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카바이드계 고체 전해질막을 구비하는 저항 변화 메모리 소자 및 이의 제조방법
- 기술번호 : KST2015174139
- 담당센터 : 광주기술혁신센터
- 전화번호 : 062-360-4654
| 요약 | 고온에서 안정적인 메모리 특성을 갖는 카바이드계 고체 전해질막을 구비하는 저항 변화 메모리 소자 및 이의 제조방법이 개시되어 있다. 저항 변화 메모리 소자는 하부전극, 하부전극 상에 배치된 카바이드계 고체 전해질막 및 고체 전해질막 상에 배치된 상부전극을 포함한다. 또한, 저항 변화 메모리 소자의 제조방법은 기판 상에 하부전극을 형성하는 단계, 하부전극 상에 카바이드계 고체 전해질막을 형성하는 단계 및 고체 전해질막 상에 상부전극을 형성하는 단계를 포함한다. 카바이드계 고체 전해질막, 저항 변화 메모리 소자, 스퍼터링 |
|---|---|
| Int. CL | H01L 27/115 (2006.01) |
| CPC | H01L 45/085(2013.01) H01L 45/085(2013.01) H01L 45/085(2013.01) H01L 45/085(2013.01) H01L 45/085(2013.01) H01L 45/085(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020080093399 (2008.09.23) |
| 출원인 | 광주과학기술원 |
| 등록번호/일자 | 10-1033303-0000 (2011.04.28) |
| 공개번호/일자 | 10-2010-0034331 (2010.04.01) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20110509) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 등록 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2009.09.22) |
| 심사청구항수 | 10 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 광주과학기술원 | 대한민국 | 광주광역시 북구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 황현상 | 대한민국 | 광주광역시 북구 |
| 2 | 편명범 | 대한민국 | 광주광역시 북구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 특허법인이상 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 광주과학기술원 | 대한민국 | 광주광역시 북구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2008.09.23 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0668941-06 |
| 2 | [심사청구]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination) |
2009.09.22 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0582361-75 |
| 3 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2011.01.21 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0042023-32 |
| 4 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2011.03.21 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0203372-92 |
| 5 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2011.03.21 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2011-0203381-03 |
| 6 | 등록결정서 Decision to grant |
2011.04.27 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0228036-32 |
| 7 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2011.09.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5187089-85 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 하부전극; 상기 하부전극 상에 배치된 카바이드계 고체 전해질막; 및 상기 고체 전해질막 상에 배치된 상부전극을 포함하는 저항 변화 메모리 소자 |
| 2 |
2 제 1 항에 있어서, 상기 카바이드계 고체 전해질막은 CuxC, AgxC 또는 AuxC막이며, x는 0 |
| 3 |
3 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 카바이드계 고체 전해질막은 비정질막인 저항 변화 메모리 소자 |
| 4 |
4 제 1 항에 있어서, 상기 상부전극은 Pt 막, Ru 막, Ir 막, Al 막, Ti막, Cu막 또는 Ni막인 저항 변화 메모리 소자 |
| 5 |
5 제 1 항에 있어서, 상기 하부전극은 Pt막, Ru막, Ir막 또는 Al막인 저항 변화 메모리 소자 |
| 6 |
6 제 1 항에 있어서, 상기 하부 전극 상에 상기 하부 전극의 일부분을 노출시키는 콘택홀을 구비하는 절연막을 더 포함하되, 상기 고체 전해질막은 상기 콘택홀 내에 형성되는 저항 변화 메모리 소자 |
| 7 |
7 제 6 항에 있어서, 상기 절연막은 SiO2막인 저항 변화 메모리 소자 |
| 8 |
8 기판 상에 하부전극을 형성하는 단계; 상기 하부전극 상에 카바이드계 고체 전해질막을 형성하는 단계; 및 상기 고체 전해질막 상에 상부전극을 형성하는 단계를 포함하는 저항 변화 메모리 소자의 제조방법 |
| 9 |
9 제 8 항에 있어서, 상기 고체 전해질막을 형성하는 단계 이전에 상기 하부전극 상에 콘택홀을 갖는 절연막을 형성하는 단계를 더 포함하되, 상기 고체 전해질막은 상기 콘택홀 내에 형성되는 저항 변화 메모리 소자의 제조방법 |
| 10 |
10 제 8 항 또는 제 9 항에 있어서, 상기 고체 전해질막은 스퍼터링법을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 저항 변화 메모리 소자의 제조방법 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | US09231198 | US | 미국 | FAMILY |
| 2 | US20110175052 | US | 미국 | FAMILY |
| 3 | WO2010036001 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | FAMILY |
| 4 | WO2010036001 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | FAMILY |
DOCDB 패밀리 정보
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | US2011175052 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 2 | US9231198 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 3 | WO2010036001 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | DOCDBFAMILY |
