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베이스;상기 베이스 상에 형성되고 내부에 수용부가 형성되는 바디; 상기 수용부 내의 베이스 상에 배치되고, 반도체 칩과 상기 반도체 칩에 연결되어 전기신호를 전달하는 재배선층을 포함하는 재배선 유닛; 상기 바디에 결합되고 상기 재배선 유닛과 연결되어 외부로 전기신호를 전달하는 리드; 및 상기 바디와 결합되어 상기 수용부를 덮는 캡을 포함하는, 세라믹 메탈 반도체 패키지
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청구항 1에 있어서, 상기 재배선 유닛은 제1 캐비티가 형성된 시트; 상기 제1 캐비티에 수용되는 반도체 칩; 및 상기 시트의 상면에 형성되고 상기 반도체 칩에 연결되며 전기신호를 전달하는 재배선층을 포함하는, 세라믹 메탈 반도체 패키지
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청구항 2에 있어서, 상기 시트는 제2 캐비티가 더 형성되고, 상기 재배선 유닛은 상기 제2 캐비티에 수용되는 수동소자를 더 포함하며, 상기 재배선층은 상기 반도체 칩 및 수동소자에 연결되어 전기신호를 전달하는, 세라믹 메탈 반도체 패키지
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청구항 3에 있어서, 상기 재배선 유닛은 상기 시트의 하면, 반도체 칩의 하면, 수동소자의 하면에 형성되어 상기 반도체 칩과 수동소자의 열을 상기 베이스로 전달하는 하부금속층을 더 포함하는, 세라믹 메탈 반도체 패키지
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청구항 1에 있어서, 상기 리드는 일단이 상기 재배선 유닛의 상부까지 연장되고 상기 재배선 유닛에 범프를 통해 직접 연결되는, 세라믹 메탈 반도체 패키지
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베이스 상에 수용부가 형성된 바디를 결합하는 제1 단계;상기 수용부 내의 베이스 상에 반도체 칩과 상기 반도체 칩에 연결되어 전기신호를 전달하는 재배선층을 포함하는 재배선 유닛을 배치하는 제2 단계;상기 바디에 리드를 결합하고 상기 리드의 일단과 재배선 유닛을 연결하는 제3 단계; 및 상기 수용부를 커버하는 캡을 상기 바디에 결합하는 제4 단계를 포함하는, 세라믹 메탈 반도체 패키지 제조방법
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청구항 6에 있어서, 상기 제2 단계 이전에, 재배선 유닛을 형성하는 단계를 더 포함하며, 상기 재배선 유닛을 형성하는 단계는 시트를 준비하는 단계;상기 시트에 반도체 칩이 배치될 제1 캐비티를 형성하는 단계;상기 제1 캐비티에 상기 반도체 칩을 배치하는 단계;상기 반도체칩과 시트를 커버하고, 상기 반도체 칩과 시트 사이에 충진되는 절연층을 형성하는 단계;상기 절연층의 일부를 제거하여 칩패드를 노출시키는 제1 오픈부를 형성하는 단계; 및 상기 절연층 상에 상기 칩패드와 연결되는 전극패턴을 형성하는 단계를 포함하는, 세라믹 메탈 반도체 패키지 제조방법
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청구항 6에 있어서, 상기 제2 단계 이전에, 재배선 유닛을 형성하는 단계를 더 포함하며, 상기 재배선 유닛을 형성하는 단계는 시트를 준비하는 단계;상기 시트에 반도체 칩이 배치될 제1 캐비티 및 수동소자가 배치될 제2 캐비티를 형성하는 단계;상기 제1 캐비티에 상기 반도체 칩을 배치하고 상기 제2 캐비티에 상기 수동소자를 배치하는 단계;상기 반도체칩, 수동소자 및 시트를 커버하고, 상기 반도체 칩, 수동소자 및 시트 사이에 충진되는 절연층을 형성하는 단계;절연층의 일부를 제거하여 칩패드를 노출시키는 제1 오픈부 및 수동소자의 패드를 노출시키는 제2 오픈부를 형성하는 단계; 및 상기 절연층 상에 상기 칩패드와 수동소자의 패드를 연결하는 전극패턴을 형성하는 단계를 포함하는, 세라믹 메탈 반도체 패키지 제조방법
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청구항 6에 있어서, 상기 제3 단계는 상기 재배선 유닛 상에 범프를 배치하고 상기 리드의 일단을 상기 범프 상에 배치하고 리플로우 공정을 수행하여, 상기 재배선 유닛과 리드의 일단을 접속하는, 세라믹 메탈 반도체 패키지 제조방법
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