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기판 상에 일 방향으로 배치된 제1 방향 데이터선;상기 제1 방향 데이터선 상에 상기 제1 방향 데이터선에 교차하는 제2 방향 데이터선;상기 한 쌍의 제1 방향 데이터선과 제2 방향 데이터선 사이에 위치하는 히터;상기 제1 방향 데이터선의 측벽과 상기 제2 방향 데이터선의 측벽을 노출시키는 콘택홀 내에 위치하는 도전성 필라; 및상기 콘택홀 내에 상기 도전성 필라를 둘러싸는 저항변화물질막을 포함하는 저항 변화 메모리 소자
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제1항에 있어서,상기 히터는 TiN막, TiAlN막, W막, TiW막 또는 TaSiN막인 저항 변화 메모리 소자
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제1항에 있어서,상기 도전성 필라의 측벽과 상기 저항변화물질막 사이, 또는 상기 저항변화물질막과 상기 데이터선들의 측벽들 사이에 위치하는 터널링 배리어 절연막을 더 포함하는 저항 변화 메모리 소자
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제1항에 있어서,상기 저항변화물질막은 금속산화물막(transition metal oxide layer), PCMO(Pr1-XCaXMnO3, 0003c#X003c#1)막, 칼코게나이드(chalcogenide)막, 페로브스카이트(perovskite)막, 또는 금속도핑된 고체전해질막인 저항 변화 메모리 소자
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제1항에 있어서,상기 저항변화물질막은 산소의 원자비가 화학양론비를 만족하는 값보다 작은 금속산화물막인 저항 변화 메모리 소자
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제5항에 있어서,상기 저항변화물질막은 HfO2-x, ZrO2-x, Y2O3-x, TiO2-x, NiO1-y, Nb2O5-x, Ta2O5-x, CuO1-y, 또는 Fe2O3-x (0003c#x≤1
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기판 상에 서로 평행하게 배열된 한 쌍의 제1 방향 데이터선들;상기 제1 방향 데이터선들 상에 상기 제1 방향 데이터선들에 교차하고 서로 평행하게 배열된 제2 방향 데이터선들;서로 교차하는 한 쌍의 제1 방향 데이터선과 제2 방향 데이터선 사이에 위치하는 히터들;상기 제1 방향 데이터선들의 서로 마주보는 한 쌍의 측벽들과 상기 제2 방향 데이터선의 서로 마주보는 한 쌍의 측벽들을 노출시키는 콘택홀 내에 위치하는 도전성 필라(conductive pillar); 및상기 콘택홀 내에 상기 도전성 필라를 둘러싸는 저항변화물질막을 포함하는 저항 변화 메모리 소자 어레이
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기판 상에 일 방향으로 배치된 제1 방향 데이터선; 상기 제1 방향 데이터선 상에 상기 제1 방향 데이터선에 교차하는 제2 방향 데이터선; 상기 한 쌍의 제1 방향 데이터선과 제2 방향 데이터선 사이에 위치하는 히터; 상기 제1 방향 데이터선의 측벽과 상기 제2 방향 데이터선의 측벽을 노출시키는 콘택홀 내에 위치하는 도전성 필라; 및 상기 콘택홀 내에 상기 도전성 필라를 둘러싸는 저항변화물질막을 포함하는 저항 변화 메모리 소자를 제공하는 단계;상기 히터를 온(on)시킨 상태에서 상기 저항변화물질막의 저항을 변화시키는 단계를 포함하는 저항 변화 메모리 소자의 동작 방법
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제8항에 있어서,상기 히터를 오프시킨 상태에서 상기 저항변화물질막에 흐르는 전류를 독출하는 저항 변화 메모리 소자의 동작 방법
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기판 상에 제1 데이터 도전막 및 히터막을 차례로 형성하는 단계;상기 히터막 및 상기 제1 데이터 도전막을 패터닝하여 기판 상에 차례로 적층된 제1 방향 데이터선 및 히터를 형성하는 단계;상기 히터 상에 배선간 절연막을 형성하고 상기 배선간 절연막을 상기 히터의 상부면이 노출될 때까지 평탄화하는 단계;상기 히터 및 상기 배선간 절연막 상에 제2 데이터 도전막을 형성하는 단계;상기 제2 데이터 도전막을 패터닝하여 상기 제1 방향 데이터선에 교차하는 제2 방향 데이터선을 형성하는 단계;상기 제2 방향 데이터선에 인접하여 노출된 상기 히터를 식각하여 상기 히터를 상기 제1 방향 데이터선과 상기 제2 방향 데이터선 사이로 한정하는 단계;상기 배선간 절연막 내에 상기 제1 방향 데이터선의 측벽과 상기 제2 방향 데이터선의 측벽을 노출시키는 콘택홀을 형성하는 단계;상기 콘택홀의 측벽 상에 저항변화물질막을 형성하는 단계; 및상기 콘택홀 내에 상기 저항변화물질막에 의해 둘러싸여진 도전성 필라를 형성하는 단계를 포함하는 저항 변화 메모리 소자 제조방법
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저항 변화 메모리 소자 및 이에 접속된 프로세서를 구비하는 전자제품에 있어서, 상기 저항 변화 메모리 소자는기판 상에 일 방향으로 배치된 제1 방향 데이터선;상기 제1 방향 데이터선 상에 상기 제1 방향 데이터선에 교차하는 제2 방향 데이터선;상기 한 쌍의 제1 방향 데이터선과 제2 방향 데이터선 사이에 위치하는 히터;상기 제1 방향 데이터선의 측벽과 상기 제2 방향 데이터선의 측벽을 노출시키는 콘택홀 내에 위치하는 도전성 필라; 및상기 콘택홀 내에 상기 도전성 필라를 둘러싸는 저항변화물질막을 포함하는 전자제품
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