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금속 재질의 하부 전극층;
상기 하부 전극층 상면에 물리적 증착을 통하여 형성되며 전도도를 높이는 도펀트를 함유하는 SiGe 재질의 발열층;
상기 발열층 상면에 형성된 상변화 영역; 및
상기 상변화층 상면에 형성된 상부 전극
을 포함하는 상변화 소자
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2
제1항에 있어서, 상기 하부 전극층은,
Al, Cu, W, Ti를 포함하는 군에서 선택된 적어도 하나의 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 상변화 소자
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3
제1항에 있어서, 상기 도펀트는,
B, Ga, P, Sb을 포함하는 군에서 선택된 적어도 하나 이상의 물질인 것을 특징으로 하는 상변화 소자
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4
제1항에 있어서,
상기 상변화 소자의 프레임 역할을 하는 반도체 기판; 및
상기 반도체 기판과 상기 하부 전극층 사이에 위치하는 절연층
을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 상변화 소자
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5
제1항에 있어서, 상기 상변화 영역은,
칼코겐 화합물 또는 GeSb 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 상변화 소자
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6
제1항에 있어서,
상기 발열층 아래에, MOS 트랜지스터 구조가 위치하며,
상기 하부 전극층은 상기 MOS 트랜지스터의 소스 또는 드레인 전극인 것을 특징으로 하는 상변화 소자
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7
반도체 기판에 하부 전극층을 형성하는 단계;
상기 하부전극층 상부에 물리적 증착을 통하여 전도도를 높이는 도펀트를 함유하는 SiGe 재질의 발열층을 형성하는 단계;
상기 하부전극 상부에 상변화 영역을 형성하는 단계; 및
상기 상변화 영역 상부에 상부 전극을 형성하는 단계
를 포함하는 상변화 소자의 제조 방법
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8
제7항에 있어서, 상기 도펀트는,
B, Ga, P, Sb을 포함하는 군에서 선택된 적어도 하나 이상의 물질인 것을 특징으로 하는 상변화 소자의 제조 방법
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9
제7항에 있어서, 상기 상변화 영역은,
칼코겐 화합물 또는 GeSb 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 상변화 소자의 제조 방법
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10
제7항에 있어서, 상기 발열층을 형성하는 단계는,
Si 및 Ge 소스 물질로부터 발생한 Si 및 Ge 원자 또는 이온을 상기 하부 전극층 상부에 물리적으로 접착시키는 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 상변화 소자의 제조 방법
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11
제7항에 있어서, 상기 발열층을 형성하는 단계는,
상온 이상 500℃ 이하의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 상변화 소자의 제조 방법
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제7항에 있어서, 상기 하부 전극층을 형성하는 단계는,
Al, Cu, W, Ti를 포함하는 군에서 선택된 적어도 하나의 전도성 물질로 상기 하부 전극층을 형성하는 것을 특징으로 하는 상변화 소자의 제조 방법
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