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기판상에 하부 전극막을 형성하는 단계,진공분위기에서 상기 하부 전극막상에 금속막을 형성하는 단계, 진공분위기에서 상기 금속막을 이원산화막으로 산화시키는 단계, 상기 금속막의 형성단계와 상기 산화하는 단계를 반복하여 원하는 두께의 다층박막을 형성하는 단계 및,상기 다층 박막상에 상부 전극막을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 ReRAM 소자용 다층 이원산화박막의 형성방법
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제1항에 있어서, 상기 금속막은 Al, Co, Ni, Fe, Ta, Ti, Au, Pt, Ag 및 이들의 합금으로 구성되는 그룹에서 선택된 1종임을 특징으로 하는 ReRAM 소자용 다층 이원산화박막의 형성방법
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제1항에 있어서, 상기 금속막의 두께는 5~100Å임을 특징으로 하는 ReRAM 소자용 다층 이원산화박막의 형성방법
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제3항에 있어서, 상기 금속막의 두께는 10~50Å임을 특징으로 하는 ReRAM 소자용 다층 이원산화박막의 형성방법
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제1항에 있어서, 상기 산화단계는 원격산화법(remote oxidation)에 의해 행하는 것을 특징으로 하는 ReRAM 소자용 다층 이원산화박막의 형성방법
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제5항에 있어서, 상기 산화하는 단계는 Ar 가스에 대한 O2 가스의 비율을 10~100% 범위로 하여 행하는 것을 특징으로 하는 ReRAM 소자용 다층 이원산화박막의 형성방법
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제5항에 있어서, 상기 산화하는 단계는 RF플라즈마에서 30~100W의 출력으로 행하는 것을 특징으로 하는 ReRAM 소자용 다층 이원산화박막의 형성방법
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제1항에 있어서, 상기 다층 이원산화박막은 100~1000℃의 온도 범위에서 1분~24시간 범위내로 어닐링하는 것을 특징으로 하는 ReRAM 소자용 다층 이원산화박막의 형성방법
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