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비정질 실리콘의 재결정화 방법 및 이를 이용한 반도체 소자의 게이트 형성방법

  • 기술번호 : KST2023003502
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 비정질 실리콘의 재결정화 과정 중 일어날 수 있는 어블레이션을 효과적으로 억제시킴과 동시에 면저항 특성을 향상시킬 수 있는 비정질 실리콘의 재결정화 방법에 관한 것으로, a) 기재 상에 비정질 실리콘 박막을 형성하는 단계; b) 상기 비정질 실리콘 박막을 전-열처리(pre-annealing)하는 단계; 및 c) 그린 레이저를 이용하여 순차적으로 제1어닐링 및 제2어닐링하는 단계;를 포함하되, 상기 a) 내지 c) 단계의 공정이 450 ℃ 미만의 저온에서 수행되는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 21/02 (2006.01.01) C23C 16/24 (2006.01.01) C23C 16/50 (2006.01.01) C23C 16/56 (2006.01.01) B23K 26/354 (2014.01.01)
CPC H01L 21/02675(2013.01) H01L 21/02532(2013.01) H01L 21/02592(2013.01) H01L 21/0262(2013.01) C23C 16/24(2013.01) C23C 16/50(2013.01) C23C 16/56(2013.01) B23K 26/354(2013.01)
출원번호/일자 1020220157956 (2022.11.23)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2023-0076109 (2023.05.31) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020210162489   |   2021.11.23
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2022.11.23)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조병진 대전광역시 유성구
2 박영근 대전광역시 유성구
3 정재중 대전광역시 유성구
4 노세민 대전광역시 유성구
5 백용구 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 플러스 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2022.11.23 수리 (Accepted) 1-1-2022-1250746-69
2 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
 2023.01.31 수리 (Accepted) 4-1-2023-5023571-05
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2023.03.21 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
 2023.05.04 수리 (Accepted) 4-1-2023-5110236-33
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
비정질 실리콘의 재결정화 방법에 있어서,a) 기재 상에 비정질 실리콘 박막을 형성단계;b) 상기 비정질 실리콘 박막을 전-열처리(pre-annealing)하는 단계; 및 c) 그린 레이저를 이용하여 순차적으로 제1어닐링 및 제2어닐링하는 단계;를 포함하되, 상기 a) 내지 c) 단계의 공정이 450 ℃ 미만의 저온에서 수행되는 재결정화 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 c) 단계의 제2어닐링을 통해 상기 비정질 실리콘 박막이 다결정 실리콘 박막으로 재결정화되는 것인, 재결정화 방법
3 3
제1항에 있어서,상기 제2어닐링에 이용되는 그린 레이저의 에너지 밀도는 100 내지 350 mJ/cm2인 재결정화 방법
4 4
제1항에 있어서,상기 c) 단계에서 제1어닐링 및 제2어닐링 단계에서 이용되는 그린 레이저의 에너지 밀도 차이는 50 내지 300 mJ/cm2인 재결정화 방법
5 5
제1항에 있어서,상기 c) 단계에서 제1어닐링은 에너지 밀도가 80 mJ/cm2이하인 그린 레이저를 이용하여 수행되는 재결정화 방법
6 6
제1항에 있어서,상기 전-열처리는 비활성 분위기 하 350 내지 430 ℃의 온도에서 수행되는 재결정화 방법
7 7
제1항에 있어서,상기 b) 단계의 전-열처리 및 c) 단계의 제1어닐링 공정에 의해 상기 a) 단계에서 형성된 비정질 실리콘 박막에 포함된 수소가 제거되는 것인, 재결정화 방법
8 8
제7항에 있어서,상기 수소 제거 후, 비정질 실리콘 박막에 포함되는 수소 농도는 상기 a) 단계에서 형성된 비정질 실리콘 박막에 포함된 수소의 초기 농도 대비 적어도 30배 이상 감소하는 재결정화 방법
9 9
제1항에 있어서,상기 a) 단계의 비정질 실리콘 박막은 플라즈마 화학기상증착(PECVD) 방법을 통해 증착된 것인, 재결정화 방법
10 10
제2항에 있어서,상기 재결정화된 다결정 실리콘 박막의 면저항은 50 내지 200 Ω/sqr인 재결정화 방법
11 11
제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 따른 재결정화 방법을 이용한 반도체 소자의 게이트 형성방법
12 12
제11항에 있어서,상기 반도체 소자는 모놀리식 3차원 소자의 상부소자인 게이트 형성방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 한국과학기술원 원천기술개발사업 (N01210023)(통합EZ)Si전사 기반의 M3D 소자 집적 공정과 아키텍쳐 개발 및 검증(2021년)(2021년도)