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실리콘 웨이퍼;상기 실리콘 웨이퍼 상에 형성된 절연층;상기 절연층이 형성된 실리콘 웨이퍼를 관통하여 형성된 관통비아;상기 절연층이 형성된 실리콘 웨이퍼를 관통하여 형성되고, 플렉서블한 연성 폴리머 필름으로 채워진 절곡부;를 포함하는 연성 실리콘 인터포저
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실리콘 웨이퍼를 에칭하여 관통비아 및 절곡부의 위치에 단차를 형성하는 제1단계;에칭한 상기 실리콘 웨이퍼 상에 절연층을 증착하는 제2단계;상기 절곡부를 형성할 위치를 마스킹하고 상기 관통비아의 위치에 형성된 단차를 금속으로 채우는 제3단계;상기 절곡부의 위치에 형성된 단차를 연성 폴리머 필름으로 채우는 제4단계;를 포함하는 연성 실리콘 인터포저의 제작방법
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제2항에 있어서,상기 제1단계는,상기 관통비아의 위치 및 상기 절곡부의 위치에 포토레지스트를 형성하는 단계; 및심도 반응성 이온 에칭(DRIE, deep reacitve ion etching) 공정을 통해 상기 실리콘 웨이퍼를 에칭하여 상기 단차를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 연성 실리콘 인터포저의 제작방법
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제2항에 있어서,상기 제3단계는,상기 금속을 채운 후, 상기 마스킹을 제거하고 화학적 기계적 연마(CMP, Chemical Mechanical Planarization)공정을 통해 표면 평탄화하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 연성 실리콘 인터포저의 제작방법
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제2항에 있어서,제4단계 이후,상기 실리콘 웨이퍼의 상하면을 평탄화하는 단계; 및상기 실리콘 웨이퍼의 상하면에 회로를 형성시키는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 연성 실리콘 인터포저의 제작방법
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실리콘 웨이퍼 상에 회로를 형성하는 제1단계;레이져 또는 다이싱 공정을 통해 상기 실리콘 웨이퍼절곡부의 위치를 제거하는 제2단계;연성 폴리머 필름을 열압착하여 분리된 상기 실리콘 웨이퍼를 덮는 제3단계; 및상기 연성 폴리머 필름 상에 상기 회로와 연결되는 회로 및 상기 실리콘 웨이퍼를 관통하는 관통비아를 형성하는 제4단계;를 포함하는 연성 실리콘 인터포저의 제작방법
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제6항에 있어서,상기 제1단계는 상기 실리콘 웨이퍼를 20 내지 100 마이크로미터로 그라인딩하는 단계;를 더 포함하고,상기 제4단계는 레이저 드릴을 이용하여 관통비아를 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 연성 실리콘 인터포저의 제작방법
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