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비휘발성 저항변화 메모리 소자

  • 기술번호 : KST2015174097
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 균일한 스위칭 특성을 갖는 비휘발성 저항변화 메모리 소자가 개시되어 있다. 비휘발성 저항변화 메모리 소자는 하부전극, 하부전극 상에 형성되며, 콘택홀을 갖는 절연막, 콘택홀의 측벽 상에 형성된 절연 스페이서, 절연 스페이서가 형성된 콘택홀 내에 위치하는 산화물 저항막 및 산화물 저항막 상에 형성되는 상부전극을 포함한다. 따라서, 산화물 저항막과 하부전극 사이의 접촉 면적을 미세하게 한정함으로써 국부적인 곳에서 필라멘트가 형성되므로, 낮은 전계에서도 전도성 필라멘트를 형성 시킬 수 있으며, 유효 전류 밀도를 향상시킬 수 있다. 스위칭, 비휘발성 메모리, 저항변화메모리
Int. CL H01L 27/115 (2006.01) H01L 21/8247 (2006.01)
CPC H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01)
출원번호/일자 1020080033558 (2008.04.11)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-0969153-0000 (2010.07.01)
공개번호/일자 10-2009-0108238 (2009.10.15) 문서열기
공고번호/일자 (20100708) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.04.11)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 황현상 대한민국 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.04.11 수리 (Accepted) 1-1-2008-0258799-57
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2009.10.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2009.11.13 수리 (Accepted) 9-1-2009-0062620-07
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.01.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0036320-67
5 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2010.03.29 수리 (Accepted) 1-1-2010-0196469-11
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.03.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0196585-10
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.03.29 수리 (Accepted) 1-1-2010-0196570-25
8 등록결정서
Decision to grant		 2010.06.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0273511-28
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
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번호 청구항
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하부 전극 상에 절연막을 형성하는 단계; 상기 절연막 내에 상기 하부 전극의 일부를 노출시키는 콘택홀을 형성하는 단계; 상기 콘택홀이 형성된 상기 절연막 상에 스페이서 절연막을 형성하는 단계; 상기 스페이서 절연막을 식각하여 상기 콘택홀의 측벽 상에 상기 하부 전극의 일부를 노출시키는 절연 스페이서를 형성하는 단계; 상기 절연 스페이서에 의하여 노출된 상기 하부 전극을 산화시켜 산화물 저항막을 형성하는 단계; 및 상기 산화물 저항막 상에 상부 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 저항변화 메모리 소자의 제조 방법
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제 5항에 있어서, 상기 절연 스페이서에 의하여 노출되는 하부 전극의 폭은 1㎚ 내지 10㎚인 저항변화 메모리 소자의 제조 방법
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제 5항에 있어서, 상기 하부 전극은 Ti, Cu 및 Ni로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나인 저항변화 메모리 소자의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.