
출원번호/일자 1020120049269 (2012.05.09)
출원인 삼성전자주식회사, 광주과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2013-0125612 (2013.11.19) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.05.08)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김영배 대한민국 서울 서초구
2 황현상 대한민국 광주 북구
3 김창정 대한민국 경기 용인시 수지구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자 주식회사 경기도 수원시 영통구
2 광주과학기술원 광주광역시 북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.05.09 수리 (Accepted) 1-1-2012-0371440-84
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5132663-40
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.05.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0437269-81
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2017.05.08 수리 (Accepted) 1-1-2017-0437270-27
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.05.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0319138-55
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.07.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0680421-04
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.07.10 수리 (Accepted) 1-1-2018-0680420-58
8 등록결정서
Decision to grant		 2018.11.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0806300-46
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번호 청구항
1 1
메모리 부; 및 상기 메모리 부에 전압을 인가하는 전원 공급부를 포함하되, 상기 메모리 부는 상기 전압이 인가되기 전에 각각 순서대로 제1 내지 제3 초기 저항 값을 갖는 제1 내지 제3 가소성 저항 소자들을 포함하고,상기 제1 초기 저항 값은 상기 제2 초기 저항 값보다 크며, 상기 제2 초기 저항 값은 상기 제3 초기 저항 값보다 더 큰 것을 특징으로 하는 하이브리드 저항성 메모리 소자
2 2
제1항에 있어서, 상기 제1 내지 제3 가소성 저항 소자들은 전이금속 산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 하이브리드 저항성 메모리 소자
3 3
제1항에 있어서, 상기 제1 내지 제3 가소성 저항 소자들은 서로 직렬로 연결된 것을 특징으로 하는 하이브리드 저항성 메모리 소자
4 4
제3항에 있어서, 상기 전원 공급부가 인가하는 상기 전압은 펄스 형태인 특징으로 하는 하이브리드 저항성 메모리 소자
5 5
제4항에 있어서, 상기 전원 공급부가 상기 메모리 부에 상기 전압을 인가한 직후 상기 제1 가소성 저항 소자는 상기 제3 초기 저항 값보다 작은 저항 값을 갖게 되는 것을 특징으로 하는 하이브리드 저항성 메모리 소자
6 6
제5항에 있어서, 상기 제1 가소성 저항 소자가 상기 제3 초기 저항 값보다 작은 저항 값을 갖게 된 후, 상기 전원 공급부가 상기 메모리 부에 상기 전압을 다시 인가한 직후 상기 제2 가소성 저항 소자는 상기 제3 초기 저항 값보다 작은 저항 값을 갖게 되는 것을 특징으로 하는 하이브리드 저항성 메모리 소자
7 7
제6항에 있어서, 상기 제2 가소성 저항 소자가 상기 제3 초기 저항 값보다 작은 저항 값을 갖게 된 후, 상기 전원 공급부가 상기 메모리 부에 상기 전압을 다시 인가한 직후 상기 제3 가소성 저항 소자는 상기 제3 초기 저항 값보다 작은 저항 값을 갖게 되는 것을 특징으로 하는 하이브리드 저항성 메모리 소자
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US08902632 US 미국 FAMILY
2 US20130301338 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2013301338 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US8902632 US 미국 DOCDBFAMILY
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