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선택소자 및 3차원 구조 저항 변화 메모리 소자를 갖는 저항 변화 메모리 소자 어레이, 전자제품 및 소자 어레이 제조방법

  • 기술번호 : KST2015174663
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 선택소자 및 3차원 구조 저항 변화 메모리 소자를 갖는 저항 변화 메모리 소자 어레이, 전자제품 및 상기 소자 제조방법을 제공한다. 상기 소자 어레이는 기판 상에 서로 평행하게 배열된 복수개의 제1 방향 데이터선들을 구비한다. 상기 제1 방향 데이터선들의 서로 마주보는 측벽들 사이에 복수개의 도전성 필라들(conductive pillars)이 일렬로 위치한다. 상기 각 도전성 필라의 측벽과 이에 인접하는 상기 데이터선의 측벽 사이에 저항변화물질막이 위치한다. 상기 도전성 필라들에 선택 소자들이 각각 전기적으로 연결된다.
Int. CL H01L 21/8247 (2006.01) H01L 27/115 (2006.01)
CPC H01L 27/2463(2013.01) H01L 27/2463(2013.01) H01L 27/2463(2013.01) H01L 27/2463(2013.01)
출원번호/일자 1020090035445 (2009.04.23)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-1088487-0000 (2011.11.24)
공개번호/일자 10-2010-0116826 (2010.11.02) 문서열기
공고번호/일자 (20111130) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.04.23)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 황현상 대한민국 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.04.23 수리 (Accepted) 1-1-2009-0246106-57
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.01.17 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.02.18 수리 (Accepted) 9-1-2011-0010899-12
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.03.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0125257-88
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.05.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0331598-16
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.05.04 수리 (Accepted) 1-1-2011-0331595-80
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
8 등록결정서
Decision to grant		 2011.11.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0684035-60
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 서로 평행하게 배열된 한 쌍의 제1 방향 데이터선들; 상기 제1 방향 데이터선들 상에 상기 제1 방향 데이터선들에 교차하고 서로 평행하게 배열된 한 쌍의 제2 방향 데이터선들; 상기 제1 방향 데이터선들의 서로 마주보는 측벽들과 상기 제2 방향 데이터선들의 서로 마주보는 측벽들로 둘러싸인 공간 내에 배치된 도전성 필라(conductive pillar); 상기 도전성 필라의 측벽과 이에 인접하는 상기 데이터선의 측벽 사이에 위치하는 저항변화물질막; 및 상기 도전성 필라에 전기적으로 연결된 선택 소자를 포함하는 저항 변화 메모리 소자 어레이
2 2
제1항에 있어서, 상기 선택 소자들은 선택 트랜지스터들이고, 상기 선택 트랜지스터들은 서로 평행한 복수개의 워드라인들과 상기 워드라인들에 교차하는 비트라인들의 교차지점들에 각각 위치하고, 상기 각 선택 트랜지스터의 게이트는 상기 각 워드라인에 전기적으로 접속하고, 소오스/드레인들 중 하나는 상기 각 비트라인에 전기적으로 접속하며, 소오스/드레인들 중 나머지 하나는 상기 각 도전성 필라에 전기적으로 접속하는 저항 변화 메모리 소자 어레이
