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개시제를 사용하는 화학 기상 증착(initiated Chemical Vapor Deposition; iCVD) 공정을 이용하여 패턴 상에 고분자(polymer)를 증착하여 갭필링(gap filling)을 통해 상기 패턴을 평탄화하는 단계를 포함하는 기상 증착공정을 이용한 갭필링 방법
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제1항에 있어서,가교가 가능한 공중합체 시스템(copolymer system)을 통해 상기 평탄화된 패턴을 후처리하여 평탄화층의 탄성계수(modulus)를 증가시키는 단계를 더 포함하는, 기상 증착공정을 이용한 갭필링 방법
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제1항에 있어서,상기 패턴을 평탄화하는 단계는상기 개시제를 사용하는 화학 기상 증착(initiated Chemical Vapor Deposition; iCVD) 공정을 통해 개시제(Initiator) 및 단량체(Monomer)를 이용하여 상기 패턴 상에 고분자를 증착하는, 기상 증착공정을 이용한 갭필링 방법
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제3항에 있어서,상기 패턴을 평탄화하는 단계는유리전이온도(Glass transition temperature)가 낮은 고분자를 상기 패턴 상에 증착한 후, 상기 패턴 사이로 고분자가 채워지는 갭필링(gap filling)을 통해 상기 패턴을 평탄화하는, 기상 증착공정을 이용한 갭필링 방법
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제1항에 있어서,상기 패턴을 평탄화하는 단계는20℃ 내지 40℃의 온도 환경에서 파티클(particle)이나 복합한 구조를 가진 상기 패턴 상에 고분자를 수 nm 내지 수십 μm까지 증착 가능한 것을 특징으로 하는, 기상 증착공정을 이용한 갭필링 방법
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제1항에 있어서,상기 패턴을 평탄화하는 단계는섀도 마스크(shadow mask)를 사용하여 상기 패턴을 부분적으로 평탄화하는 것을 특징으로 하는, 기상 증착공정을 이용한 갭필링 방법
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제2항에 있어서,상기 평탄화된 패턴을 후처리하여 평탄화층의 탄성계수(modulus)를 증가시키는 단계는글리시딜 아크릴레이트(Glycidyl acrylate), 글리시딜 메타크릴레이트(glycidyl methacrylate), 멘슈킨 반응 쌍(menshutkin reaction pair), 이소시아네이트(isocyanate), 및 하이드록시 그룹 쌍(hydroxyl group pair) 중 어느 하나의 가교용 단량체를 사용하여 상기 평탄화된 패턴을 후처리하는, 기상 증착공정을 이용한 갭필링 방법
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제4항에 있어서,상기 패턴을 평탄화하는 단계는유리전이온도가 낮은 고분자를 합성하기 위해, 아크릴산메틸(Methyl acrylate), 아크릴산에틸(ethyl acrylate), 클로로에틸 아크릴레이트(chloroethyl acrylate), 프로필 아크릴레이트(propyl acrylate), 아이소프로필 아크릴레이트(isopropyl acrylate), n-뷰틸 아크릴레이트(n-butyl acrylate), 이소-뷰틸 아크릴레이트(iso-butyl acrylate), 털트-뷰틸 아크릴레이트(tert-butyl acrylate), 헥실 아크릴레이트(hexyl acrylate), n-옥틸 아크릴레이트(n-octyl acrylate), 2-에칠헥실 아크릴레이트(2-ethylhexyl acrylate), 사이클로헥실 아크릴레이트(cyclohexyl acrylate), 3,3,5-트리메틸시클로헥실 아크릴레이트(3,3,5-trimethylcyclohexyl acrylate), n-노닐 아크릴레이트(n-nonyl acrylate), 이소-데실 아크릴레이트(iso-decyl acrylate), 이소-노닐 아크릴레이트(iso-nonyl acrylate), 로릴 아크릴레이트(dodecyl acrylate), 헥사데실 아크릴레이트(hexadecyl acrylate), 헵타데실 아크릴레이트(heptadecyl acrylate), 2-다이메틸아미노에틸 메타크릴레이트(2-(Dimethylamino) ethyl methacrylate), 테트라하이드로푸르푸릴 아크릴레이트(tetrahydrofurfuryl acrylate), 메톡시에틸 아크릴레이트(methoxyehtyl