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비휘발성 저항 변화 메모리 소자 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015174896
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 비휘발성 저항 변화 메모리 소자 및 이의 제조방법을 제공한다. 상기 비휘발성 저항 변화 메모리 소자는 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 위치하는 전도성 나노 입자, 상기 전도성 나노 입자 상에 위치하는 저항 변화 물질막 및 상기 저항 변화 물질막 상에 위치하는 제2 전극을 포함한다. 또한, 상기 비휘발성 저항변화 메모리소자 제조방법은 제1 전극 상에 전도성 나노 입자 함유 단백질 결정층을 형성하는 단계, 상기 전도성 나노 입자 함유 단백질 결정층의 단백질을 제거하여 상기 제1 전극 상에 전도성 나노 입자를 형성하는 단계, 상기 전도성 나노 입자 상에 저항 변화 물질막을 형성하는 단계 및 상기 저항 변화 물질막 상에 제2 전극을 배치시키는 단계를 포함한다. 비휘발성 메모리, 저항변화 메모리, 전도성 나노 입자
Int. CL H01L 21/8247 (2006.01) H01L 27/115 (2006.01) B82Y 10/00 (2011.01)
CPC H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01)
출원번호/일자 1020090035389 (2009.04.23)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-1139851-0000 (2012.04.18)
공개번호/일자 10-2010-0116793 (2010.11.02) 문서열기
공고번호/일자 (20120502) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.04.23)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 황현상 대한민국 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.04.23 수리 (Accepted) 1-1-2009-0245559-47
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.12.22 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.01.18 수리 (Accepted) 9-1-2011-0004971-16
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.01.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0051525-51
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.03.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0225787-30
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.03.28 수리 (Accepted) 1-1-2011-0225743-32
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
8 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2011.10.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0625074-13
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.11.02 수리 (Accepted) 1-1-2011-0862637-19
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.11.02 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2011-0862660-60
11 등록결정서
Decision to grant		 2012.03.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0185281-04
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번호 청구항
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제1 전극 상에 전도성 나노 입자 함유 단백질 결정층을 형성하는 단계;상기 전도성 나노 입자 함유 단백질 결정층의 단백질을 제거하여 상기 제1 전극 상에 전도성 나노 입자를 형성하는 단계; 상기 전도성 나노 입자 상에 저항 변화 물질막을 형성하는 단계; 상기 전도성 나노 입자를 열처리하여 환원시키는 단계; 및상기 저항 변화 물질막 상에 제2 전극을 배치시키는 단계를 포함하되, 상기 열처리는 400℃ 내지 900℃의 온도 범위에서 수행되는 비휘발성 메모리소자 제조방법
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제5항에 있어서, 상기 전도성 나노 입자 함유 단백질 결정층은 자기조립방법을 사용하여 형성하는 비휘발성 메모리소자 제조방법
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제5항에 있어서, 상기 단백질의 제거는 자외선 처리 또는 오존 처리를 이용하여 수행되는 비휘발성 메모리소자 제조방법
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제5항에 있어서, 상기 환원은 수소분위기에서 이루어지는 비휘발성 메모리소자 제조방법
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제5항에 있어서,상기 전도성 나노 입자는 Fe, Ni, Cr 또는 Co인 비휘발성 메모리소자 제조방법
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1 지식경제부 산업자원부 산자부의 산업기술개발사업 고신뢰성 ReRAM 소자개발