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선택적 산화막 다공성 실리콘층을 이용한 패키징 방법

  • 기술번호 : KST2015118357
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 포토레지스트를 이용하여 선택적으로 산화막 다공성 실리콘층을 형성하는 방법 및 그 응용에 관한 것으로, 포토레지스트를 양극화반응(Anodization)을 위한 마스크로 이용하여 선택적으로 형성한 산화막 다공성 실리콘층을 멀티칩 패키징용 기판에 응용하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 선택적 산화막 다공성 실리콘 형성 방법은, 실리콘 기판에 일정 패턴의 포토레지스트를 형성하는 단계와, 형성된 포토레지스트를 마스크로 하여 선택적으로 산화막 다공성 실리콘층을 형성하는 양극화 단계와, 상기 포토레지스트를 제거하는 단계로 구성된다. 기존의 제조 방법이 CVD에 의한 절연막 중착 공정이나 이온중입공정을 포함하던 것에 비해, 본 발명에 따른 방법은 단순한 포토리소그라피 기술에 의해 다공성 실리콘층을 형성하기 때문에 공정이 단순해지고 제조원가가 떨어진다. 또한 이방법으로 형성된 다공성 실리콘층을 멀티칩 패키지용 기판으로 적용하여, 실리콘이 갖는 우수한 열전도특성에 의해 칩에서 발생하는 열을 효율적으로 발산시킬수 있다.
Int. CL H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 23/14 (2006.01.01)
CPC H01L 21/02258(2013.01) H01L 21/02258(2013.01) H01L 21/02258(2013.01)
출원번호/일자 1019960035061 (1996.08.23)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0235181-0000 (1999.09.21)
공개번호/일자 10-1998-0015648 (1998.05.25) 문서열기
공고번호/일자 (19991215) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1996.08.23)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 권영세 대한민국 대전광역시 유성구
2 남충모 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이한영 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로**길 ** (서초동, 아트스페이스 ***빌딩 *층)(리앤리국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
1996.08.23 수리 (Accepted) 1-1-1996-0124289-92
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
1996.08.23 수리 (Accepted) 1-1-1996-0124290-38
3 출원심사청구서
Request for Examination
1996.08.23 수리 (Accepted) 1-1-1996-0124291-84
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.01.08 수리 (Accepted) 4-1-1999-0002352-05
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008675-76
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
1999.01.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0017882-20
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.02.01 수리 (Accepted) 4-1-1999-0025779-69
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.03.03 수리 (Accepted) 4-1-1999-0041039-77
9 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
1999.03.25 수리 (Accepted) 1-1-1999-5126977-85
10 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
1999.04.26 수리 (Accepted) 1-1-1999-5164027-16
11 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items
1999.05.25 수리 (Accepted) 1-1-1999-5195592-17
12 의견서
Written Opinion
1999.05.25 수리 (Accepted) 1-1-1999-5195591-61
13 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
1999.05.25 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-1999-5195593-52
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.06.21 수리 (Accepted) 4-1-1999-0085486-82
15 등록사정서
Decision to grant
1999.07.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0216950-05
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2004.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2004-0001933-29
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2004.03.19 수리 (Accepted) 4-1-2004-0012166-74
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

실리콘 기판에 일정 패턴의 포토레지스트를 형성하는 단계와, 형성된 포토레지스트를 마스크로 하여 선택적으로 산화막 다공성 실리콘층을 형성하는 양극화 단계와, 상기 포토레지스트를 제거하는 단계와, 형성된 산화막 다공성 실리콘층 위에 다수의 플립칩을 탑재하는 단계와, 상기 플립칩의 패드와 기판의 패드를 연결하는 단계로 구성되는, 선택적산화막 다공성 실리콘층을 이용한 패키징 방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 플립칩의 패드와 기판의 패드를 연결하는 수단은 솔더범퍼인 것을 특징으로 하는 선택적 산화막다공성 실리콘층을 이용한 패키징 방법

3 3

제1항에 있어서, 상기 플립칩의 패드와 기판의 패드를 연결하는 수단은 본딩와이어인 것을 특징으로 하는 선택적 산화막 다공성 실리콘층을 이용한 패키징 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.