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서, 상기 도전성 필라의 측벽과 상기 저항변화물질막 사이, 또는 상기 저항변화물질막과 상기 데이터선 사이에 위치하는 터널링 배리어 절연막을 더 포함하는 저항 변화 메모리 소자 어레이
5 5
제1항에 있어서, 상기 저항변화물질막은 금속산화물막(transition metal oxide layer), PCMO(Pr1-XCaXMnO3, 0003c#X003c#1)막, 칼코게나이드(chalcogenide)막, 페로브스카이트(perovskite)막, 또는 금속도핑된 고체전해질막인 저항 변화 메모리 소자 어레이
6 6
기판 내에 형성된 소자분리막에 의해 정의된 활성영역; 상기 활성영역을 가로지르는 워드라인; 상기 워드라인 상에 서로 평행하게 배열된 한 쌍의 제1 방향 데이터선들; 상기 제1 방향 데이터선들 상에 상기 제1 방향 데이터선들에 교차하고 서로 평행하게 배열된 한 쌍의 제2 방향 데이터선들; 상기 제1 방향 데이터선들의 서로 마주보는 측벽들과 상기 제2 방향 데이터선들의 서로 마주보는 측벽들로 둘러싸인 공간 내에 위치하고, 상기 워드라인의 일측부에 노출된 활성영역에 전기적으로 접속하는 도전성 필라; 및 상기 도전성 필라의 측벽과 이에 인접하는 상기 데이터선의 측벽 사이에 위치하는 저항변화물질막을 포함하는 저항 변화 메모리 소자 어레이
7 7
제6항에 있어서, 상기 워드라인의 타측부에 노출된 활성영역에 전기적으로 접속하고 상기 워드라인의 상부를 가로지르는 비트라인을 더 포함하는 저항 변화 메모리 소자 어레이
8 8
삭제
9 9
제6항에 있어서, 상기 도전성 필라의 측벽과 상기 저항변화물질막 사이, 또는 상기 저항변화물질막과 상기 데이터선 사이에 위치하는 터널링 배리어 절연막을 더 포함하는 저항 변화 메모리 소자 어레이
10 10
기판 내에 소자분리막을 형성하여 활성영역을 정의하는 단계; 상기 활성영역을 가로지르는 워드라인을 형성하는 단계; 상기 워드라인 상에 서로 평행하게 배열된 적어도 한 쌍의 제1 방향 데이터선들을 형성하는 단계; 상기 제1 방향 데이터선들 상에 상기 제1 방향 데이터선들에 교차하고 서로 평행하게 배열된 제2 방향 데이터선들을 형성하는 단계; 상기 제1 방향 데이터선들의 서로 마주보는 측벽들과 상기 제2 방향 데이터선들의 서로 마주보는 측벽들로 둘러싸인 공간 내에 위치하고, 상기 워드라인의 일측부에 노출된 활성영역에 전기적으로 접속하는 도전성 필라를 형성하는 단계; 및 상기 도전성 필라를 형성하기 전에 상기 데이터선들의 측벽들 상에 저항변화물질막을 형성하는 단계를 포함하는 저항 변화 메모리 소자의 제조방법
11 11
삭제
12 12
저항 변화 메모리 소자 및 이에 접속된 프로세서를 구비하는 전자제품에 있어서, 상기 저항 변화 메모리 소자는 기판 상에 서로 평행하게 배열된 한 쌍의 제1 방향 데이터선들; 상기 제1 방향 데이터선들 상에 상기 제1 방향 데이터선들에 교차하고 서로 평행하게 배열된 한 쌍의 제2 방향 데이터선들; 상기 제1 방향 데이터선들의 서로 마주보는 측벽들과 상기 제2 방향 데이터선들의 서로 마주보는 측벽들로 둘러싸인 공간 내에 배치된 도전성 필라(conductive pillar); 상기 도전성 필라의 측벽과 이에 인접하는 상기 데이터선의 측벽 사이에 위치하는 저항변화물질막; 및 상기 도전성 필라에 전기적으로 연결된 선택 소자를 포함하는 전자제품
13 13
제12항에 있어서, 상기 선택 소자들은 선택 트랜지스터들이고, 상기 선택 트랜지스터들은 서로 평행한 복수개의 워드라인들과 상기 워드라인들에 교차하는 비트라인들의 교차지점들에 각각 위치하고, 상기 각 선택 트랜지스터의 게이트는 상기 각 워드라인에 전기적으로 접속하고, 소오스/드레인들 중 하나는 상기 각 비트라인에 전기적으로 접속하며, 소오스/드레인들 중 나머지 하나는 상기 각 도전성 필라에 전기적으로 접속하는 전자제품
14 14
삭제
15 15
제12항에 있어서, 상기 도전성 필라의 측벽과 상기 저항변화물질막 사이, 또는 상기 저항변화물질막과 상기 데이터선 사이에 위치하는 터널링 배리어 절연막을 더 포함하는 전자제품
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4 WO2010101340 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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1 지식경제부 산업자원부 산자부의 산업기술개발사업 고신뢰성 ReRAM 소자개발