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금속 산화물 전극을 구비하는 저항 변화 메모리 소자 및이의 동작방법

  • 기술번호 : KST2015174843
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 금속 산화물 전극을 구비하는 저항 변화 메모리 소자 및 이의 동작방법을 제공한다. 상기 소자는 제1 전극 및 제2 전극을 구비한다. 상기 제2 전극은 상기 제1 전극을 마주보며 금속 산화물 전극막을 구비한다. 상기 제1 전극과 상기 금속 산화물 전극막 사이에 산화물 저항 변화막이 위치한다. 이러한 저항 변화 메모리 소자는 금속 산화물 전극을 구비함으로써 산소 이온의 이동을 보다 원활하게 할 수 있다. 따라서, 스위칭 속도가 증가될 수 있다. 또한, 상기 금속 산화물 전극 내에 산소 이온이 유입되는 경우에도 상기 금속 산화물 전극의 저항은 변하지 않을 수 있어, 소자의 내구성이 향상될 수 있다. 저항 변화 메모리 소자, 금속 산화물 전극, 산화물 저항 변화막
Int. CL H01L 27/115 (2006.01) H01L 21/8247 (2006.01)
CPC H01L 45/147(2013.01) H01L 45/147(2013.01) H01L 45/147(2013.01) H01L 45/147(2013.01)
출원번호/일자 1020080033522 (2008.04.11)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-1007085-0000 (2011.01.03)
공개번호/일자 10-2009-0108217 (2009.10.15) 문서열기
공고번호/일자 (20110110) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.04.11)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 황현상 대한민국 광주광역시 북구
2 무사랏 하산 방글라데시 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.04.11 수리 (Accepted) 1-1-2008-0258471-98
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2009.10.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2009.11.13 수리 (Accepted) 9-1-2009-0062618-15
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.01.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0033345-83
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.03.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0192410-46
6 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2010.03.26 수리 (Accepted) 1-1-2010-0191965-95
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.03.26 수리 (Accepted) 1-1-2010-0192393-57
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.06.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0272771-14
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.08.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0560238-76
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.08.30 수리 (Accepted) 1-1-2010-0560213-35
11 등록결정서
Decision to grant		 2010.12.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0578857-29
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 전극; 상기 제1 전극을 마주보며 비정질막(amorphous layer)이면서 루테늄 산화막(ruthenium oxide) 또는 이리듐 산화막(Iridium oxide)인 금속 산화물 전극막을 구비하는 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 금속 산화물 전극막 사이에 위치하는 페로브스카이트막인 산화물 저항 변화막을 포함하는 저항 변화 메모리 소자
2 2
제1항에 있어서, 상기 산화물 저항 변화막의 산소의 원자비는 화학양론적인 산소의 원자비와 같거나 이보다 작은 저항 변화 메모리 소자
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서, 상기 페로브스카이트막은 SrTiO3-X, Nb가 도핑된 SrTiO3-X, Cr이 도핑된 SrTiO3-X, BaTiO3-X, LaMnO3-X, SrMnO3-X, PrTiO3-X, 또는 PbZrO3-X을 함유하며, x는 0 내지 1인 저항 변화 메모리 소자
5 5
제1항에 있어서, 상기 페로브스카이트막은 Pr3-YCaYMnO3-X 또는 La3-YCaYMnO3-X을 함유하며, x는 0 내지 1이고, y는 0
6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
제1항에 있어서, 상기 제2 전극에 접속하는 신호선을 더 포함하는 저항 변화 메모리 소자
9 9
제1 전극, 상기 제1 전극을 마주보며 비정질막(amorphous layer)이면서 루테늄 산화막(ruthenium oxide) 또는 이리듐 산화막(Iridium oxide)인 금속 산화물 전극막을 구비하는 제2 전극, 및 상기 제1 전극과 상기 금속 산화물 전극막 사이에 위치하는 페로브스카이트막인 산화물 저항 변화막을 포함하는 메모리 소자를 제공하는 단계; 상기 금속 산화물 전극막에 양의 전압을 인가하여 상기 메모리 소자를 저저항 상태로 프로그래밍하는 단계; 및 상기 금속 산화물 전극막에 음의 전압을 인가하여 상기 메모리 소자는 고저항 상태로 프로그래밍하는 단계를 포함하는 저항 변화 메모리 소자의 동작 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.