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비휘발성 저항 스위칭 메모리 소자 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015174834
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 비휘발성 저항 스위칭 메모리 소자 및 이의 제조방법이 개시된다. 본 발명에 의한 비휘발성 저항 스위칭 메모리 소자는 제1 하부 전극, 제1 저항 변화층 및 제1 상부 전극을 포함하는 제1 저항 변화 메모리 및 상기 제1 저항 변화 메모리 상에 형성되며, 제2 하부 전극, 제2 저항 변화층 및 제2 상부 전극을 포함하는 제2 저항 변화 메모리를 포함하되, 상기 제1 저항 변화층과 상기 제2 저항 변화층은 서로 다른 물질을 적어도 하나 포함하는 이종의 저항 변화 메모리의 접합으로 형성됨으로써 보다 확장된 동작 전압 윈도우를 확보할 수 있을 뿐만 아니라, 빠른 스위칭 속도, 우수한 안정성을 나타낼 수 있다. 또한, 본 발명에 의한 비휘발성 저항 스위칭 메모리 소자의 제조방법은, 제1 하부 전극, 제1 저항 변화층 및 제1 상부 전극을 순차 적층하여 제1 저항 변화 메모리를 형성하는 단계 및 상기 제1 저항 변화 메모리 상에 제2 하부 전극, 제2 저항 변화층 및 제2 상부 전극을 순차 적층하여 제2 저항 변화 메모리를 형성하는 단계를 포함하되, 상기 제1 저항 변화층과 상기 제2 저항 변화층은 서로 다른 물질을 적어도 하나 포함하도록 제조함으로써 동작 전압 윈도우를 조절할 수 있으며, 크로스-포인트 어레이 구조의 구현시 워드라인의 갯수를 현저히 증가시킬 수 있어 소자의 고집적에 유리하다.
Int. CL H01L 21/8247 (2006.01) H01L 27/115 (2006.01)
CPC H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01)
출원번호/일자 1020110140992 (2011.12.23)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-1340570-0000 (2013.12.05)
공개번호/일자 10-2013-0073247 (2013.07.03) 문서열기
공고번호/일자 (20131211) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.12.23)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 황현상 대한민국 광주광역시 북구
2 이대석 대한민국 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.12.23 수리 (Accepted) 1-1-2011-1027161-15
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.10.23 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.11.22 수리 (Accepted) 9-1-2012-0088522-11
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.05.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0348015-34
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2013.07.18 수리 (Accepted) 1-1-2013-0647297-25
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.08.21 수리 (Accepted) 1-1-2013-0758566-83
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.08.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0758593-16
8 등록결정서
Decision to grant		 2013.10.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0754537-12
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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제1 하부 전극, 제1 저항 변화층 및 제1 상부 전극을 포함하는 제1 저항 변화 메모리; 및상기 제1 저항 변화 메모리 상에 형성되며, 제2 하부 전극, 제2 저항 변화층 및 제2 상부 전극을 포함하는 제2 저항 변화 메모리를 포함하고,상기 제1 저항 변화 메모리 소자 및 상기 제2 저항 변화 메모리 소자는 어느 하나의 바이어싱 영역에서 서로 반대의 스위칭 거동을 나타내며, 상기 제1 저항 변화층과 상기 제2 저항 변화층은 서로 다른 물질을 적어도 하나 포함하되, 상기 제1 저항 변화층은 TiOx(0≤x≤2)이고 상기 제2 저항 변화층은 HfOx(0≤x≤2) 및 ZrOx(0≤x≤2)의 이중층이어서, 상기 제1 저항 변화 메모리 소자 및 상기 제2 저항 변화 메모리 소자 각각의 리셋 전압은 셋 전압보다 크거나 같으며,상기 제1 저항 변화 메모리 소자 및 상기 제2 저항 변화 메모리 소자는 셀프-컴플라이언스 전류 거동을 나타내는 것인,비휘발성 저항 스위칭 메모리 소자
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 ㈜하이닉스반도체, 광주과학기술원 기술혁신사업 테라비트급 3차원 ReRAM 원천기술 개발