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에피택시 버퍼층을 이용한 비휘발성 기억소자 및 그제조방법
- 기술번호 : KST2015174003
- 담당센터 : 광주기술혁신센터
- 전화번호 : 062-360-4654
| 요약 | 본 발명은 산화막의 저항변화를 이용한 비휘발성 기억소자에 있어서, 기판 위에 에피택시 버퍼층을 형성하고 그 위에 산화막을 형성하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 반도체 기억소자의 제조 방법 및 비휘발성 기억소자에 관한 것이다.특히 저항변화를 이용한 저항성 메모리(Resistance RAM, 'ReRAM') 소자의 신뢰성을 개선하기 위한 단결정 산화막을 형성하기 위하여 실리콘 기판 위에 질화티타늄(TiN)을 에피택시로 성장시킨다. 본 발명에 따르면 단결정 산화막을 포함하는 비휘발성 기억소자를 용이하게 제작할 수 있어 비휘발성 반도체 기억소자의 저항 변화값을 극대화하고 균일하고 안정적인 반도체 기억소자의 동작 특성을 확보할 수 있는 효과를 얻을 수 있다.비휘발성, 에피택시, 버퍼층, 저항성 메모리, 단결정 산화막 |
|---|---|
| Int. CL | H01L 21/8247 (2011.01) H01L 27/115 (2011.01) |
| CPC | H01L 21/0223(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020060053107 (2006.06.13) |
| 출원인 | 광주과학기술원 |
| 등록번호/일자 | 10-0727650-0000 (2007.06.05) |
| 공개번호/일자 | |
| 공고번호/일자 | (20070613) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 소멸 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2006.06.13) |
| 심사청구항수 | 17 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 광주과학기술원 | 대한민국 | 광주광역시 북구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 황현상 | 대한민국 | 광주 북구 |
| 2 | 샹, 웬펑 | 중국 | 광주 북구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 황이남 | 대한민국 | 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 광주과학기술원 | 광주광역시 북구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 특허출원서 Patent Application |
2006.06.13 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-0413869-23 |
| 2 | 등록결정서 Decision to grant |
2007.04.27 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2007-0231241-39 |
| 3 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2011.09.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5187089-85 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 비휘발성 기억소자에 있어서, 기판 위에 에피택시 버퍼층을 형성하고 그 위에 산화막을 형성하는 것을 특징으로 하는 에피택시 버퍼층을 이용한 비휘발성 기억소자 |
| 2 |
2 제 1항에 있어서, 상기 산화막은 단결정 산화막인 것을 특징으로 하는 에피택시 버퍼층을 이용한 비휘발성 기억소자 |
| 3 |
3 제 2항에 있어서, 상기 단결정 산화막은 티탄산스트론튬(SrTiO3), 산화아연(ZnO2), 산화망간(MnO)으로 구성된 그룹에서 선택된 어느 하나의 산화물에 3족 내지 12족 금속원소로 구성된 그룹에서 선택된 1종 이상의 금속원소가 도핑된 것을 특징으로 하는 에피택시 버퍼층을 이용한 비휘발성 기억소자 |
| 4 |
4 제 2항에 있어서, 상기 단결정 산화막은 니오브가 도핑된 티탄산스트론튬(Nb-doped SrTiO3), 크롬이 도핑된 티탄산스트론튬(Cr-doped SrTiO3), 란탄이 도핑된 티탄산스트론튬(La-doped SrTiO3), 알루미늄이 도핑된 산화아연(Al-doped ZnO2) 및 Re0 |
| 5 |
5 제 1항에 있어서, 상기 에피택시 버퍼층은 질화티타늄(TiN)인 것을 특징으로 하는 에피택시 버퍼층을 이용한 비휘발성 기억소자 |
| 6 |
6 비휘발성 기억소자의 제조방법에 있어서,실리콘 기판 위에 에피택시 버퍼층을 증착하는 단계; 및상기 에피택시 버퍼층 위에 단결정 산화막을 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 에피택시 버퍼층을 이용한 비휘발성 기억소자의 제조방법 |
| 7 |
7 제 6항에 있어서, 상기 에피택시 버퍼층을 증착하기 전에 실리콘 기판 위의 자연발생 산화층(native oxide)를 제거하는 단계를 추가로 더 포함하는 것을 특징으로 하는 에피택시 버퍼층을 이용한 비휘발성 기억소자의 제조방법 |
| 8 |
8 제 6항에 있어서, 상기 에피택시 버퍼층은 질화티타늄(TiN)인 것을 특징으로 하는 에피택시 버퍼층을 이용한 비휘발성 기억소자의 제조방법 |
| 9 |
9 제 6항에 있어서, 상기 에피택시 버퍼층은 500 내지 1000℃의 온도에서 1 내지 50 나노미터(nm)로 증착하는 것을 특징으로 하는 에피택시 버퍼층을 이용한 비휘발성 기억소자의 제조방법 |
| 10 |
10 제 6항에 있어서, 상기 단결정 산화막은 500 내지 1000℃의 온도에서 1 내지 300 나노미터(nm)로 증착하는 것을 특징으로 하는 에피택시 버퍼층을 이용한 비휘발성 기억소자의 제조방법 |
| 11 |
11 제 6항에 있어서, 상기 단결정 산화막은 티탄산스트론튬(SrTiO3), 산화아연(ZnO2), 산화망간(MnO)으로 구성된 그룹에서 선택된 어느 하나의 산화물에 3족 내지 12족 금속원소로 구성된 그룹에서 선택된 1종 이상의 금속원소가 도핑된 것을 특징으로 하는 에피택시 버퍼층을 이용한 비휘발성 기억소자의 제조방법 |
| 12 |
12 제 6항에 있어서, 상기 단결정 산화막은 니오브가 도핑된 티탄산스트론튬(Nb-doped SrTiO3), 크롬이 도핑된 티탄산스트론튬(Cr-doped SrTiO3), 란탄이 도핑된 티탄산스트론튬(La-doped SrTiO3), 알루미늄이 도핑된 산화아연(Al-doped ZnO2) 및 Re0 |
| 13 |
