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기판; 상기 기판 상의 반도체칩; 및 상기 반도체칩 상의 연결부;를 포함하는 반도체칩 패키지로서, 상기 기판 및 상기 반도체칩 사이에는, 상기 기판의 표면과 동일한 금속을 포함하는 제1금속박막층, 제1중간층 및 상기 반도체칩 표면과 동일한 금속을 포함하는 제2금속박막층을 포함하는 제1접합구조체가 위치하고, 상기 반도체칩 및 상기 연결부 사이에는, 상기 반도체칩의 표면과 동일한 금속을 포함하는 제3금속박막층, 제2중간층 및 상기 연결부 표면과 동일한 금속을 포함하는 제4금속박막층을 포함하는 제2접합구조체가 위치하고,상기 기판, 상기 제1접합구조체, 상기 반도체칩, 상기 제2접합구조체 및 상기 연결부는 제1금속박막층, 제2금속박막층, 제3금속박막층 및 제4금속박막층을 가열하면 표면에 형성되는 내부 결정성장으로 돌출된 돌출부에 의해 직접접합된 것을 특징으로 하는 반도체 패키지
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제 1항에 있어서, 돌출부는 기판, 반도체칩 및 연결부와 접촉시 확산되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지
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제 1항에 있어서, 제1금속박막층 및 제2금속박막층은 제1중간층 상에 직접 형성되고, 제3금속박막층 및 제4금속박막층은 제2중간층 상에 직접 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 패키지
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제 1항에 있어서, 연결부는 와이어인 것을 특징으로 하는 반도체 패키지
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청구항 1에 있어서, 제1금속박막층, 제2금속박막층, 제3금속박막층 및 제4금속박막층은 구리(Cu), 알루미늄(Al) 및 은(Ag) 중 적어도 하나의 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지
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청구항 1에 있어서, 제1금속박막층 및 제2금속박막층은 제1중간층 상에 증착방식으로 형성되고,제3금속박막층 및 제4금속박막층은 제2중간층에 상에 증착방식으로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 패키지
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