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일면에 오브젝트가 형성된 베이스 기판에, 상기 오브젝트를 덮는 캡영역을 규정하는 트렌치가 일면에 형성된 커버 기판을 상기 베이스 기판의 일면과 상기 커버 기판의 일면이 마주보도록 결합하는 기판결합단계; 및상기 커버 기판의 타면을 상기 트렌치가 노출되도록 제거하여 상기 커버 기판으로부터 캡을 분리하는 커버 기판 분리단계를 포함하는 웨이퍼 레벨 허메틱 패키지 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 분리단계 이후에, 베이스 기판을 절단선에 따라 분리하는 단계를 더 포함하는 웨이퍼 레벨 허메틱 패키지 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 분리단계 이후에, 상기 캡을 덮는 기능층을 형성하는 단계를 더 포함하는 웨이퍼 레벨 허메틱 패키지 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 기판결합단계는상기 베이스 기판의 일면에 상기 오브젝트를 형성하고, 상기 오브젝트를 둘러싸는 제1 접합 패턴을 형성하며, 상기 오브젝트에 연결되어 전기신호를 전달하는 전극패턴 및 전극패턴과 연결된 패드를 형성하는 베이스 기판 준비단계;상기 커버 기판의 일면에 상기 제1 접합 패턴에 대응하는 제2 접합 패턴을 형성하고, 상기 오브젝트를 덮는 공간부를 형성하며, 상기 공간부를 둘러싸서 캡 영역을 규정하는 트렌치를 형성하는 커버 기판 준비단계; 및상기 베이스 기판의 상기 제1 접합 패턴과 상기 커버 기판의 제2 접합 패턴을 마주보도록 결합하는 결합단계를 포함하는 웨이퍼 레벨 허메틱 패키지 제조방법
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청구항 4에 있어서,상기 커버 기판 분리단계 이후에, 상기 패드 상에 상기 캡의 높이보다 높은 커넥터를 형성하는 단계를 더 포함하는 웨이퍼 레벨 허메틱 패키지 제조방법
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청구항 4에 있어서,상기 트렌치는상기 커버 기판의 일면에 상기 공간부의 깊이보다 깊게 형성되는 웨이퍼 레벨 허메틱 패키지 제조방법
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