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원자층증착법 시뮬레이션 방법

  • 기술번호 : KST2015117247
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 나노박막 증착기술 중 하나인 원자층증착법(ALD: Atomic Layer Deposition)의 공정 시뮬레이션 방법에 관한 것으로서, 특히 박막의 성장 메커니즘을 모델링하여 원자층증착법을 이용하여 증착된 박막의 두께 및 조성을 예측하는 방법을 제공한다. 본 발명은 원자층증착법을 이용하여 증착한 박막의 두께 및 조성을 예측하는 시뮬레이션 방법에 있어서, 지배방정식(governing equation)과 표면피복률을 정의하는 단계와, 면적감소율을 정의하고 표면피복률과 연관시키는 단계와, 매 단위사이클(unit cycle)마다 표면에 드러난 각 필름의 면적비를 계산하는 단계와, 매 슈퍼사이클(super cycle) 동안 증착된 각 필름의 단위층(monolayer) 수를 계산하는 단계와, 본 발명을 통해 얻은 모델식을 통해 전체 박막의 두께 및 조성을 계산하는 단계와, 본 발명을 통해 얻은 모델식을 이용한 시뮬레이션에 사용되는 매개변수(parameter)를 추출하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 원자층증착법을 이용하여 증착한 박막의 두께 및 조성을 예측하는 시뮬레이션 방법에 있어서 본 발명을 통해 얻은 새로운 모델식을 적용하면, 종래의 방법에 비해 상당히 높은 수준의 정확성을 제공할 수 있고, 이를 통해 시뮬레이터의 상업적 실질적 구현을 가능하게 한다.ALD, 원자층증착법, 초기성장속도, 나노적층박막, 다성분계박막, 모델링, 시뮬레이션
Int. CL H01L 21/02 (2011.01) H01L 21/205 (2011.01)
CPC C23C 16/45525(2013.01) C23C 16/45525(2013.01)
출원번호/일자 1020050068477 (2005.07.27)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0715862-0000 (2007.05.01)
공개번호/일자 10-2007-0013839 (2007.01.31) 문서열기
공고번호/일자 (20070511) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.07.27)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강상원 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 김진혁 대한민국 서울 관악구
3 정회성 대한민국 전북 전주시 완산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 황이남 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2005.07.27 수리 (Accepted) 1-1-2005-0412152-04
2 공지예외적용주장대상(신규성,출원시의특례)증명서류제출서
Submission of Document Verifying Exclusion from Being Publically Known (Novelty, Special Provisions for Application)
2005.08.01 수리 (Accepted) 1-1-2005-5096468-29
3 보정요구서
Request for Amendment
2005.08.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2005-0075860-32
4 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items
2005.08.17 수리 (Accepted) 1-1-2005-0452043-52
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2006.08.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2006.09.14 수리 (Accepted) 9-1-2006-0056579-11
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2006.09.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0549850-14
8 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2006.11.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0804810-12
9 의견서
Written Opinion
2006.11.02 수리 (Accepted) 1-1-2006-0804811-57
10 등록결정서
Decision to grant
2007.02.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0104276-81
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
지배방정식과 표면피복률을 정의하는 단계;면적감소율을 정의하고 표면피복률과 연관시키는 단계;매 사이클마다 표면에 드러난 각 필름의 면적비를 계산하는 단계;매 슈퍼사이클 동안 증착된 각 필름의 단위층 수를 계산하는 단계;전체 박막의 두께 및 조성을 계산하는 단계; 및 시뮬레이션에 사용되는 매개변수를 추출하는 단계를 포함하는 원자층 증착법을 이용하여 증착한 박막의 두께 및 조성을 예측하는 시뮬레이션 방법
2 2
제 1항에 있어서, 단일 전구체를 사용해서 증착한 이성분계박막의 두께가 하기의 식을 이용해서 전이시간을 고려하여 계산되는 것을 특징으로 하는 원자층 증착법을 이용하여 증착한 박막의 두께 및 조성을 예측하는 시뮬레이션 방법
3 3
제 1항에 있어서, 두 가지 이상의 전구체들을 시분할 공급하여 순차적으로 증착한, 적어도 세 가지 이상의 성분을 포함하는 다성분계박막 및 나노적층박막의 두께가 하기의 식을 이용해서 전이시간을 고려하여 계산되는 것을 특징으로 하는 원자층 증착법을 이용하여 증착한 박막의 두께 및 조성을 예측하는 시뮬레이션 방법
4 4
제 1항에 있어서, 두 가지 이상의 전구체들을 시분할 공급하여 순차적으로 증착한, 적어도 세 가지 이상의 성분을 포함하는 다성분계 박막의 조성이 하기식에 의해 계산되는 것을 특징으로 하는 원자층 증착법을 이용하여 증착한 박막의 두께 및 조성을 예측하는 시뮬레이션 방법
5 5
제 1항에 있어서, 상기 면적 감소율은 하기의 식과 같이 정의되는 것을 특징으로 하는 원자층 증착법을 이용하여 증착한 박막의 두께 및 조성을 예측하는 시뮬레이션 방법
6 6
전구체를 충분히 공급하여 표면에 흡착된 전구체의 양이 포화되도록 하는 단계;및상기 전구체의 양이 포화된 상태에서 박막의 증착 횟수에 따른 두께 변화 데이터를 통해 면적 감소율(r)을 추출하는 단계를 포함하는 원자층증착법을 이용하여 증착한 박막의 두께 및 조성을 예측하는 시뮬레이션에 사용되는 매개변수를 추출하는 방법
7 7
전구체를 불충분하게 공급하여 표면에 흡착된 전구체의 양이 포화되지 않도록 하는 단계; 및상기 전구체의 양이 불포화된 상태에서 전구체 주입시간에 따른 박막의 증착속도 변화 데이터를 통해 흡착속도상수를 추출하는 단계를 포함하는 원자층증착법을 이용하여 증착한 박막의 두께 및 조성을 예측하는 시뮬레이션에 사용되는 매개변수를 추출하는 방법
8 8
제 6항 또는 제 7항에 있어서, 상기 박막은 원자층증착법을 이용하여 단일 전구체를 사용해서 증착한 단일성분박막 또는 산화막, 질화막, 황화막을 포함하는 이성분계박막인 것을 특징으로 하는 원자층증착법을 이용하여 증착한 박막의 두께 및 조성을 예측하는 시뮬레이션에 사용되는 매개변수를 추출하는 방법
9 9
제 6항 또는 제7항에 있어서, 상기 박막은 원자층증착법을 이용해서 두 가지 이상의 전구체들을 시분할 공급하여 순차적으로 증착한, 적어도 세 가지 이상의 성분을 포함하는 다성분계박막인 것을 특징으로 하는 원자층증착법을 이용하여 증착한 박막의 두께 및 조성을 예측하는 시뮬레이션에 사용되는 매개변수를 추출하는 방법
10 10
제 1항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 의해 원자층증착법을 이용하여 증착된 박막의 두께 및 조성을 예측하는 시뮬레이터
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.