| 1 |
1
반도체 기판;상기 반도체 기판 상에 형성된 게이트 절연막; 및상기 게이트 절연막 상에 형성된 전극을 포함하며,상기 게이트 절연막은 상기 반도체 기판 상에 형성된 AlON로 이루어진 제1 유전막과, 상기 제1 유전막 상에 형성된 HfO2 또는 HfON로 이루어진 제2 유전막을 포함하는 반도체 소자
|
| 2 |
2
제1항에 있어서상기 제1 유전막은 5∼60Å의 두께를 가지며, 상기 제2 유전막은 10∼100Å의 두께를 갖는 것을 특징으로 반도체 소자
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 제1 유전막은 5∼10Å의 두께를 가지며, 상기 게이트 절연막의 전체두께는 60Å이하인 것을 특징으로 반도체 소자
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,상기 게이트 절연막은 상기 제2 유전막 상에 형성된 추가적인 AlON막을 더 포함하는 3층구조인 것을 특징으로 하는 반도체 소자
|
| 5 |
5
제4항에 있어서,상기 추가적인 AlON막은 5∼60Å의 두께를 갖는 것을 특징으로 반도체 소자
|
| 6 |
6
제1항에 있어서,상기 게이트 절연막은 상기 제2 유전막 상에 상기 제1 및 제2 유전막이 적어도 1회 반복되어 형성된 다층구조인 것을 특징으로 하는 반도체 소자
|
| 7 |
7
제1항에 있어서,상기 반도체 기판은 실리콘 기판인 것을 특징으로 하는 반도체 소자
|
| 8 |
8
제1항에 있어서,상기 반도체 소자는 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 반도체 소자
|
| 9 |
9
반도체 기판;상기 반도체 기판 상에 형성된 하부전극;상기 하부전극 상에 형성된 유전체층; 및상기 유전체층 상에 형성된 상부전극을 포함하며,상기 유전체층은 상기 하부전극 상에 형성된 AlON로 이루어진 제1 유전막과, 상기 제1 유전막 상에 형성된 HfO2 또는 HfON로 이루어진 제2 유전막을 포함하는 반도체 소자
|
| 10 |
10
제9항에 있어서상기 제1 유전막은 5∼60Å의 두께를 가지며 상기 제2 유전막은 10∼100Å의 두께를 갖는 것을 특징으로 반도체 소자
|
| 11 |
11
제9항에 있어서,상기 제1 유전막은 5∼10Å의 두께를 가지며, 상기 유전체층의 전체두께는 60Å이하인 것을 특징으로 반도체 소자
|
| 12 |
12
제9항에 있어서,상기 유전체층은 상기 제2 유전막 상에 형성된 추가적인 AlON막을 더 포함하는 3층구조인 것을 특징으로 하는 반도체 소자
|
| 13 |
13
제12항에 있어서,상기 추가적인 AlON막은 5∼60Å의 두께를 갖는 것을 특징으로 반도체 소자
|
| 14 |
14
제9항에 있어서,상기 유전체층은 상기 제2 유전막 상에 상기 제1 및 제2 유전막이 적어도 1회 반복되어 형성된 다층구조인 것을 특징으로 하는 반도체 소자
|
| 15 |
15
제9항에 있어서,상기 반도체 기판은 실리콘 기판인 것을 특징으로 하는 반도체 소자
|
| 16 |
16
제9항에 있어서,상기 반도체 소자는 캐패시터 또는 ReRAM인 것을 특징으로 하는 반도체 소자
|
| 17 |
17
반도체 기판을 마련하는 단계;상기 반도체 기판 상에 Al막을 증착하는 단계;상기 Al막을 산화/질화(oxy-nitiridation)시킴으로써 AlON인 제1 유전막을 형성하는 단계; 및상기 제1 유전막 상에 형성된 HfO2 또는 HfON로 이루어진 제2 유전막을 형성하는 단계를 포함하는 포함하는 반도체 소자 제조방법
|
| 18 |
18
제17항에 있어서상기 제1 유전막은 5∼60Å의 두께를 가지며, 상기 제2 유전막은 10∼100Å의 두께를 갖는 것을 특징으로 반도체 소자 제조방법
|
| 19 |
19
제17항에 있어서,상기 제1 유전막은 5∼10Å의 두께를 가지며, 상기 게이트 절연막의 전체두께는 60Å이하인 것을 특징으로 반도체 소자 제조방법
|
| 20 |
20
제17항에 있어서,상기 제2 유전막 상에 추가적인 AlON막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법
|
| 21 |
21
제20항에 있어서,상기 추가적인 AlON막은 5∼60Å의 두께를 갖는 것을 특징으로 반도체 소자 제조방법
|
| 22 |
22
제17항에 있어서,상기 제2 유전막 상에 상기 제1 및 제2 유전막을 적어도 1회 반복하여 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법
|
| 23 |
23
제17항에 있어서,상기 반도체 기판은 실리콘 기판인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법
|
