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고주파 소자의 모델링 회로 및 이의 모델링 방법

  • 기술번호 : KST2015141042
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고주파 소자의 중첩 영역과 비중첩 영역을 구분하여 모델링함으로써 고차의 공진 주파수를 갖는 보다 정확한 모델링 회로를 제공하는 고주파 소자의 모델링 회로 및 이의 모델링 방법에 관한 것으로, 적어도 둘의 기판이 일정 간격으로 적층되어 상기 둘의 기판이 중첩되는 중첩 영역과 상기 둘의 기판의 중첩되지 않는 비중첩 영역을 가지며, 상기 둘의 기판의 일부와 전기적으로 연결되는 전극을 갖는 고주파 소자에 있어서, 상기 고주파 소자의 상기 중첩 영역을 커플드 전송선 이론에 따라 모델링한 제1 캐패시터 및 제1 컨덕터 갖는 제1 회로부와, 상기 고주파 소자의 상기 중첩 영역을 커플드 전송선 이론에 따라 모델링하고, 상기 비중첩 영역 및 전극을 시리즈 알엘(Series RL) 모델에 따라 모델링한 제1 인덕터 및 제1 레지스터 갖는 제2 회로부를 포함하는 고주파 소자의 모델링 회로를 제공하는 것이다. 고주파 소자(High Freauency Device), 적층 세라믹 캐패시터(Multi Layer Ceramic Capacitor;MLCC), 모델링(Modeling)
Int. CL H01P 3/18 (2006.01.01) H01P 3/16 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020080132664 (2008.12.23)
출원인 삼성전기주식회사, 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1053393-0000 (2011.07.26)
공개번호/일자 10-2010-0073879 (2010.07.01) 문서열기
공고번호/일자 (20110801) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.12.23)
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전기주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박일규 대한민국 서울특별시 마포구
2 박찬서 대한민국 서울특별시 성동구
3 김명균 대한민국 서울특별시 성동구
4 윤태열 대한민국 서울특별시 성동구
5 김철준 중국 서울특별시 성동구
6 선혁 대한민국 서울특별시 성동구
7 유영덕 대한민국 경기도 화성시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인씨엔에스 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, 대림아크로텔 *층(도곡동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
2 삼성전기주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.12.23 수리 (Accepted) 1-1-2008-0885387-90
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.05.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0221806-39
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.07.26 수리 (Accepted) 1-1-2010-0479835-34
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.07.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0479838-71
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.11.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0523570-54
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.01.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0040038-23
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.01.18 수리 (Accepted) 1-1-2011-0040039-79
8 등록결정서
Decision to grant		 2011.07.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0396938-40
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5050935-32
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5200786-38
