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기판을 준비하는 단계; 상기 기판 상에, 제1 전구체 및 제1 반응물질을 제공하여 상기 제1 전구체와 상기 제1 반응물질이 반응되어 형성된 시드층을 형성하는 단계; 상기 시드층 상에, 티타늄을 포함하는 제2 전구체 및 제2 반응물질을 제공하여 상기 제2 전구체와 상기 제2 반응물질이 반응되어 형성된 이산화 티타늄 박막을 형성하는 단계; 및 상기 이산화 티타늄 박막을 열처리하는 단계를 포함하는 이산화 티타늄 박막의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 이산화 티타늄 박막은, 루타일(rutile) 결정구조를 갖는 것을 포함하는 이산화 티타늄 박막의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 이산화 티타늄 박막을 열처리하는 단계는, 대기(air) 분위기 및 400℃ 이하의 온도에서 수행되는 것을 포함하는 이산화 티타늄 박막의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 시드층을 형성하는 단계는, 상기 기판 상에 상기 제1 전구체를 제공하는 단계; 상기 제1 전구체가 제공된 상기 기판을 1차 퍼지(purge)하는 단계; 1차 퍼지된 상기 기판 상에 상기 제1 반응물질을 제공하는 단계; 및 상기 제1 반응물질이 제공된 상기 기판을 2차 퍼치(purge)하는 단계를 포함하는 이산화 티타늄 박막의 제조 방법
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제4 항에 있어서, 상기 제1 전구체를 제공하는 단계, 상기 기판을 1차 퍼지하는 단계, 상기 제1 반응물질을 제공하는 단계, 및 상기 기판을 2차 퍼지하는 단계는 제1 유닛 공정으로 정의되고, 상기 제1 유닛 공정은 복수회 반복되는 것을 포함하는 이산화 티타늄 박막의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 이산화 티타늄 박막을 형성하는 단계는, 상기 시드층 상에 상기 제2 전구체를 제공하는 단계; 상기 제2 전구체가 제공된 상기 기판을 1차 퍼지(purge)하는 단계; 1차 퍼지된 상기 기판 상에 상기 제2 반응물질을 제공하는 단계; 및 상기 제2 반응물질이 제공된 상기 기판을 2차 퍼치(purge)하는 단계를 포함하는 이산화 티타늄 박막의 제조 방법
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제6 항에 있어서, 상기 제2 전구체를 제공하는 단계, 상기 기판을 1차 퍼지하는 단계, 상기 제2 반응물질을 제공하는 단계, 및 상기 기판을 2차 퍼지하는 단계는 제2 유닛 공정으로 정의되고, 상기 제2 유닛 공정은 복수회 반복되는 것을 포함하는 이산화 티타늄 박막의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 제1 전구체는 TDMASn을 포함하고, 상기 제2 전구체는 MAP-Ti를 포함하는 이산화 티타늄 박막의 제조 방법
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기판을 준비하는 단계; 상기 기판 상에, 제1 전구체 및 제1 반응물질을 제공하여 상기 제1 전구체와 상기 제1 반응물질이 반응되어 형성된 시드층을 형성하는 단계; 상기 시드층을 열처리하는 단계; 및열처리된 상기 시드층 상에 티타늄을 포함하는 제2 전구체 및 제2 반응물질을 제공하여 상기 제2 전구체와 상기 제2 반응물질이 반응되어 형성된 이산화 티타늄 박막을 형성하는 단계를 포함하는 이산화 티타늄 박막의 제조 방법
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제9 항에 있어서, 상기 시드층을 열처리하는 단계는, 대기(air) 분위기 및 400℃ 이하의 온도에서 수행되는 것을 포함하는 이산화 티타늄 박막의 제조 방법
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제9 항에 있어서, 상기 이산화 티타늄 박막을 형성하는 단계 이후, 상기 이산화 티타늄 박막을 열처리하는 단계를 더 포함하되, 상기 이산화 티타늄 박막을 열처리하는 단계는, 대기(air) 분위기 및 400℃ 이하의 온도에서 수행되는 것을 포함하는 이산화 티타늄 박막의 제조 방법
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제9 항에 있어서,상기 이산화 티타늄 박막은, 루타일(rutile) 결정구조를 갖는 것을 포함하는 이산화 티타늄 박막의 제조 방법
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