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베이스 기판에 반도체 칩을 실장하는 실장단계, 상기 반도체 칩과 상기 베이스 기판을 고정하는 몰딩층을 형성하는 몰딩단계 및 상기 반도체 칩과 외부 회로를 전기적으로 연결하는 배선층을 형성하는 배선단계를 포함하는 반도체 패키지 제조방법에 있어서,상기 실장단계 이전에, 상기 베이스 기판을 관통하여 상기 베이스 기판의 상면과 하면을 전기적으로 연결하는 전도성 비아를 형성하는 제1 단계를 더 포함하는, 반도체 패키지 제조방법
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상기 제1 단계는 상기 베이스 기판에, 상기 베이스 기판의 상면과 하면을 관통하는 비아홀을 형성하는 제1-1 단계; 및상기 비아홀 내부에 상기 베이스 기판의 상면과 하면을 전기적으로 연결하는 금속층을 형성하는 제1-2 단계를 포함하는, 반도체 패키지 제조방법
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청구항 2에 있어서,상기 제1-2 단계는상기 베이스 기판에 전기전도성 시드층을 형성하는 단계;상기 비아홀의 일측면이 막히도록 상기 베이스 기판의 일면에 캐리어 테이프를 결합하는 단계; 및상기 시드층을 이용하여 상기 비아홀 내부에 상기 베이스 기판의 상면과 하면을 전기적으로 연결하는 금속층을 형성하는 단계를 포함하는, 반도체 패키지 제조방법
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청구항 2에 있어서,상기 몰딩단계는상기 반도체 칩과 상기 베이스 기판을 고정하고, 상기 비아홀 내부에 형성되는 금속층의 내부공간에 몰딩재질이 충진되도록 형성되는, 반도체 패키지 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 전도성 비아의 일단에 입출력패드를 형성하는 단계를 더 포함하는, 반도체 패키지 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 반도체 칩의 후면에 연결되는 방열패드를 형성하는 단계를 더 포함하는, 반도체 패키지 제조방법
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