acrylate), 2-에톡시에틸 아크릴레이트(2-ethoxyethyl acrylate), 에톡시(디에틸렌글리콜) 아크릴레이트(ethoxy(diethylene glycol) acrylate), 시아노메틸도데실 아크릴레이트(cyanomethyl acrylate), 2-시아노에틸 아크릴레이트(2-cyanoethyl acrylate), 4-시아노부틸 아크릴레이트(4-cyanobutyl acrylate), 하이드록시에틸 아크릴레이트(hydroxyethyl acrylate), 3-하이드록시프로필 아크릴레이트(3-hydroxypropyl acrylate), 2-하이드록시프로필 아크릴레이트(2-hydroxypropyl acrylate), 4-하이드록시부틸 아크릴레이트(4-hydroxybutyl acrylate), 2,2,2-트리플루오로에틸 아크릴레이트(2,2,2-trifluoroethyl acrylate), 2,2,3,3-테트라플루오로프로필 아크릴레이트(2,2,3,3-tetrafluoropropyl acrylate), 벤질 아크릴레이트(benzyl acrylate), 벤질 2-에틸아크릴레이트(benzyl 2-ethylacrylate), 2-페녹시에틸 아크릴레이트(2-phenoxyethyl acrylate), 부틸 메타크릴레이트(butyl methacrylate), 헥실 메타크릴레이트(hexyl methacrylate), 2-에틸헥실 메타크릴레이트(2-ethylhexyl methacrylate), 펜틸 메타크릴레이트(pentyl methacrylate), 옥틸 메타크릴레이트(octyl methacrylate), 디메틸아미노에틸 메타크릴레이트(Dimethylaminoethyl methacrylate), 디에틸아미노에틸 메타크릴레이트(diethylaminoethyl methacrylate), 이소데실 메타크릴레이트(isodecyl methacrylate), 데실 메타크릴레이트(decyl methacrylate), 도데실 메타크릴레이트(dodecyl methacrylate), 테트라데실 메타크릴레이트(tetradecyl methacrylate), 헥사데실 메타크릴레이트(hexadecyl methacrylate) 및 옥타데실 메타크릴레이트(octadecyl methacrylate) 중 어느 하나의 단량체를 사용하여 공중합체를 합성하는, 기상 증착공정을 이용한 갭필링 방법
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개시제를 사용하는 화학 기상 증착(initiated Chemical Vapor Deposition; iCVD) 공정을 이용하여 패턴 상에 고분자(polymer)를 증착하여 갭필링(gap filling)을 통해 상기 패턴을 평탄화하는 처리부를 포함하는 기상 증착공정을 이용한 갭필링 장치
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제9항에 있어서,가교가 가능한 공중합체 시스템(copolymer system)을 통해 상기 평탄화된 패턴을 후처리하여 평탄화층의 탄성계수(modulus)를 증가시키는 후처리부를 더 포함하는, 기상 증착공정을 이용한 갭필링 장치
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제9항에 있어서,상기 처리부는상기 개시제를 사용하는 화학 기상 증착(initiated Chemical Vapor Deposition; iCVD) 공정을 통해 개시제(Initiator) 및 단량체(Monomer)를 이용하여 상기 패턴 상에 고분자를 증착하는, 기상 증착공정을 이용한 갭필링 장치
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제11항에 있어서,상기 처리부는유리전이온도(Glass transition temperature)가 낮은 고분자를 상기 패턴 상에 증착한 후, 상기 패턴 사이로 고분자가 채워지는 갭필링(gap filling)을 통해 상기 패턴을 평탄화하는, 기상 증착공정을 이용한 갭필링 장치
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제9항에 있어서,상기 처리부는20℃ 내지 40℃의 온도 환경에서 파티클(particle)이나 복합한 구조를 가진 상기 패턴 상에 고분자를 수 nm 내지 수십 μm까지 증착 가능한 것을 특징으로 하는, 기상 증착공정을 이용한 갭필링 장치
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제9항에 있어서,상기 처리부는섀도 마스크(shadow mask)를 사용하여 상기 패턴을 부분적으로 평탄화하는 것을 특징으로 하는, 기상 증착공정을 이용한 갭필링 장치
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