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매우작은소오스영역을갖는자기정렬된수직이중확산형전력MOSFET의제조방법

  • 기술번호 : KST2015117884
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 내용없음
Int. CL H01L 29/66 (2006.01.01) H01L 21/3215 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01)
CPC H01L 29/66712(2013.01) H01L 29/66712(2013.01) H01L 29/66712(2013.01) H01L 29/66712(2013.01)
출원번호/일자 1019880002303 (1988.03.05)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0053302-0000 (1992.07.24)
공개번호/일자 10-1989-0015428 (1989.10.30) 문서열기
공고번호/일자 1019920003320 (19920427) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1988.03.05)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김충기 대한민국 서울시강남구
2 고요환 대한민국 서울시은평구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 장수길 대한민국 서울특별시 종로구 사직로*길 **, 세양빌딩 (내자동) *층(김.장법률사무소)
2 김성택 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 서울시성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1988.03.05 수리 (Accepted) 1-1-1988-0013301-17
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1988.03.05 수리 (Accepted) 1-1-1988-0013304-43
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1988.03.05 수리 (Accepted) 1-1-1988-0013303-08
4 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1988.03.05 수리 (Accepted) 1-1-1988-0013302-52
5 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1988.12.27 수리 (Accepted) 1-1-1988-0013305-99
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1991.04.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1988-0007576-41
7 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 1991.05.29 수리 (Accepted) 1-1-1988-0013306-34
8 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 1991.05.29 수리 (Accepted) 1-1-1988-0013307-80
9 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 1991.06.29 수리 (Accepted) 1-1-1988-0013308-25
10 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1991.07.16 수리 (Accepted) 1-1-1988-0013310-17
11 의견서
Written Opinion		 1991.07.16 수리 (Accepted) 1-1-1988-0013309-71
12 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1991.11.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1988-0007577-97
13 의견서
Written Opinion		 1991.12.16 수리 (Accepted) 1-1-1988-0013311-63
14 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1991.12.16 수리 (Accepted) 1-1-1988-0013312-19
15 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1992.03.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1988-0007578-32
16 등록사정서
Decision to grant		 1992.07.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1988-0007580-24
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.08 수리 (Accepted) 4-1-1999-0002352-05
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008675-76
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.02.01 수리 (Accepted) 4-1-1999-0025779-69
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.03.03 수리 (Accepted) 4-1-1999-0041039-77
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.06.21 수리 (Accepted) 4-1-1999-0085486-82
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2004-0001933-29
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.03.19 수리 (Accepted) 4-1-2004-0012166-74
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
25 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
26 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
27 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
28 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
29 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
30 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

매우 작은 소오스 영역을 갖는 자기 정렬된 수직 이중 확산형 전력 MOSFET 제조방법에 있어서, n+형 실리콘 기판(30)위에 n_형 에피택셜층(31)을 성장시키고, 소자 영역에 얇은 게이트 산화막층을 형성한 다음 게이트(34)를 형성하는 단계, 상기 n-형 에피택셜층(31)에 붕소를 이온 주입시킨 후 열처리하여 p-형 몸체 영역(32)를 형성하는 단계, 매우 작은 n+형 영역(38)을 형성하는 단계 및 백금 실리사이드(39)를 이용하여 n+형 영역(38)과 p-형 몸체(32)를 병렬 연결시켜 소오스(40)를 형성하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 전력 MOSFET의 제조방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 매우 작은 n+형 영역을 형성하는 단계가 n형 불순물이 도우핑된 산화막(37)을 RIE 공정을 사용하여 다결정 실리콘 게이트(34) 양측에 남기고 이를 이용하여 작은 n+형 확산 영역(38)을 만드는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP02009137 JP 일본 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP2009137 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JPH029137 JP 일본 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.