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박막 트랜지스터 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014058558
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 박막 트랜지스터 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 해결하고자 하는 기술적 과제는 박막 트랜지스터의 게이트 절연층이, 실리콘 산화막과, 실리콘 산화막의 상부에 산화 마그네슘이 적층됨으로써, 박막트랜지스터의 역바이어스 특성을 개선하여 신뢰성을 향상시킴과 동시에, 전기적 특성을 향상시키는데 있다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01.01) H01L 21/336 (2006.01.01)
CPC H01L 29/42384(2013.01) H01L 29/42384(2013.01) H01L 29/42384(2013.01)
출원번호/일자 1020120009173 (2012.01.30)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1318418-0000 (2013.10.08)
공개번호/일자 10-2013-0087915 (2013.08.07) 문서열기
공고번호/일자 (20131015) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.01.30)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최성환 대한민국 서울 관악구
2 한민구 대한민국 서울 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서만규 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *** *층 (역삼동, 현죽빌딩)(특허법인성암)
2 서경민 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *** *층 (역삼동, 현죽빌딩)(특허법인성암)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.01.30 수리 (Accepted) 1-1-2012-0077201-60
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.01.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.02.06 수리 (Accepted) 9-1-2013-0008704-16
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.02.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0098171-06
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.04.10 수리 (Accepted) 1-1-2013-0312711-70
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.04.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0312712-15
8 등록결정서
Decision to grant		 2013.08.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0590716-97
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 형성된 게이트;상기 게이트를 덮도록 상기 게이트 및 상기 기판 상에 형성된 제1게이트 절연층;상기 제1게이트 절연층 상에 형성되며 산화 마그네슘으로 이루어진 제2게이트 절연층;상기 제2게이트 절연층 상에서 상기 게이트와 대응되도록 형성된 반도체층; 및상기 반도체층에 일부가 전기적으로 접속되며, 상기 제2게이트 절연층 상에 형성된 소스 및 드레인 전극을 포함하며,상기 제2게이트 절연층은 0
2 2
청구항 1에 있어서,상기 제2게이트 절연층은 상기 제1게이트 절연층의 상면을 모두 덮도록 형성된 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
3 3
청구항 1에 있어서,상기 제2게이트 절연층은 상기 제1게이트 절연층의 상면을 덮도록 일정 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
4 4
삭제
5 5
청구항 1에 있어서,상기 제2게이트 절연층은, 상기 제1게이트 절연층과 상기 반도체층 사이와, 상기 제1게이트 절연층과 상기 소스 전극 사이와,상기 제1게이트 절연층과 상기 드레인 전극 사이에 개재된 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
6 6
청구항 1에 있어서,상기 제1게이트 절연층은 실리콘 산화막으로 이루어진 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
7 7
청구항 6에 있어서,상기 제1게이트 절연층은 상기 기판과 상기 게이트의 상면에 250nm 내지 350nm의 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
8 8
청구항 1에 있어서,상기 제2게이트 절연층은 상기 제1게이트 절연층의 두께에 비해서 얇은 박막형태 또는 양자점 배열 형태로 이루어진 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
9 9
청구항 1에 있어서,상기 반도체층은 산화물 반도체인 IGZO으로 이루어진 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
10 10
청구항 1에 있어서,상기 소스전극, 드레인 전극 및 반도체층을 덮도록 형성된 보호막; 상기 보호막의 상면에서 하부방향으로 상기 보호막을 관통하여 상기 소스 및 상기 드레인 전극과 각각 전기적으로 연결된 콘택을 더 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
11 11
기판 상에 게이트를 형성하는 게이트 형성 단계;상기 게이트를 덮도록 상기 게이트 및 상기 기판상에 제1게이트 절연층을 형성하는 제1게이트 절연층 형성 단계;상기 제1게이트 절연층 상에 산화 마그네슘으로 이루어진 제2게이트 절연층을 형성하는 제2게이트 절연층 형성 단계;상기 제2게이트 절연층 상에서 상기 게이트와 대응되도록 반도체층을 형성하는 반도체층 형성단계; 및상기 반도체층에 일부가 전기적으로 접속되도록 소스 전극과 드레인 전극을 형성하는 소스 및 드레인 전극 형성 단계를 포함하며,상기 제2게이트 절연층 형성 단계에서는상기 제1게이트 절연층의 상면에 0
12 12
삭제
13 13
청구항 11항에 있어서,상기 소스 및 드레인 전극과, 상기 반도체층을 덮도록 보호막을 형성하는 보호막 형성 단계; 및상기 보호막의 상면에서 하부방향으로 상기 보호막을 관통하여 상기 소스 및 드레인 전극이 상부로 노출되도록 콘택홀을 형성하고, 상기 콘택홀에 도전물을 채워서 콘택을 형성하는 콘택 형성단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법
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패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 서울대학교 산학협력단 산업원천기술개발사업 고품위 plastic AMOLED 원천 기술 개발