맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

비휘발성 저항 변화 메모리 소자의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014043378
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 비휘발성 저항 변화 메모리 소자를 제공한다. 상기 소자는 제1 전극과 제2 전극을 구비한다. 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 산화물막이 위치한다. 상기 산화물막과 상기 제2 전극 사이에 반응성 금속막이 위치하되, 상기 반응성 금속막은 300K를 기준으로 산화물 형성 반응시 표준자유에너지 변화량이 -100 kJ 이하인 금속을 함유하며 2 내지 15㎚의 두께를 갖는다.
Int. CL H01L 27/115 (2006.01) H01L 21/8247 (2006.01)
CPC H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01)
출원번호/일자 1020100001681 (2010.01.08)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-1136886-0000 (2012.04.09)
공개번호/일자 10-2011-0081490 (2011.07.14) 문서열기
공고번호/일자 (20120420) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.01.08)
심사청구항수 8

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 황현상 대한민국 광주광역시 북구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 광주광역시 북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.01.08 수리 (Accepted) 1-1-2010-0012344-54
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.02.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.03.15 수리 (Accepted) 9-1-2011-0021725-45
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.03.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0169130-19
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.05.30 수리 (Accepted) 1-1-2011-0404499-95
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.05.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0404538-88
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
8 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2011.10.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0621963-05
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.12.22 수리 (Accepted) 1-1-2011-1022787-14
10 등록결정서
Decision to grant		 2012.03.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0180929-19
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
삭제
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
삭제
9 9
삭제
10 10
삭제
11 11
하부 전극을 형성하는 단계;상기 하부 전극 상에 300K를 기준으로 산화물 형성 반응시 표준자유에너지 변화량이 -100 kJ 이하인 금속을 함유하는 반응성 금속막을 형성하는 단계;상기 반응성 금속막 상에 반응성 금속 산화물막을 형성하는 단계;상기 반응성 금속 산화물막 상에 산소 이온 전도성 산화물막을 형성하는 단계; 및상기 산소 이온 전도성 산화물막 상에 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하는 비휘발성 저항 변화 메모리 소자의 제조방법
12 12
제11항에 있어서,상기 산소 이온 전도성 산화물막은 상기 반응성 금속 산화물막에 접하는 면에 산소 결핍 영역을 포함하는 비휘발성 저항 변화 메모리 소자의 제조방법
13 13
제11항에 있어서,상기 반응성 금속막은 300K를 기준으로 산화물 형성 반응시 표준자유에너지 변화량이 -100 kJ 내지 -1100 kJ 이상인 금속을 함유하는 비휘발성 저항 변화 메모리 소자의 제조방법
14 14
제11항에 있어서, 상기 반응성 금속막은 Mo막, Ta막, Ti막 또는 Al막인 저항 변화 메모리 소자의 제조방법
15 15
제11항에 있어서,상기 반응성 금속막은 3 내지 7㎚의 두께를 갖는 비휘발성 저항 변화 메모리 소자의 제조방법
16 16
제11항에 있어서, 상기 산소 이온 전도성 산화물막은 페로브스카이트막인 저항 변화 메모리 소자의 제조방법
17 17
제16항에 있어서, 상기 산소 이온 전도성 산화물막은 Pr3-YCaYMnO3-X(PCMO) 또는 La3-YCaYMnO3-X(LCMO)를 함유하는 층이며, 상기 X 및 Y는 각각 0≤X≤1 및 0
18 18
제16항에 있어서, 상기 산소 이온 전도성 산화물막은 SrTiO3-X, Nb가 도핑된 SrTiO3-X(Nb:STO), Cr이 도핑된 SrTiO3-X(Cr:STO), BaTiO3-X, LaMnO3-X, SrMnO3-X, PrTiO3-X, 또는 PbZrO3-X를 함유하는 층이며, 상기 X는 0≤X≤1인 비휘발성 저항 변화 메모리 소자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 광주과학기술원 산업기술개발사업 고신뢰성 ReRAM 소자개발