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결정성 산화막의 저항변화를 이용한 비휘발성 기억소자

  • 기술번호 : KST2015174879
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 결정성 산화막의 저항변화를 이용한 비휘발성 기억소자에 관한 것으로써, 특히 저항변화를 이용한 저항성 메모리(Resistance RAM, 'ReRAM') 소자의 균일성/안정성을 현저히 개선하기 위하여, 기존의 비정질/다결정 산화물(oxide)대신, 단결정 산화물을 이용하고, 이 단결정 산화물의 계면에 적정 수준의 표면 산화처리 공정을 적용함으로써, 소자의 안정성을 극대화하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 반도체 기억소자의 구조 및 제조 공정 기술이다. 본 발명은 기존 ReRAM소자의 불균일한 스위칭을 제거하기 위해, 비정질 또는 다결정대신 단결정 산화물을 사용하고, 표면 산화 처리를 통해 인터페이스 스테이트를 조절함으로써 안정적인 스위치 특성을 확보하는 ReRAM 소자를 제공한다.ReRAM, 비휘발성 메모리, 스위칭, 계면 처리
Int. CL H01L 27/115 (2006.01)
CPC G11C 13/0002(2013.01) G11C 13/0002(2013.01)
출원번호/일자 1020050055170 (2005.06.24)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-0644869-0000 (2006.11.03)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20061114) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.06.24)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 황현상 대한민국 광주 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 황이남 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2005.06.24 수리 (Accepted) 1-1-2005-0338873-89
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2006.06.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2006.07.13 수리 (Accepted) 9-1-2006-0048411-28
4 등록결정서
Decision to grant		 2006.08.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0492874-84
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
비휘발성 기억소자에 있어서,상부와 하부에 전극을 형성하고, 상기 전극 사이에 표면 산화처리를 적용한 단결정 산화막을 형성하는 것을 특징으로 하는 결정성 산화막의 저항변화를 이용한 비휘발성 기억소자
2 2
제 1항에 있어서, 상기 단결정 산화막은 니오브가 도핑된 티탄산스트론튬(Nb-doped SrTiO3)인 것을 특징으로 하는 결정성 산화막의 저항변화를 이용한 비휘발성 기억소자
3 3
제 1항에 있어서, 상기 단결정은 알루미늄이 도핑된 산화아연(Al-doped ZnO)인 것을 특징으로 하는 결정성 산화막의 저항변화를 이용한 비휘발성 기억소자
4 4
제 1항에 있어서, 상기 표면 산화처리 방법은 과산화수소(H2O2)와 황산(H2SO4)을 포함하는 용액에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 결정성 산화막의 저항변화를 이용한 비휘발성 기억소자
5 5
제 1항에 있어서, 상기 표면 산화처리 방법은 오존상에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 결정성 산화막의 저항변화를 이용한 비휘발성 기억소자
6 6
제 1항에 있어서, 상기 표면 산화처리 방법은 산소 플라즈마 처리를 이용하는 것을 특징으로 하는 결정성 산화막의 저항변화를 이용한 비휘발성 기억소자
7 7
제 1항에 있어서, 상기 표면 산화처리 방법은 아산화질소(N2O) 분위기에서 플라즈마 처리하는 것을 특징으로 하는 결정성 산화막의 저항변화를 이용한 비휘발성 기억소자
8 8
제 1항에 있어서, 상기 표면 산화처리 방법은 산화질소(NO)분위기에서 플라즈마 처리하는 것을 특징으로 하는 결정성 산화막의 저항변화를 이용한 비휘발성 기억소자
9 9
제 1항에 있어서, 상기 표면 산화처리 방법은 산소분위기에서 열처리하는 것을 특징으로 하는 결정성 산화막의 저항변화를 이용한 비휘발성 기억소자
10 10
제 1항에 있어서, 상기 표면 산화처리 방법은 아산화질소(N2O)분위기에서 열처리하는 것을 특징으로 하는 결정성 산화막의 저항변화를 이용한 비휘발성 기억소자
11 11
제 1항에 있어서, 상기 표면 산화처리 방법은 산화질소(NO)분위기에서 열처리하는 것을 특징으로 하는 결정성 산화막의 저항변화를 이용한 비휘발성 기억소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.