맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

게이트 구조물에 가변 저항체를 가지는 저항변화 메모리 및이의 동작 방법

  • 기술번호 : KST2015174123
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 게이트 구조물 내에 가변 저항체가 도입된 저항변화 메모리 및 이의 동작 방법이 개시된다. 가변 저항체를 가지는 게이트 구조물에 저항제어전압을 인가하여 게이트 구조물을 고저항 상태 또는 저저항 상태로 형성한다. 고저항 상태인 경우, 채널 영역 상단에 형성된 게이트 산화막에 인가되는 전압은 문턱 전압 미만으로 설정되어 메모리를 턴오프시킨다. 또한, 저저항 상태인 경우, 게이트 산화막에 인가되는 전압은 문턱 전압 이상으로 설정되어 메모리를 턴온시킨다. 따라서, 게이트 구조물의 저항 상태의 조절을 통해 동일한 읽기 전압의 인가에 따라, 메모리의 온/오프 상태를 확인할 수 있다. 저항변화 메모리, ReRAM, 게이트
Int. CL H01L 27/115 (2006.01) H01L 21/8247 (2006.01)
CPC H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01)
출원번호/일자 1020080068111 (2008.07.14)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-1026934-0000 (2011.03.28)
공개번호/일자 10-2010-0007467 (2010.01.22) 문서열기
공고번호/일자 (20110406) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.07.14)
심사청구항수 8

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 황현상 대한민국 광주광역시 북구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.07.14 수리 (Accepted) 1-1-2008-0504192-14
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.03.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.04.13 수리 (Accepted) 9-1-2010-0020520-80
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.04.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0164050-58
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.06.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0392797-24
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.06.18 수리 (Accepted) 1-1-2010-0392727-49
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.10.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0459463-31
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.12.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0827228-59
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.12.15 수리 (Accepted) 1-1-2010-0827190-13
10 등록결정서
Decision to grant		 2011.03.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0165269-52
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
소스 영역; 상기 소스 영역과 대향하는 드레인 영역; 및 상기 소스 영역과 상기 드레인 영역 사이의 채널 영역 상부에 형성되고, 저항제어전압에 따라 고저항 상태 또는 저저항 상태로 설정되어 온/오프 상태를 설정하는 게이트 구조물을 포함하고, 상기 게이트 구조물은, 상기 채널 영역 상부에 형성된 게이트 산화막; 상기 고저항 상태의 형성시, 산소 이온을 발생하기 위한 산화물층; 상기 산소 이온과 반응하여 금속 산화물층을 형성하여 상기 고저항 상태를 만들거나, 환원을 통해 상기 저저항 상태를 형성하는 반응성 금속막; 및 상기 반응성 금속막에 전압을 공급하기 위한 게이트 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 저항변화 메모리
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서, 상기 게이트 산화막은 실리콘 산화물 또는 실리콘 산화물과 실리콘 질화물의 복층막인 것을 특징으로 하는 저항변화 메모리
4 4
제3항에 있어서, 상기 게이트 산화막이 상기 실리콘 산화물인 경우, 상기 실리콘 산화물의 두께는 0
5 5
제1항에 있어서, 상기 산화물층은 Pr3-YCaYMnO3-X(PCMO), La3-YCaYMnO3-X(LCMO), NiOx, CuOx, TiOx, TaOx, NbOx 또는 FeOx인 것을 특징으로 하는 저항변화 메모리
6 6
제1항에 있어서, 상기 반응성 금속막은 Al(Aluminium), Mo(Molybdenum), W(Tungsten), La(Lanthanum), Ce(Cerium), Pr(Praseodymium), Nd(Neodymium), Pm(Promethium), Sm(samarium), Eu(Europium), Gd(Gadolinium), Tb(Terbium), Dy(Dysprosium), Ho(Holmium), Er(Erbium), Tm(Thulium), Yb(Ytterbium), Lu(Lutetium), Y(yttrium) 또는 Sc(Scandium)인 것을 특징으로 하는 저항변화 메모리
7 7
제1항에 있어서, 상기 고저항 상태에서는 상기 게이트 전극에 인가되는 읽기 전압의 인가시, 상기 게이트 산화막에 인가되는 전압은 문턱 전압 미만이고, 상기 저저항 상태에서는 상기 읽기 전압의 인가시, 상기 게이트 산화막에 인가되는 전압은 상기 문턱 전압 이상인 것을 특징으로 하는 저항변화 메모리
8 8
제7항에 있어서, 상기 고저항 상태는 상기 반응성 금속막에 상기 산소 이온을 공급하여 금속 산화물층을 형성함에 의해 달성되는 것을 특징으로 하는 저항변화 메모리
9 9
제7항에 있어서, 상기 저저항 상태는 상기 금속 산화물층에 대해 환원반응을 수행함에 의해 달성되는 것을 특징으로 하는 저항변화 메모리
10 10
삭제
11 11
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.