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박막 트랜지스터

  • 기술번호 : KST2015136010
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에서는 열화 정도를 줄일 수 있는 박막 트랜지스터가 개시된다.일 예로, 기판의 일면에 형성된 게이트 전극과, 상기 게이트 전극을 감싸면서 상기 기판의 상부에 형성된 게이트 절연층과, 상기 게이트 절연층의 상부에 형성된 채널 영역, 상기 채널 영역의 양 가장자리에 형성된 소스 영역 및 드레인 영역을 포함하는 반도체층과, 상기 반도체층의 적어도 일 영역을 감싸면서 형성되는 패시베이션층을 포함하고, 상기 채널 영역은 상호간에 이격되어 배열된 복수개의 채널을 포함하여 형성되는 박막 트랜지스터가 개시된다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01.01) H01L 21/336 (2006.01.01)
CPC H01L 29/78696(2013.01) H01L 29/78696(2013.01)
출원번호/일자 1020120009171 (2012.01.30)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2013-0087914 (2013.08.07) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.01.30)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최성환 대한민국 서울 관악구
2 한민구 대한민국 서울 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서만규 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *** *층 (역삼동, 현죽빌딩)(특허법인성암)
2 서경민 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *** *층 (역삼동, 현죽빌딩)(특허법인성암)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.01.30 수리 (Accepted) 1-1-2012-0077199-55
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.03.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0166308-93
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.05.13 수리 (Accepted) 1-1-2013-0421429-22
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.05.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0421432-60
6 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2013.09.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0628300-32
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판의 일면에 형성된 게이트 전극;상기 게이트 전극을 감싸면서 상기 기판의 상부에 형성된 게이트 절연층;상기 게이트 절연층의 상부에 형성된 채널 영역, 상기 채널 영역의 양 가장자리에 형성된 소스 영역 및 드레인 영역을 포함하는 반도체층;상기 반도체층의 적어도 일 영역을 감싸면서 형성되는 패시베이션층을 포함하고,상기 채널 영역은 상호간에 이격되어 배열된 복수개의 채널을 포함하여 형성된 박막 트랜지스터
2 2
제 1 항에 있어서,상기 채널 영역의 채널들은 각각 동일한 폭 및 동일한 간격을 갖도록 형성된 박막 트랜지스터
3 3
제 1 항에 있어서,상기 채널 영역의 채널들은 서로 다른 적어도 두 개의 폭을 갖도록 형성되는 박막 트랜지스터
4 4
제 1 항에 있어서,상기 채널 영역의 채널들은 중앙 영역에 배열된 채널의 폭이 가장자리 영역에 형성된 채널의 폭과 상이하게 형성된 박막 트랜지스터
5 5
제 1 항에 있어서,상기 채널 영역의 채널들은 서로 다른 적어도 두 개의 간격을 갖도록 배열되는 박막 트랜지스터
6 6
제 1 항에 있어서,상기 채널 영역의 채널들은 중앙 영역에 배열된 채널의 간격의 가장자리 영역에 형성된 채널의 간격과 상이하게 형성된 박막 트랜지스터
7 7
제 1 항에 있어서,상기 채널 영역의 채널들은 중앙 영역에 배열된 채널의 간격이 가장자리 영역에 형성된 채널의 간격보다 넓게 배열된 박막 트랜지스터
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 서울대학교 산학협력단 산업원천기술개발사업 고품위 plastic AMOLED 원천 기술 개발