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캘리브래이션 회로, 온 다이 터미네이션 장치 및 반도체 메모리 장치

  • 기술번호 : KST2015141063
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  • 전화번호 :
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 터미네이션 저항 회로, 온 다이 터미네이션 장치 및 반도체 메모리 장치에 관한 것으로서, 캘리브래이션 노드에 접속되며 캘리브래이션 제어전압에 응답하여 저항값을 점진적으로 조절하는 캘리브래이션 저항수단; 및 기준전압과 상기 캘리브래이션 노드 전압의 레벨차가 반영된 상기 캘리브래이션 제어전압을 생성하는 비교수단을 포함함. 본 발명에 따르면, 양자화 에러를 제거함으로써 보다 정확하게 임피던스 부정합을 제거함. 캘리브래이션, 양자화 에러, 샘플앤홀드
Int. CL G11C 7/10 (2015.01.01) G11C 7/22 (2015.01.01) G11C 5/14 (2006.01.01) H03K 19/00 (2006.01.01)
CPC G11C 7/1048(2013.01) G11C 7/1048(2013.01) G11C 7/1048(2013.01) G11C 7/1048(2013.01) G11C 7/1048(2013.01)
출원번호/일자 1020080067200 (2008.07.10)
출원인 에스케이하이닉스 주식회사, 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0976414-0000 (2010.08.11)
공개번호/일자 10-2010-0006887 (2010.01.22) 문서열기
공고번호/일자 (20100817) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.07.10)
심사청구항수 24

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 에스케이하이닉스 주식회사 대한민국 경기도 이천시
2 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정종호 대한민국 서울특별시 송파구
2 이재진 대한민국 경기도 이천시
3 곽계달 대한민국 서울특별시 성동구
4 박경수 대한민국 서울특별시 성동구
5 최재웅 대한민국 서울특별시 성동구
6 채명준 대한민국 서울특별시 성동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 에스케이하이닉스 주식회사 대한민국 경기도 이천시
2 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.07.10 수리 (Accepted) 1-1-2008-0498497-36
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2009.01.22 수리 (Accepted) 1-1-2009-0042477-41
3 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2009.02.09 수리 (Accepted) 1-1-2009-0077581-01
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2009.03.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2009.04.16 수리 (Accepted) 9-1-2009-0025215-17
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.07.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0314361-58
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2009.08.17 수리 (Accepted) 1-1-2009-0501402-27
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2009.08.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0501400-36
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.01.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0030459-64
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.03.25 수리 (Accepted) 1-1-2010-0189778-50
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.03.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0189776-69
12 등록결정서
Decision to grant
2010.07.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0313599-52
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.04.06 수리 (Accepted) 4-1-2012-5073964-60
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2012-5270171-92
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2015-5055330-26
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
캘리브래이션 노드에 접속되며 캘리브래이션 제어전압에 응답하여 저항값을 점진적으로 조절하는 캘리브래이션 저항수단; 및 기준전압과 상기 캘리브래이션 노드 전압의 레벨차가 반영된 상기 캘리브래이션 제어전압을 생성하는 비교수단 을 포함하는 캘리브래이션 회로
2 2
제1항에 있어서, 캘리브래이션 과정중에 토글하는 샘플링 신호에 응답하여 상기 캘리브래이션 제어전압을 샘플앤홀드하는 샘플앤홀드수단 을 더 포함하는 캘리브래이션 회로
3 3
