요약 | 강유전체를 이용한 광센서로, 기판; 싱기 기판 상에 적층된 제1형 반도체; 및 상기 제1형 반도체와 접촉하여 이종접합 구조를 형성하는 제2형 반도체를 포함하며, 상기 제1형 또는 제2형 반도체 중 적어도 어느 하나는 강유전체인 것을 특징으로하는 강유전체를 이용한 광센서가 제공된다. |
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Int. CL | H01L 31/109 (2006.01.01) H01L 31/18 (2006.01.01) |
CPC | H01L 31/109(2013.01) H01L 31/18(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020200142477 (2020.10.29) |
출원인 | 한국과학기술원 |
등록번호/일자 | |
공개번호/일자 | 10-2022-0057331 (2022.05.09) 문서열기 |
공고번호/일자 | |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 공개 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 국내출원/신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2020.10.29) |
심사청구항수 | 9 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 한국과학기술원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 최성율 | 대전광역시 유성구 | |
2 | 진혁준 | 대전광역시 유성구 | |
3 | 이강준 | 대전광역시 유성구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 특허법인 다해 | 대한민국 | 서울시 서초구 서운로**, ***호(서초동, 중앙로얄오피스텔) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
최종권리자 정보가 없습니다 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2020.10.29 | 수리 (Accepted) | 1-1-2020-1155129-88 |
2 | [출원서 등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment |
2021.11.15 | 수리 (Accepted) | 1-1-2021-1311191-59 |
3 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2022.02.16 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
번호 | 청구항 |
---|---|
1 |
1 강유전체를 이용한 광센서로, 기판; 싱기 기판 상에 적층된 제1형 반도체; 및 상기 제1형 반도체와 접촉하여 이종접합 구조를 형성하는 제2형 반도체를 포함하며, 상기 제1형 또는 제2형 반도체 중 적어도 어느 하나는 강유전체인 것을 특징으로하는 강유전체를 이용한 광센서 |
2 |
2 제1항에 있어서, 상기 제1형 반도체와 상기 제2형 반도체는 수직 증착되며, 상기 제1형 반도체와 제2형 반도체는 이차원 반도체 물질인 것을 특징으로 하는 강유전체를 이용한 광센서 |
3 |
3 제1항에 있어서, 상기 제1형은 p형이고 제2형은 n형 이며, 상기 제2형 반도체는 강유전체 특성을 갖는 것을 특징으로 하는 강유전체를 이용한 광센서 |
4 |
4 제1항에 있어서, 상기 강유전체를 이용한 광센서는, 상기 제1형 반도체와 전기적 연통하는 제1 전극과, 상기 제2 형 반도체와 전기적 연통하는 제2 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 강유전체를 이용한 광센서 |
5 |
5 제3항에 있어서, 상기 p-형 이차원 반도체 물질로 3LWSe2 또는 WSe2 보다 적은 밴드갭을 갖는 이차원 물질이며, 상기 n형 이차원 강유전체 반도체 물질로는 α-In2Se3인 것을 특징으로 하는 강유전체를 이용한 광센서 |
6 |
6 제 1항에 있어서, 상기 광선서에 대한 바이어스 인가 방향에 따라 상기 광센서의 광반응도는 달라지며, 이것은 강유전체가 아닌 반도체에서의 캐리어 분극 방향에 따라 결정되는 것을 특징으로 하는 강유전체를 이용한 광센서 |
7 |
7 기판상에 제1형 반도체를 적층하는 단계; 상기 제1형 반도체 상에 상기 제1형 반도체와 접촉하여 이종접합 구조를 형성하는 제2형 반도체를 적층하는 단계; 상기 제1형 반도체의 양 측면에 상기 제1형 반도체와 전기적으로 연통하는 제1 전극을 패터닝하는 단계; 및 상기 제2형 반도체 상에 접촉하는 제2 전극을 패터닝하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 강유전체를 이용한 광센서 제조방법 |
8 |
8 제7항에 있어서, 상기 제1형 반도체와 상기 제2형 반도체는 수직 증착되며, 상기 제1형 반도체와 제2형 반도체는 이차원 반도체 물질인 것을 특징으로 하는 강유전체를 이용한 강유전체를 이용한 광센서 제조방법 |
9 |
9 제 8항에 있어서, 상기 제1형은 p형이고 제2형은 n형 이며, 상기 제2형 반도체는 강유전체 특성을 갖는 것을 특징으로 하는 강유전체를 이용한 광센서 제조방법 |
지정국 정보가 없습니다 |
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패밀리정보가 없습니다 |
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순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
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1 | 과학기술정보통신부 | 한국과학기술원 | 개인기초연구(과기정통부)(R&D) | 이차원 소재의 플라즈몬 공명 및 밴드갭 제어를 통한 고감도, 초고속, 광대역 광센싱 원천기술 연구 |
2 | 과학기술정보통신부 | 한국과학기술원 | 미래소재디스커버리지원(R&D) | 레이저-소재 상호작용 기반 디스플레이 핵심소재 개발 |
등록사항 정보가 없습니다 |
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번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
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1 | [특허출원]특허출원서 | 2020.10.29 | 수리 (Accepted) | 1-1-2020-1155129-88 |
2 | [출원서 등 보정]보정서 | 2021.11.15 | 수리 (Accepted) | 1-1-2021-1311191-59 |
3 | 선행기술조사의뢰서 | 2022.02.16 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
기술정보가 없습니다 |
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과제고유번호 | 1345330076 |
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세부과제번호 | 4120200113769 |
연구과제명 | 산업·사회 혁신을 위한 초연결지능 교육연구단 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 교육부 |
연구관리전문기관명 | 한국과학기술원 |
연구주관기관명 | 한국연구재단 |
성과제출연도 | 2020 |
연구기간 | 202009~202708 |
기여율 | 0 |
연구개발단계명 | 기타 |
6T분류명 | 위의 미래유망신기술(6T) 103개 세분류에 속하지 않는 기타 연구 |
과제고유번호 | 1711087823 |
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세부과제번호 | 2019R1A2C2009171 |
연구과제명 | 이차원 소재의 플라즈몬 공명 및 밴드갭 제어를 통한 고감도, 초고속, 광대역 광센싱 원천기술 연구 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 과학기술정보통신부 |
연구관리전문기관명 | 한국과학기술원 |
연구주관기관명 | 한국연구재단 |
성과제출연도 | 2019 |
연구기간 | 201903~202202 |
기여율 | 0.33333334 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
과제고유번호 | 1711103699 |
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세부과제번호 | 2016M3D1A1900035 |
연구과제명 | 레이저-소재 상호작용 기반 디스플레이 핵심소재 개발 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 과학기술정보통신부 |
연구관리전문기관명 | 한국과학기술원 |
연구주관기관명 | 한국연구재단 |
성과제출연도 | 2020 |
연구기간 | 201605~202204 |
기여율 | 0.33333334 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | IT(정보기술) |
과제고유번호 | 1711113155 |
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세부과제번호 | 2019R1A2C2009171 |
연구과제명 | 이차원 소재의 플라즈몬 공명 및 밴드갭 제어를 통한 고감도, 초고속, 광대역 광센싱 원천기술 연구 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 과학기술정보통신부 |
연구관리전문기관명 | 한국과학기술원 |
연구주관기관명 | 한국연구재단 |
성과제출연도 | 2020 |
연구기간 | 201903~202202 |
기여율 | 0.33333334 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
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