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
적어도 둘의 기판이 일정 간격으로 적층되어 상기 둘의 기판이 중첩되는 중첩 영역과 상기 둘의 기판이 중첩되지 않는 비중첩 영역을 가지며, 상기 둘의 기판의 일부와 전기적으로 연결되는 전극을 갖는 고주파 소자에 있어서, 상기 고주파 소자의 상기 중첩 영역을 커플드 전송선 이론에 따라 모델링한 제1 캐패시터 및 제1 컨덕터를 갖는 제1 회로부; 및 상기 고주파 소자의 상기 중첩 영역을 커플드 전송선 이론에 따라 모델링하고, 상기 비중첩 영역 및 전극을 시리즈 알엘(Series RL) 모델에 따라 모델링한 제1 인덕터 및 제1 레지스터 갖는 제2 회로부 를 포함하고, 상기 제1 및 제2 회로부는 상기 고주파 소자의 1차 자기 공진 주파수를 형성하는 것을 특징으로 하는 고주파 소자의 모델링 회로
2 2
제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 회로부는 외부 신호가 입출력되는 제1 및 제2 포트 사이에 직렬 연결되고, 상기 제1 회로부의 상기 제1 캐패시터 및 제1 컨덕터는 상기 제1 포트와 상기 제2 회로부 사이에 서로 병렬 연결되며, 상기 제2 회로부의 상기 제1 인덕터 및 상기 제1 레지스터는 상기 제1 회로부와 상기 제2 포트 사이에 서로 직렬 연결되는 것을 특징으로 하는 고주파 소자의 모델링 회로
3 3
제2항에 있어서, 상기 제1 캐패시터는 에 따라 형성되고, 상기 제1 컨덕터는 에 따라 형성되며, 상기 제1 인덕터는 에 따라 형성되고, 상기 제1 레지스터는 에 따라 형성되는 것(여기서, C1st는 제1 캐패시터, Cm은 단위 거리당 캐패시턴스, l은 중첩 영역의 길이, N은 중첩된 기판의 층수, G1st는 제1 컨덕터, Gm은 단위 거리당 컨덕턴스, L1st는 제1 인덕터, Lself는 단위 거리당 자기 인덕턴스, Lm은 단위 거리당 인덕턴스, LT는 상기 전극의 등가 인덕턴스, l'는 비중첩 영역의 길이, R1st는 제1 레지스터, Rself는 단위 거리당 자기 레지스턴스, Rm은 단위 거리당 레지스턴스, RT는 상기 전극의 등가 레지스턴스)을 특징으로 하는 고주파 소자의 모델링 회로
4 4
제2항에 있어서, 상기 고주파 소자는 인쇄회로기판에 실장되고, 상기 인쇄회로기판은 일면에 상기 고주파 소자가 실장되는 신호 전송 라인과 상기 일면의 반대편인 타면에 그라운드 패턴을 갖고, 상기 모델링 회로는 상기 고주파 소자와 상기 인쇄회로기판 간의 기생 어드미턴스를 모델링한 제1 및 제2 기판 회로부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고주파 소자의 모델링 회로
5 5
제4항에 있어서, 상기 제1 기판 회로부는 상기 제1 포트와 접지 사이에 직렬 연결되고, 상기 제2 기판 회로부는 상기 제2 포트와 접지 사이에 직렬 연결되며, 상기 제1 및 제2 기판 회로부 각각은 상기 제1 및 제2 포트와 상기 접지 사이에 직렬 연결된 기생 컨덕터; 상기 제1 및 제2 포트와 상기 접지 사이에 서로 직렬 연결되고 상기 기생 컨덕터와 병렬 연결된 기생 레지스터 및 기생 캐패시터 를 포함하는 것을 특징으로 하는 고주파 소자의 모델링 회로
6 6
제2항에 있어서, 상기 모델링 회로는 상기 고주파 소자의 상기 중첩 영역을 커플드 전송선 이론에 따라 모델링한 임피던스를 가지며, 상기 고주파 소자의 2차 이상의 자기 공진 주파수를 형성하는 고차 공진 회로부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고주파 소자의 모델링 회로
7 7
제6항에 있어서, 상기 고차 공진 회로부는 에 따라 형성되는 제2 캐패시터; 에 따라 형성되는 제2 컨덕터; 에 따라 형성되는 제2 인덕터; 및 에 따라 형성되는 제2 레지스터(여기서, C1st는 제1 캐패시터, Cm은 단위 거리당 캐패시턴스, l은 중첩 영역의 길이, N은 중첩된 기판의 층수, G1st는 제1 컨덕터, Gm은 단위 거리당 컨덕턴스, Lself는 단위 거리당 자기 인덕턴스, Lm은 단위 거리당 인덕턴스, Rself는 단위 거리당 자기 레지스턴스, Rm은 단위 거리당 레지스턴스, C2nd는 제2 캐패시터, G2nd는 제2 컨덕터, L2nd는 제2 인덕터, R2nd는 제2 레지스터)를 포함하는 것을 특징으로 하는 고주파 소자의 모델링 회로
8 8
제7항에 있어서, 상기 고차 공진 회로부는 상기 제2 회로부와 상기 제2 포트 사이에 직렬 연결되고, 상기 제2 인덕터와 상기 제2 레지스터는 서로 직렬 연결되고, 상기 제2 인덕터 및 상기 제2 레지스터, 상기 제2 캐패시터와, 상기 제2 컨덕터는 상기 제2 회로부와 상기 제2 포트 사이에 서로 병렬 연결되는 것을 특징으로 하는 고주파 소자의 모델링 회로
9 9
제8항에 있어서, 상기 단위 거리당 캐패시턴스는 에 따라 형성되고, 상기 단위 거리당 컨덕턴스는 에 따라 형성되며, 상기 단위 거리당 자기 레지스턴스는 에 따라 형성되고, 상기 단위 거리당 인덕턴스는 에 의해 형성되며, 상기 전극의 등가 레지스턴스는 에 따라 형성되고, 상기 전극의 등가 인덕턴스는 에 따라 형성되는 것을 특징으로 하는 고주파 소자의 모델링 회로
