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MEMS 디바이스에 있어서,기둥이 형성된 상부기판;하부기판상에 증착된 씨드층;상기 씨드층상에 도포되며, 복수의 관통 홀이 구비된 감광제;상기 관통 홀에 형성되는 전송선로;상기 감광제상에 탑제되며, 상기 전송선로와 연결되는 MEMS 구조물; 및상기 상부기판과 하부기판을 결합하는 접합수단을 포함하는 웨이퍼 레벨 패키지
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제 1항에 있어서,상기 상부기판 및 하부기판은 유리, 세라믹 또는 실리콘 중 어느 하나인 웨이퍼 레벨 패키지
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제 1항에 있어서,상기 감광제는 SU-8인 웨이퍼 레벨 패키지
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제 1항에 있어서,상기 감광제는 상부에 기둥을 포함하는 웨이퍼 레벨 패키지
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삭제
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제 1항에 있어서,상기 전송선로는 금, 은, 구리 또는 니켈 중 어느 하나인 웨이퍼 레벨 패키지
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8
제 1항에 있어서,상기 접합수단은 상부기판의 기둥 또는 감광제의 기둥상에 위치하는 웨이퍼 레벨 패키지
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제 1항에 있어서,상기 접합수단은 에폭시 또는 저융점 금속 중 어느 하나인 웨이퍼 레벨 패키지
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10
제 1항에 있어서,상기 하부기판을 제거하는 제거수단을 더 포함하는 웨이퍼 레벨 패키지
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11
제 10항에 있어서,상기 제거수단은 XeF2 식각기를 이용한 것 또는 연삭법을 이용한 것인 웨이퍼 레벨 패키지
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MEMS 디바이스 제작에 있어서,하부기판상에 씨드층을 증착하는 단계;상기 씨드층상에 감광제를 도포하는 단계;상기 감광제에 관통 홀을 형성하는 단계;상기 관통 홀 내에 전송선로를 형성하는 단계;상기 감광제상에 MEMS 구조물을 상기 전송선로와 연결되게 탑제하는 단계; 및상기 상부기판과 하부기판을 접합하는 단계를 포함하는 웨이퍼 레벨 패키지 제조 방법
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13
제 12항에 있어서,상기 상부기판 및 하부기판은 유리, 세라믹 또는 실리콘 중 어느 하나인 웨이퍼 레벨 패키지 제조 방법
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14
제 12항에 있어서,상기 감광제와 상부기판은 기둥을 포함하는 웨이퍼 레벨 패키지 제조 방법
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제 12항에 있어서,상기 감광제는 SU-8인 웨이퍼 레벨 패키지 제조 방법
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제 12항에 있어서,상기 감광제는 복수개의 관통 홀이 형성된 것인 웨이퍼 레벨 패키지 제조 방법
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제 12항에 있어서,상기 전송선로는 금, 은, 구리 또는 니켈 중 어느 하나인 웨이퍼 레벨 패키지 제조 방법
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제 12항에 있어서,상기 상부기판과 하부기판을 접합하는 단계는 상부기판의 기둥이나 감광제의 기둥에 위치하는 접합수단을 이용하는 것인 웨이퍼 레벨 패키지 제조 방법
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제 19항에 있어서,상기 접합수단은 에폭시 또는 저융점 금속 중 어느 하나인 웨이퍼 레벨 패키지 제조 방법
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제 12항에 있어서,상기 하부기판을 제거하는 단계를 더 포함하는 웨이퍼 레벨 패키지 제조 방법
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제 21항에 있어서,상기 하부기판을 제거하는 단계는 XeF2 식각기를 이용하여 제거하거나 연삭법을 이용하여 제거하는 것인 웨이퍼 레벨 패키지 제조 방법
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