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인터포저 및 그의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014048862
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 다층 배선 구조의 인터포저 제조 방법은, 박막 수동 소자가 집적된 실리콘 웨이퍼에 양면 라미네이션 공정을 수행하여 유기 물질의 절연층을 각각 형성한 후에 실리콘을 관통하여 형성되는 공간에 집적 회로를 실장하고 실리콘을 관통하여 형성되는 비아 구멍의 내벽으로 패터닝과 전기 도금을 이용하여 박막 수동 소자의 연결 전극으로 사용되는 라이닝 비아를 형성한다. 다음, 라이닝 비아가 형성된 실리콘 웨이퍼에 양면 라미네이션 공정을 수행하여 유기 물질의 절연층을 각각 형성한 후에 집적 회로의 연결 전극으로 사용되는 라이닝 비아를 형성한다.
Int. CL H01L 23/48 (2006.01) H01L 23/32 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020110072137 (2011.07.20)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자 10-1243304-0000 (2013.03.07)
공개번호/일자 10-2013-0011171 (2013.01.30) 문서열기
공고번호/일자 (20130313) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.07.20)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박종철 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 김준철 대한민국 경기도 성남시 분당구
3 김동수 대한민국 경기 성남시 분당구
4 박세훈 대한민국 경기도 성남시 분당구
5 유종인 대한민국 서울특별시 송파구
6 육종민 대한민국 경기 성남시 중원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 경기도 성남시 분당구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.07.20 수리 (Accepted) 1-1-2011-0561354-77
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.05.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.06.21 수리 (Accepted) 9-1-2012-0048342-73
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.09.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0549428-56
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.11.19 수리 (Accepted) 1-1-2012-0951611-33
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.11.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0951609-41
7 등록결정서
Decision to grant
2013.01.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0063204-16
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
다층 배선을 가지는 인터포저를 제조하는 방법으로, 박막 수동 소자가 집적된 실리콘 기판에 양면 라미네이션 공정을 이용하여서 상기 실리콘 기판의 양면에 제1 상부 절연층과 제1 하부 절연층을 형성하는 단계, 상기 제1 상부 절연층과 상기 제1 하부 절연층이 형성된 실리콘 기판을 관통하여 제1 라이닝 비아를 형성하여 상기 박막 수동 소자와 전기적으로 연결하는 단계, 상기 실리콘 기판에 상기 박막 수동 소자와의 전기적 연결을 위한 1차 양면 배선을 형성하는 단계, 상기 실리콘 기판을 관통하여 형성된 공간에 집적 회로를 삽입하는 단계, 상기 집적 회로가 삽입된 실리콘 기판에 양면 라미네이션 공정을 이용하여서 상기 실리콘 기판의 양면에 제2 상부 절연층과 제2 하부 절연층을 각각 형성하는 단계, 그리고 상기 제2 상부 절연층과 상기 제2 하부 절연층이 형성된 실리콘 기판을 관통하여 제2 라이닝 비아를 형성하여 상기 집적 회로와 전기적으로 연결하는 단계를 포함하는 인터포저의 제조 방법
2 2
삭제
3 3
제1항에서, 상기 박막 수동 소자와 전기적으로 연결하는 단계는, 상기 실리콘 기판을 관통하여 비아 구멍을 형성하는 단계, 그리고 상기 비아 구멍의 내벽으로 패터닝과 전기 도금을 이용하여 상기 제1 라이닝 비아를 형성하는 단계를 포함하는 인터포저의 제조 방법
4 4
제1항에서, 상기 집적 회로와 전기적으로 연결하는 단계는, 상기 제2 상부 절연층과 상기 제2 하부 절연층이 형성된 실리콘 기판을 관통하여 제1 비아 구멍을 형성하는 단계, 그리고 상기 제1 비아 구멍에 대응하여 상기 실리콘 기판의 내벽으로 패터닝과 전기 도금을 이용하여 상기 제2 라이닝 비아를 형성하는 단계를 포함하는 인터포저의 제조 방법
5 5
제4항에서, 상기 집적 회로와 전기적으로 연결하는 단계는, 상기 제2 상부 절연층과 상기 제2 하부 절연층을 각각 형성하기 전에 상기 제1 비아 구멍의 위치에 대응하여 상기 제1 비아 구멍보다 큰 제2 비아 구멍을 형성하는 단계를 더 포함하는 인터포저의 제조 방법
6 6
제4항에서, 상기 박막 수동 소자와 전기적으로 연결하는 단계는 상기 실리콘 기판을 관통하여 제3 라이닝 비아를 형성하는 단계를 포함하고, 상기 집적 회로와 전기적으로 연결하는 단계는 상기 제2 상부 절연층과 상기 제2 하부 절연층이 형성된 기판을 관통하여 제4 라이닝 비아를 형성하는 단계를 더 포함하는 인터포저의 제조 방법
7 7
인터포저에서, 수동 박막 소자가 집적된 실리콘 기판, 양면 라미네이션 공정으로 상기 실리콘 기판의 양면에 각각 형성되는 제1 상부 절연층과 제1 하부 절연층, 상기 제1 상부 절연층과 상기 제1 하부 절연층이 형성된 실리콘 기판을 관통하여 형성되는 공간에 실장되는 집적 회로, 상기 실리콘 기판을 관통하여 1차 배선으로 형성되는 제1 전극, 양면 라미네이션 공정으로 제1 전극이 형성된 실리콘 기판의 양면에 각각 형성되는 제2 상부 절연층과 제2 하부 절연층, 그리고 상기 제2 상부 절연층과 상기 제2 하부 절연층이 형성된 실리콘 기판을 관통하여 2차 배선으로 형성되는 제2 전극을 포함하는 인터포저
8 8
제7항에서, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 중 적어도 하나는 상기 박막 수동 소자 또는 상기 집적 회로의 연결 전극으로 사용되는 인터포저
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국과학기술원 산업원천기술개발사업 웨이퍼레벨 3차원 IC 설계 및 집적기술