10 10
적어도 둘의 기판이 일정 간격으로 적층되어 상기 둘의 기판이 중첩되는 중첩 영역과 상기 둘의 기판이 중첩되지 않는 비중첩 영역을 가지며, 상기 둘의 기판의 일부와 전기적으로 연결되는 전극을 갖는 고주파 소자에 있어서, 상기 고주파 소자의 상기 중첩 영역을 커플드 전송선 이론에 따라 모델링하고 상기 비중첩 영역 및 전극을 시리즈 알엘(Series RL) 모델에 따라 모델링하는 모델링 단계; 및 상기 고주파 소자의 실측된 자기 공진 주파수로부터 모델링된 회로의 각 파라미터를 추출하여 상기 모델링된 회로에 대입하는 단계 를 포함하는 것을 특징으로 하는 고주파 소자의 모델링 방법
11 11
제10항에 있어서, 상기 모델링 단계는 상기 고주파 소자의 상기 중첩 영역을 커플드 전송선 이론에 따라 제1 커패시터 및 제1 컨덕터 갖는 제1 회로부를 모델링하는 제1 모델링 단계; 및 상기 고주파 소자의 상기 중첩 영역을 커플드 전송선 이론과, 상기 비중첩 영역 및 전극을 시리즈 알엘(Series RL) 모델에 따라 제1 인덕터 및 제1 레지스터 갖는 제2 회로부 모델링하는 제2 모델링 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고주파 소자의 모델링 방법
12 12
제11항에 있어서, 상기 제1 캐패시터는 에 따라 형성되고, 상기 제1 컨덕터는 에 따라 형성되며, 상기 제1 인덕터는 에 따라 형성되고, 상기 제1 레지스터는 에 따라 형성되는 것(여기서, C1st는 제1 캐패시터, Cm은 단위 거리당 캐패시턴스, l은 중첩 영역의 길이, N은 중첩된 기판의 층수, G1st는 제1 컨덕터, Gm은 단위 거리당 컨덕턴스, L1st는 제1 인덕터, Lself는 단위 거리당 자기 인덕턴스, Lm은 단위 거리당 인덕턴스, LT는 상기 전극의 등가 인덕턴스, l'는 비중첩 영역의 길이, R1st는 제1 레지스터, Rself는 단위 거리당 자기 레지스턴스, Rm은 단위 거리당 레지스턴스, RT는 상기 전극의 등가 레지스턴스)을 특징으로 하는 고주파 소자의 모델링 방법
13 13
제11항에 있어서, 상기 고주파 소자는 인쇄회로기판에 실장되고, 상기 인쇄회로기판은 일면에 상기 고주파 소자가 실장되는 신호 전송 라인과 상기 일면의 반대편인 타면에 그라운드 패턴을 갖고, 상기 모델링 단계는 상기 고주파 소자와 상기 인쇄회로기판 간의 기생 어드미턴스를 갖는 제1 및 제2 기판 회로부를 모델링하는 제3 모델링 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고주파 소자의 모델링 방법
14 14
제13항에 있어서, 상기 모델링 단계는 상기 고주파 소자의 상기 중첩 영역을 커플드 전송선 이론에 따라 모델링한 임피던스를 가지며, 상기 고주파 소자의 2차 이상의 자기 공진 주파수를 형성하는 고차 공진 회로부를 모델링하는 제4 모델링 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고주파 소자의 모델링 방법
15 15
제14항에 있어서, 상기 고차 공진 회로부는 에 따라 형성되는 제2 캐패시터; 에 따라 형성되는 제2 컨덕터; 에 따라 형성되는 제2 인덕터; 및 에 따라 형성되는 제2 레지스터(여기서, C2nd는 제2 캐패시터, Cm은 단위 거리당 캐패시턴스, l은 중첩 영역의 길이, N은 중첩된 기판의 층수, C1st는 제1 캐패시터, G2nd는 제2 컨덕터, Gm은 단위 거리당 컨덕턴스, G1st는 제1 컨덕터, L2nd는 제2 인덕터, Lself는 단위 거리당 자기 인덕턴스, Lm은 단위 거리당 인덕턴스, R2nd는 제2 레지스터, Rself는 단위 거리당 자기 레지스턴스, Rm은 단위 거리당 레지스턴스) 를 포함하는 것을 특징으로 하는 고주파 소자의 모델링 방법
16 16
제15항에 있어서, 상기 단위 거리당 캐패시턴스는 에 따라 형성되고, 상기 단위 거리당 컨덕턴스는 에 따라 형성되며, 상기 단위 거리당 자기 레지스턴스는 에 따라 형성되고, 상기 단위 거리당 인덕턴스는 에 의해 형성되며, 상기 전극의 등가 레지스턴스는 에 따라 형성되고, 상기 전극의 등가 인덕턴스는 에 따라 형성되는 것을 특징으로 하는 고주파 소자의 모델링 방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US08264301 US 미국 FAMILY
2 US20100161291 US 미국 FAMILY

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1 US2010161291 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US8264301 US 미국 DOCDBFAMILY
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