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비휘발성 기억 장치 및 그 읽기 방법

  • 기술번호 : KST2015140968
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 비휘발성 기억 장치 및 그 비휘발성 기억 장치의 읽기 방법을 제공한다. 이 기억 장치는 저항 소자와 저항소자의 일단에 연결되는 선택소자를 포함하는 메모리 셀, 메모리 셀의 일단에 연결되고 행 방향으로 진행하는 상부 비트라인, 메모리 셀의 타단에 연결되고 행 방향으로 진행하는 하부 비트라인, 및 선택소자에 연결되고 열 방향으로 진행하는 워드라인을 포함하되, 저항소자의 저항 상태는 하부 비트라인의 전기적 특성에 따라 감지되고, 메모리 셀들은 행들과 열들로 배열되어 메모리 셀 에레이를 이룬다.저항 메모리, 폴리머 메모리, 셀 어레이
Int. CL H01L 27/115 (2017.01.01) H01L 21/8247 (2006.01.01)
CPC G11C 16/3404(2013.01) G11C 16/3404(2013.01)
출원번호/일자 1020070125918 (2007.12.06)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0858688-0000 (2008.09.09)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20080916) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020080068022;
심사청구여부/일자 Y (2007.12.06)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이상선 대한민국 서울 강동구
2 김정하 대한민국 서울 성동구
3 최승혁 대한민국 전남 여수시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려)
2 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.12.06 수리 (Accepted) 1-1-2007-0877539-66
2 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2008.01.22 수리 (Accepted) 1-1-2008-0051699-46
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.02.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0062281-70
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5037763-28
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.03.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0183910-04
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.03.13 수리 (Accepted) 1-1-2008-0183889-21
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.05.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0248722-10
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.06.18 수리 (Accepted) 1-1-2008-0435324-47
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.06.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0435323-02
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2008.07.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0354433-39
11 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2008.07.14 수리 (Accepted) 1-1-2008-0503491-82
12 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2008.07.14 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2008-0030615-81
13 등록결정서
Decision to grant		 2008.09.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0462569-95
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
저항 소자와 상기 저항소자의 일단에 연결되는 선택소자를 포함하는 메모리 셀;상기 메모리 셀의 일단에 연결되고 행 방향으로 진행하는 상부 비트라인;상기 메모리 셀의 타단에 연결되고 행 방향으로 진행하는 하부 비트라인;상기 선택소자에 연결되고 열 방향으로 진행하는 워드라인; 및상기 하부 비트라인에 연결된 센스 앰프를 포함하되,상기 저항소자의 저항 상태는 상기 하부 비트라인의 전기적 특성에 따라 감지되고, 메모리 셀들은 행들과 열들로 배열되어 메모리 셀 에레이를 이루는 것을 특징으로 하는 비휘발성 기억 장치
2 2
제1 항에 있어서,상기 하부 비트라인의 전기적 특성은 전류 또는 전압인 것을 특징으로 하는 비휘발성 기억 장치
3 3
제1 항에 있어서,상기 상부 비트라인에 상기 저항소자의 타단이 연결되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 기억 장치
4 4
제1 항에 있어서,상기 센스 앰프는 상기 상부 비트라인, 상기 셀, 상기 하부 비트라인을 통하여 흐르는 전류를 감지하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 기억 장치
5 5
제1 항에 있어서,상시 센스앰프는 상기 하부 비트라인 마다 구비되는 것을 특징으로 비휘발성 기억 장치
6 6
제5 항에 있어서,상기 센스앰프는 버퍼를 더 포함하되,상기 버퍼는 상기 센스앰프에 의해 감지된 데이터들을 일시적으로 저장하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 기억 장치
7 7
제1 항에 있어서,상기 메모리 셀 에레이는 복수의 상기 하부 비트라인들을 포함하고,상기 센스앰프는 복수의 상기 하부 비트라인들이 연결되어 접속되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 기억 장치
8 8
제1 항에 있어서,상기 메모리 셀은 폴리머 셀, 자기저항 메모리 셀, 상전이 메모리 셀 중에서 어느 하나인 것을 특징으로 하는 비휘발성 기억 장치
9 9
선택소자와 상기 선택소자의 일단에 연결되는 저항소자를 포함하는 메모리 셀;상기 메모리 셀의 일단에 접속되고 행 방향으로 진행하는 상부 비트라인;상기 메모리 셀의 타단에 접속되고 행 방향으로 진행하는 하부 비트라인; 상기 선택소자에 접속되고 열 방향으로 진행하는 워드라인; 및상기 하부 비트라인에 연결된 센스 앰프를 포함하되,상기 저항소자의 저항 상태는 상기 하부 비트라인의 전기적 특성에 따라 감지되고, 메모리 셀들은 행들과 열들로 배열되어 메모리 셀 에레이를 이루는 비휘발성 기억 장치의 읽기방법에 있어서,선택된 메모리 셀의 선택소자에 연결된 워드라인에 제1 전압을 인가하는 단계;선택된 메모리 셀에 연결된 상부 비트라인에 제2 전압을 인가하는 단계; 및상기 저항 소자를 통하여 흐르는 전류를 상기 센스 앰프에 의하여 감지하는 단계를 포함하는 비휘발성 기억 장치의 읽기 방법
10 10
제 9 항에 있어서,상기 저항 소자를 통하여 흐르는 전류를 상기 센스 앰프에 의하여 감지하는 단계는상기 센스앰프가 상기 상부 비트라인, 상기 메모리 셀, 상기 하부 비트라인을 통하여 흐르는 전류를 감지하는 것에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 기억 장치의 읽기 방법
11 11
제 9 항에 있어서,상기 메모리 셀은 폴리머 메모리 셀인 것을 특징으로 하는 비휘발성 기억 장치의 읽기 방법
12 12
선택소자와 상기 선택소자의 일단에 연결되는 저항소자를 포함하는 메모리 셀;상기 메모리 셀의 일단에 접속되고 행 방향으로 진행하는 상부 비트라인;상기 메모리 셀의 타단에 접속되고 행 방향으로 진행하는 하부 비트라인; 상기 선택소자에 접속되고 열 방향으로 진행하는 워드라인; 및상기 하부 비트라인에 연결된 센스 앰프를 포함하되,상기 저항소자의 저항 상태는 상기 하부 비트라인의 전기적 특성에 따라 감지되고, 메모리 셀들은 행들과 열들로 배열되어 메모리 셀 에레이를 이루는 비휘발성 기억 장치의 읽기방법에 있어서,워드라인에 제1 전압을 인가하여 상기 워드라인에 연결된 선택소자들을 포함하는 메모리 셀들을 선택하는 단계;선택된 메모리 셀들에 연결된 상부 비트라인들에 제2 전압을 인가하는 단계; 및상기 메모리 셀들의 상기 저항 소자를 통하여 흐르는 전류를 상기 센스 앰프에 의하여 감지하는 단계를 포함하는 비휘발성 기억 장치의 읽기 방법
13 13
제 12 항에 있어서,상기 메모리 셀들의 상기 저항 소자를 통하여 흐르는 전류를 상기 센스 앰프에 의하여 감지하는 단계는상기 하부 비트라인들 마다 연결된 상기 센스앰프가 상기 상부 비트라인, 상기 메모리 셀, 상기 하부 비트라인을 통하여 흐르는 전류를 감지하는 것에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 기억 장치의 읽기 방법
지정국 정보가 없습니다
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1 KR1020090060120 KR 대한민국 FAMILY

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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업자원부 한양대학교 차세대 비휘발성 메모리 개발사업 64Gb급 PoRAM용 신재료,소자,공정,설계원천기술연구