13 제 6항에 있어서, 상기 단결정 산화막의 증착단계는 원자의 재배열(rearrange) 과정을 반복적으로 수행하는 것을 포함하는 에피택시 버퍼층을 이용한 비휘발성 기억소자의 제조방법 |
| 14 |
14 제 13항에 있어서, 상기 원자의 재배열 과정은 소정의 두께로 단결정 산화막을 증착한 후 일정시간 동안 증착을 중지하는 과정인 것을 특징으로 하는 에피택시 버퍼층을 이용한 비휘발성 기억소자의 제조방법 |
| 15 |
15 제 14항에 있어서, 상기 두께는 1 내지 20 나노미터(nm)이고, 시간은 1 내지 100초인 것을 특징으로 하는 에피택시 버퍼층을 이용한 비휘발성 기억소자의 제조방법 |
| 16 |
16 제 6항에 있어서, 상기 증착은 물리기상증착법(PVD), 화학기상증착법(CVD), 및 물리기상증착법과 화학기상증착법을 혼용하는 방법으로 구성된 그룹에서 어느 하나의 방법을 선택하여 사용하는 것을 특징으로 하는 에피택시 버퍼층을 이용한 비휘발성 기억소자의 제조방법 |
| 17 |
17 제 6항 또는 제 16항에 있어서, 상기 증착은 펄스레이저증착법(pulsed laser deposition, PLD)인 것을 특징으로 하는 에피택시 버퍼층을 이용한 비휘발성 기억소자의 제조방법 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 패밀리정보가 없습니다 |
|---|
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
| 공개전문 정보가 없습니다 |
|---|
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-0727650-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20060613 출원 번호 : 1020060053107 공고 연월일 : 20070613 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20070427 청구범위의 항수 : 17 유별 : H01L 21/8247 발명의 명칭 : 에피택시 버퍼층을 이용한 비휘발성 기억소자 및 그제조방법 존속기간(예정)만료일 : 20190606 |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 광주과학기술원 광주 북구... |
| 2 |
(의무자) 광주과학기술원 광주광역시 북구... |
| 2 |
(권리자) 한국산업기술진흥원 서울특별시 강남구... |
| 3 |
(권리자) 광주과학기술원 광주광역시 북구... |
| 3 |
(의무자) 한국산업기술진흥원 서울특별시 강남구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 499,500 원 | 2007년 06월 07일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 414,000 원 | 2010년 03월 02일 | 납입 |
| 제 5 - 6 년분 | 금 액 | 828,000 원 | 2010년 12월 30일 | 납입 |
| 제 7 년분 | 금 액 | 746,000 원 | 2013년 04월 10일 | 납입 |
| 제 8 년분 | 금 액 | 746,000 원 | 2014년 03월 26일 | 납입 |
| 제 9 년분 | 금 액 | 746,000 원 | 2015년 06월 02일 | 납입 |
| 제 10 년분 | 금 액 | 1,210,250 원 | 2016년 06월 10일 | 납입 |
| 제 11 년분 | 금 액 | 1,175,000 원 | 2017년 03월 31일 | 납입 |
| 제 12 년분 | 금 액 | 587,500 원 | 2018년 04월 06일 | 납입 |
- 본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
- 정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
- 해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 특허출원서 | 2006.06.13 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-0413869-23 |
| 2 | 등록결정서 | 2007.04.27 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2007-0231241-39 |
| 3 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2011.09.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5187089-85 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제고유번호 | 1350010624 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 212-11 |
| 연구과제명 | 과학기술응용연구단운영 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 과학기술부 |
| 연구주관기관명 | 광주과학기술원 |
| 성과제출연도 | 2006 |
| 연구기간 | 200501~201412 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | 기타 |
| 과제고유번호 | 1355052282 |
|---|---|
| 세부과제번호 | gist-08 |
| 연구과제명 | 과학기술응용연구단운영 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 과학기술부 |
| 연구주관기관명 | 광주과학기술원 |
| 성과제출연도 | 2007 |
| 연구기간 | 200501~201412 |
| 기여율 | 0.5 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | 기타 |
| 과제고유번호 | 1415077324 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 10029907 |
| 연구과제명 | 차세대비휘발성메모리(테라비트급NFGM,PoRAM,ReRAM)개발 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 지식경제부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가원 |
| 연구주관기관명 | 한양대학교 |
| 성과제출연도 | 2007 |
| 연구기간 | 200708~200907 |
| 기여율 | 0.5 |
| 연구개발단계명 | 개발연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
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