맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

비휘발성 기억소자, 그 제조방법 및 그 제조장치

  • 기술번호 : KST2015174002
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 산화막의 저항변화를 이용한 비휘발성 기억소자에 있어서, 상부와 하부에 전극을 형성하고, 상기 전극 사이에, 저항변화에 핵심적인 다량의 산소공공(oxygen vacancy)을 포함하는 산화막을 형성하도록 하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 반도체 기억소자의 제조 공정 기술, 그 제조 장치 및 비휘발성 기억소자에 관한 것이다. 특히 저항변화를 이용한 저항성 메모리(Resistance RAM, 'ReRAM') 소자의 신뢰성을 개선하기 위하여 수소 또는 중수소 처리 및 열처리를 통하여 금속/산화막 계면에 다량의 산소공공을 형성한다. 본 발명에 따르면 비휘발성 기억소자 내의 다량의 산소공공이 저항변화를 극대화시켜 안정적인 반도체 기억소자의 동작 특성을 확보할 수 있는 효과를 얻을 수 있다. ReRAM, 산화막, 수소, 중수소, 비휘발성
Int. CL H01L 27/115 (2006.01) H01L 21/8247 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020060053106 (2006.06.13)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-0833903-0000 (2008.05.26)
공개번호/일자 10-2007-0118865 (2007.12.18)
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자
심사청구항수 0
인명정보가 없습니다
행정처리가 정보가 없습니다
청구항 정보가 없습니다
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.