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3차원 저항 변화 메모리 소자, 이를 포함하는 저항 변화 메모리 소자 어레이 및 전자제품

  • 기술번호 : KST2015174306
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 3차원 저항 변화 메모리 소자, 이를 포함하는 저항 변화 메모리 소자 어레이 및 전자제품을 제공한다. 상기 저항 변화 메모리 소자는 기판 상에 일 방향으로 배치된 제1 비트라인을 구비한다. 상기 제1 비트라인 상에 상기 제1 비트라인에 교차하는 워드라인이 위치한다. 상기 한 쌍의 제1 비트라인과 워드라인 사이에 하부 크로스포인트 가변저항체가 위치한다. 상기 비트라인과 상기 워드라인의 측벽을 노출시키는 콘택홀 내에 도전성 필라가 위치한다. 상기 콘택홀 내에 상기 도전성 필라를 둘러싸는 사이드월 가변저항물질막이 위치한다.
Int. CL H01L 27/115 (2006.01) G11C 16/24 (2006.01) G11C 16/08 (2006.01) G11C 16/06 (2006.01)
CPC H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01)
출원번호/일자 1020100135203 (2010.12.27)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-1202199-0000 (2012.11.12)
공개번호/일자 10-2012-0073435 (2012.07.05) 문서열기
공고번호/일자 (20121116) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.12.27)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이우태 대한민국 광주광역시 북구
2 황현상 대한민국 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 광주광역시 북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.12.27 수리 (Accepted) 1-1-2010-0859652-99
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.12.19 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.01.16 수리 (Accepted) 9-1-2012-0005032-83
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.06.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0350955-95
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.06.21 수리 (Accepted) 1-1-2012-0494977-85
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.06.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0494990-79
8 등록결정서
Decision to grant		 2012.11.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0671824-18
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 일 방향으로 배치된 제1 비트라인;상기 제1 비트라인 상에 상기 제1 비트라인에 교차하는 워드라인;상기 제1 비트라인과 상기 워드라인 사이에 위치하는 하부 크로스포인트 가변저항체;상기 비트라인과 상기 워드라인의 측벽을 노출시키는 콘택홀 내에 위치하는 도전성 필라; 및상기 콘택홀 내에 상기 도전성 필라를 둘러싸는 사이드월 가변저항물질막을 포함하는 저항 변화 메모리 소자
2 2
제1항에 있어서,상기 워드라인 상에 상기 워드라인에 교차하는 제2 비트라인, 및 상기 워드라인과 상기 제2 비트라인 사이에 위치하는 상부 크로스포인트 가변저항체를 더 포함하는 저항 변화 메모리 소자
3 3
제1항에 있어서,상기 제1 비트라인과 상기 하부 크로스포인트 가변저항체 사이, 또는 상기 하부 크로스포인트 가변저항체와 상기 워드라인 사이에 위치하는 선택소자를 더 포함하는 저항 변화 메모리 소자
4 4
제1항에 있어서,상기 도전성 필라의 측벽과 상기 사이드월 가변저항물질막 사이, 또는 상기 사이드월 가변저항물질막과 상기 워드라인의 측벽 사이 및 상기 사이드월 가변저항물질막과 상기 제1 비트라인의 측벽 사이에 위치하는 선택소자를 더 포함하는 저항 변화 메모리 소자
5 5
제1항에 있어서,상기 사이드월 가변저항물질막 및 상기 하부 크로스포인트 가변저항체는 금속산화물막(transition metal oxide layer), 칼코게나이드(chalcogenide)막, 페로브스카이트(perovskite)막, 또는 금속도핑된 고체전해질막인 저항 변화 메모리 소자
6 6
기판 상에 서로 평행하게 배열된 한 쌍의 제1 비트라인들;상기 제1 비트라인들 상에 상기 제1 비트라인들에 교차하고 서로 평행하게 배열된 워드라인들;서로 교차하는 상기 제1 비트라인과 상기 워드라인 사이에 위치하는 하부 크로스포인트 가변저항체들;상기 제1 비트라인들의 서로 마주보는 한 쌍의 측벽들과 상기 워드라인들의 서로 마주보는 한 쌍의 측벽들을 노출시키는 콘택홀 내에 위치하는 도전성 필라(conductive pillar); 및상기 콘택홀 내에 상기 도전성 필라를 둘러싸는 사이드월 가변저항물질막을 포함하는 저항 변화 메모리 소자 어레이
7 7
제6항에 있어서,상기 워드라인들 상에 상기 워드라인들에 교차하는 한 쌍의 제2 비트라인들, 및 상기 워드라인과 상기 제2 비트라인 사이에 위치하는 상부 크로스포인트 가변저항체를 더 포함하는 저항 변화 메모리 소자 어레이
8 8
제6항에 있어서,상기 제1 비트라인과 상기 하부 크로스포인트 가변저항체 사이, 또는 상기 하부 크로스포인트 가변저항체와 상기 워드라인 사이에 위치하는 선택소자를 더 포함하는 저항 변화 메모리 소자 어레이
9 9
제6항에 있어서,상기 도전성 필라의 측벽과 상기 사이드월 가변저항물질막 사이, 또는 상기 사이드월 가변저항물질막과 상기 워드라인의 측벽 사이 및 상기 사이드월 가변저항물질막과 상기 제1 비트라인의 측벽 사이에 위치하는 선택소자를 더 포함하는 저항 변화 메모리 소자 어레이
10 10
제6항에 있어서,상기 사이드월 가변저항물질막 및 상기 하부 크로스포인트 가변저항체는 금속산화물막(transition metal oxide layer), 칼코게나이드(chalcogenide)막, 페로브스카이트(perovskite)막, 또는 금속도핑된 고체전해질막인 저항 변화 메모리 소자 어레이
11 11
저항 변화 메모리 소자 및 이에 접속된 프로세서를 구비하는 전자제품에 있어서, 상기 저항 변화 메모리 소자는 기판 상에 일 방향으로 배치된 제1 비트라인, 상기 제1 비트라인 상에 상기 제1 비트라인에 교차하는 워드라인, 상기 제1 비트라인과 상기 워드라인 사이에 위치하는 하부 크로스포인트 가변저항체, 상기 비트라인과 상기 워드라인의 측벽을 노출시키는 콘택홀 내에 위치하는 도전성 필라, 및 상기 콘택홀 내에 상기 도전성 필라를 둘러싸는 사이드월 가변저항물질막을 포함하는 전자제품
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 광주과학기술원 산업기술개발사업 고집적 ReRAM 소자개발(1/2)