제2항에 있어서, 상기 샘플앤홀드수단은 상기 샘플링 신호에 응답하여 상기 캘리브래이션 제어전압의 전달을 제어하는 제어부; 및 상기 제어부의 제어에 의해 상기 캘리브래이션 전압이 입력되는 동안에는 상기 캘리브래이션 제어전압을 저장하며, 상기 제어부의 제어에 의해 상기 캘리브래이션 전압이 입력되지 않는 동안에는 저장된 상기 캘리브래이션 제어전압을 유지하는 전압유지부 를 포함하는 캘리브래이션 회로
4 4
제3항에 있어서, 상기 샘플앤홀드수단은 상기 비교수단에 의해 생성된 상기 캘리브래이션 제어전압을 상기 제어부로 전달하는 제1전압전달부; 및 상기 전압유지부에 의해 유지되는 상기 캘리브래이션 제어전압을 터미네이션 저항수단으로 전달하는 제2전압전달부 를 더 포함하는 캘리브래이션 회로
5 5
제2항에 있어서, 상기 샘플링 신호를 생성하는 샘플링 신호 생성수단 을 더 포함하는 캘리브래이션 회로
6 6
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 캘리브래이션 회로는 풀업 캘리브래이션 회로이며, 상기 캘리브래이션 노드는 외부 저항에 접속되는 캘리브래이션 회로
7 7
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 캘리브래이션 회로는 풀다운 캘리브래이션 회로이며, 상기 캘리브래이션 노드는 더미 캘리브래이션 저항 회로에 접속되는 캘리브래이션 회로
8 8
제1항에 있어서, 상기 캘리브래이션 저항수단은 상기 캘리브래이션 제어전압에 응답하여 점진적으로 턴온 또는 턴오프되는 트랜지스터를 포함하는 캘리브래이션 회로
9 9
터미네이션 저항값을 결정하기 위해, 기준전압과 캘리브래이션 노드 전압의 레벨차가 반영된 캘리브래이션 제어전압을 생성하는 캘리브래이션 회로수단; 캘리브래이션 과정중에 토글하는 샘플링 신호에 응답하여 상기 생성된 캘리브래이션 제어전압을 샘플앤홀드하는 샘플앤홀드수단; 및 상기 샘플앤홀드수단으로부터 출력되는 전압에 응답하여 상기 터미네이션 저항값을 조절하는 터미네이션 저항수단 을 포함하는 온 다이 터미네이션 장치
10 10
제9항에 있어서, 상기 캘리브래이션 회로수단은 캘리브래이션 노드에 접속되며 상기 캘리브래이션 제어전압에 응답하여 저항값을 점진적으로 조절하는 캘리브래이션 저항부; 및 기준전압과 상기 캘리브래이션 노드 전압의 레벨차가 반영된 상기 캘리브래이션 제어전압을 생성하는 비교부 를 포함하는 온 다이 터미네이션 장치
11 11
제10항에 있어서, 상기 캘리브래이션 회로수단은 풀업 캘리브래이션 회로수단이며, 상기 캘리브래이션 노드는 외부 저항에 접속되는 온 다이 터미네이션 장치
12 12
제10항에 있어서, 상기 캘리브래이션 회로수단은 풀다운 캘리브래이션 회로수단이며, 상기 캘리브래이션 노드는 더미 캘리브래이션 저항수단에 접속되는 온 다이 터미네이션 장치
13 13
제10항에 있어서, 상기 캘리브래이션 저항부는 상기 캘리브래이션 제어전압에 응답하여 점진적으로 턴온 또는 턴오프되는 트랜지스터를 포함하는 온 다이 터미네이션 장치
14 14
제9항에 있어서, 상기 샘플앤홀드수단은 상기 샘플링 신호에 응답하여 상기 캘리브래이션 제어전압의 전달을 제어하는 제어부; 및 상기 제어부의 제어에 의해 상기 캘리브래이션 전압이 입력되는 동안에는 상기 캘리브래이션 제어전압을 저장하며, 상기 제어부의 제어에 의해 상기 캘리브래이션 전압이 입력되지 않는 동안에는 저장된 상기 캘리브래이션 제어전압을 유지하는 전압유지부 를 포함하는 온 다이 터미네이션 장치
15 15
제14항에 있어서, 상기 샘플앤홀드수단은 상기 캘리브래이션 회로수단에 의해 생성된 상기 캘리브래이션 제어전압을 상기 제어부로 전달하는 제1전압전달부; 및 상기 전압유지부에 의해 유지되는 상기 캘리브래이션 제어전압을 상기 터미네이션 저항수단으로 전달하는 제2전압전달부 를 더 포함하는 온 다이 터미네이션 장치
16 16
제9항에 있어서, 상기 터미네이션 저항수단은 상기 샘플앤홀드수단으로부터 출력되는 전압에 응답하여 점진적으로 턴온 또는 턴오프되는 트랜지스터를 포함하는 온 다이 터미네이션 장치
17 17
터미네이션 저항값을 결정하기 위해, 기준전압과 캘리브래이션 노드 전압의 레벨차가 반영된 캘리브래이션 제어전압을 생성하는 캘리브래이션 회로수단; 캘리브래이션 과정중에 토글하는 샘플링 신호에 응답하여 상기 생성된 캘리브래이션 제어전압을 샘플앤홀드하는 샘플앤홀드수단; 및 상기 샘플앤홀드수단으로부터 출력되는 전압에 응답하여 상기 터미네이션 저항값을 조절하는 출력드라이버수단 을 포함하는 반도체 메모리 장치
18 18
제17항에 있어서, 상기 캘리브래이션 회로수단은 캘리브래이션 노드에 접속되며 상기 캘리브래이션 제어전압에 응답하여 저항값을 점진적으로 조절하는 캘리브래이션 저항부; 및 기준전압과 상기 캘리브래이션 노드 전압의 레벨차가 반영된 상기 캘리브래이션 제어전압을 생성하는 비교부 를 포함하는 반도체 메모리 장치
19 19
제18항에 있어서, 상기 캘리브래이션 회로수단은 풀업 캘리브래이션 회로수단이며, 상기 캘리브래이션 노드는 외부 저항에 접속되는 반도체 메모리 장치
20 20
제18항에 있어서, 상기 캘리브래이션 회로수단은 풀다운 캘리브래이션 회로수단이며, 상기 캘리브래이션 노드는 더미 캘리브래이션 저항수단에 접속되는 반도체 메모리 장치
21 21
제18항에 있어서, 상기 캘리브래이션 저항부는 상기 캘리브래이션 제어전압에 응답하여 점진적으로 턴온 또는 턴오프되는 트랜지스터를 포함하는 반도체 메모리 장치
22 22
제18항에 있어서, 상기 샘플앤홀드수단은 상기 샘플링 신호에 응답하여 상기 캘리브래이션 제어전압의 전달을 제어하는 제어부; 및 상기 제어부의 제어에 의해 상기 캘리브래이션 전압이 입력되는 동안에는 상기 캘리브래이션 제어전압을 저장하며, 상기 제어부의 제어에 의해 상기 캘리브래이션 전압이 입력되지 않는 동안에는 저장된 상기 캘리브래이션 제어전압을 유지하는 전압유지부 를 포함하는 반도체 메모리 장치
23 23
제22항에 있어서, 상기 샘플앤홀드수단은 상기 비교부에 의해 생성된 상기 캘리브래이션 제어전압을 상기 제어부로 전달하는 제1전압전달부; 및 상기 전압유지부에 의해 유지되는 상기 캘리브래이션 제어전압을 상기 출력드라이버수단으로 전달하는 제2전압전달부 를 더 포함하는 반도체 메모리 장치
24 24
제17항에 있어서, 상기 출력드라이버수단은 상기 샘플앤홀드수단으로부터 출력되는 전압에 응답하여 점진적으로 턴온 또는 턴오프되는 트랜지스터를 포함하는 반도체 메모리 장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.