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저항 변화 메모리 소자 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015174305
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 저항 변화 메모리 소자 및 이의 제조방법이 개시된다. 본 발명에 의한 저항 변화 메모리 소자는 단열히터층의 역할을 하는 칼코게나이드 화합물층을 저항 변화층의 상부에 도입함에 의해 발생하는 열전효과(thermoelectric effect)를 이용함으로써 생성되는 추가적인 열이 확산성 이온의 이동속도를 증가시켜 저항 변화층의 계면에서 일어나는 산화/환원 반응을 촉진시키고, 이로 인해 빠른 스위칭 속도 및 낮은 에너지 소비량을 가진다. 또한, 본 발명에 의한 저항 변화 메모리 소자의 제조방법은 단열히터층의 역할을 하는 칼코게나이드 화합물층과 또 다른 단열층인 이온 공급층을 저항 변화층의 상하부에 형성하여 메모리 소자 내부에서 발생하는 줄-가열(Joule-heating)에 의해 발생된 열의 손실을 최소화하는 열차단효과(thermal barrier effect)를 이용함으로써 생성되는 추가적인 열이 확산성 이온의 이동속도를 증가시켜 저항 변화층의 계면에서 일어나는 산화/환원 반응을 촉진시키고, 이로 인해 빠른 스위칭 속도 및 낮은 에너지 소비량을 가지는 메모리 소자를 제조할 수 있다.
Int. CL H01L 27/115 (2006.01) H01L 21/8247 (2006.01) H01L 35/00 (2006.01)
CPC H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01)
출원번호/일자 1020110068592 (2011.07.11)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-1250973-0000 (2013.03.29)
공개번호/일자 10-2013-0007923 (2013.01.21) 문서열기
공고번호/일자 (20130404) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.07.11)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 황현상 대한민국 광주광역시 북구
2 정승재 대한민국 광주광역시 북구
3 만잘 시딕 방글라데시 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.07.11 수리 (Accepted) 1-1-2011-0530990-79
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.02.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.03.23 수리 (Accepted) 9-1-2012-0024696-68
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.10.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0630489-10
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.12.18 수리 (Accepted) 1-1-2012-1054321-81
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.12.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-1054350-05
8 등록결정서
Decision to grant		 2013.03.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0207752-47
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;기판 상에 형성된 하부 전극;상기 하부 전극 상에 형성된 이온 공급층;상기 이온 공급층 상에 형성된 저항 변화층;상기 저항 변화층 상에 형성되며, 인가되는 바이어스에 상응하여 열에너지를 발생시키고, 상기 발생된 열의 외부로의 유출을 차단하는 단열히터층; 및 상기 단열히터층 상에 형성된 상부 전극을 포함하고,상기 단열히터층은 칼코게나이드 화합물층을 포함하는 것을 특징으로 하는 저항 변화 메모리 소자
2 2
제1항에 있어서,상기 이온 공급층은 페로브스카이트계 산화물층인 것을 특징으로 하는 저항 변화 메모리 소자
3 3
제2항에 있어서,상기 페로브스카이트계 산화물층은 PrxMnO3(0≤x≤1) 또는 LaxMnO3(0≤x≤1) 또는 GdxMnO3(0≤x≤1)에 Ca, Sr 및 Ba 중 적어도 어느 하나가 도핑된 페로브스카이트계 산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 저항 변화 메모리 소자
4 4
제1항에 있어서,상기 저항 변화층은 Al, Ti, Nb, W, Ta, Sm, Zr, Hf 및 La로부터 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 저항 변화 메모리 소자
5 5
삭제
6 6
제1항에 있어서,상기 칼코게나이드 화합물층은 Ge2Sb2Te5를 포함하는 것을 특징으로 하는 저항 변화 메모리 소자
7 7
제1항에 있어서,상기 기판과 하부 전극 사이에 접착층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 저항 변화 메모리 소자
8 8
제1항에 있어서,상기 이온 공급층 상에 저항 변화층의 활성 영역을 한정하기 위한 측벽을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 저항 변화 메모리 소자
9 9
기판 상에 하부 전극을 형성하는 단계;상기 하부 전극 상에 이온 공급층을 형성하는 단계;상기 이온 공급층 상에 저항 변화층을 형성하는 단계;상기 저항 변화층 상에 인가되는 바이어스에 상응하여 열을 발생시키고, 상기 발생된 열의 외부로의 유출을 차단하는 칼코게나이드 화합물층을 가지는 단열히터층을 형성하는 단계; 및상기 단열히터층 상에 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하는 저항 변화 메모리 소자의 제조방법
10 10
제9항에 있어서,상기 기판과 하부 전극 사이에 접착층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 저항 변화 메모리 소자의 제조방법
11 11
제9항에 있어서,상기 이온 공급층 상에 저항 변화층의 활성 영역을 한정하기 위한 측벽을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 저항 변화 메모리 소자의 제조방법
12 12
삭제
13 13
제9항에 있어서,상기 칼코게나이드 화합물층은 Ge2Sb2Te5를 포함하는 것을 특징으로 하는 저항 변화 메모리 소자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한양대학교 산업기술개발사업 고집적 ReRAM 소자개발[2/2]