| 4 | WO2010036001 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | DOCDBFAMILY |
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
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| 특허 등록번호 | 10-1033303-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20080923 출원 번호 : 1020080093399 공고 연월일 : 20110509 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20110427 청구범위의 항수 : 10 유별 : H01L 27/115 발명의 명칭 : 카바이드계 고체 전해질막을 구비하는 저항 변화 메모리 소자 및 이의 제조방법 존속기간(예정)만료일 : |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 광주과학기술원 광주광역시 북구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 217,500 원 | 2011년 04월 28일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 260,000 원 | 2014년 03월 26일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 182,000 원 | 2015년 03월 30일 | 납입 |
| 제 6 년분 | 금 액 | 182,000 원 | 2016년 04월 04일 | 납입 |
| 제 7 년분 | 금 액 | 336,000 원 | 2017년 03월 31일 | 납입 |
| 제 8 년분 | 금 액 | 240,000 원 | 2018년 04월 06일 | 납입 |
| 제 9 년분 | 금 액 | 240,000 원 | 2019년 04월 01일 | 납입 |
| 제 10 년분 | 금 액 | 395,000 원 | 2020년 04월 02일 | 납입 |
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| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2008.09.23 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0668941-06 |
| 2 | [심사청구]심사청구(우선심사신청)서 | 2009.09.22 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0582361-75 |
| 3 | 의견제출통지서 | 2011.01.21 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0042023-32 |
| 4 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2011.03.21 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0203372-92 |
| 5 | [명세서등 보정]보정서 | 2011.03.21 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2011-0203381-03 |
| 6 | 등록결정서 | 2011.04.27 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0228036-32 |
| 7 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2011.09.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5187089-85 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제고유번호 | 1345156594 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2008-0060067 |
| 연구과제명 | 차세대 비휘발성 저항 변화 메모리 (ReRAM) 원천 기술 개발 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
| 연구주관기관명 | 광주과학기술원 |
| 성과제출연도 | 2011 |
| 연구기간 | 200806~201305 |
| 기여율 | 0.5 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
| 과제고유번호 | 1415106941 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 10029943 |
| 연구과제명 | 고집적 ReRAM 소자 개발 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 지식경제부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가관리원 |
| 연구주관기관명 | 광주과학기술원 |
| 성과제출연도 | 2010 |
| 연구기간 | 200708~201107 |
| 기여율 | 0.5 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
| 과제고유번호 | 1345068992 |
|---|---|
| 세부과제번호 | R0A-2008-000-20104-0 |
| 연구과제명 | 차세대비휘발성저항변화메모리(ReRAM)원천기술개발 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국과학재단 |
| 연구주관기관명 | 광주과학기술원 |
| 성과제출연도 | 2008 |
| 연구기간 | 200806~201305 |
| 기여율 | 0.33333334 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
| 과제고유번호 | 1345084797 |
|---|---|
| 세부과제번호 | gist-08 |
| 연구과제명 | 과학기술응용연구단운영 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 교육과학기술부 |
| 연구주관기관명 | 광주과학기술원 |
| 성과제출연도 | 2008 |
| 연구기간 | 200501~201412 |
| 기여율 | 0.33333334 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | 기타 |
| 과제고유번호 | 1415083949 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 10029943 |
| 연구과제명 | 고신뢰성ReRAM소자개발 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 지식경제부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가원 |
| 연구주관기관명 | 서울대학교 |
| 성과제출연도 | 2008 |
| 연구기간 | 200408~201107 |
| 기여율 | 0.33333334 |
| 연구개발단계명 | 개발연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
특허성과
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