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2차원 운모 시트를 포함하는 메모리 소자 및 그 제조 방법(Memory element comprising 2-dimensional mica sheet and manufacturing method thereof)

  • 기술번호 : KST2017012350
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 메모리소자의 제조 방법이 제공된다.상기 메모리 소자의 제조 방법은, 제1 전극을 갖는 기판을 준비하는 단계, 용액 공정으로 상기 제1 전극 상에 고분자로 형성된 터널막을 형성하는 단계, 용액 공정으로 상기 터널막 상에 2차원 운모 시트를 포함하는 정보 저장막을 형성하는 단계, 용액 공정으로 상기 정보 저장막 상에 고분자로 형성된 블로킹막을 형성하는 단계, 및 상기 블로킹막 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
Int. CL H01L 21/768 (2016.02.26) H01L 21/48 (2016.02.26) H01L 21/02 (2016.02.26)
CPC H01L 21/76841(2013.01) H01L 21/76841(2013.01) H01L 21/76841(2013.01) H01L 21/76841(2013.01) H01L 21/76841(2013.01)
출원번호/일자 1020160005282 (2016.01.15)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0086156 (2017.07.26) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.11.16)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김태환 대한민국 서울 강남구
2 임원규 대한민국 충청북도 청주시 청원구
3 이대욱 대한민국 경기도 고양시 일산동구
4 김현우 대한민국 서울특별시 서대문구
5 나한길 대한민국 인천광역시 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박상열 대한민국 서울 금천구 가산디지털*로 *** **층 ****호(나눔국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.01.15 수리 (Accepted) 1-1-2016-0046833-27
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
4 [심사청구]심사청구서·우선심사신청서
 2020.11.16 수리 (Accepted) 1-1-2020-1225506-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 전극을 갖는 기판을 준비하는 단계;용액 공정으로 상기 제1 전극 상에 고분자로 형성된 터널막을 형성하는 단계;용액 공정으로 상기 터널막 상에 2차원 운모 시트를 포함하는 정보 저장막을 형성하는 단계;용액 공정으로 상기 정보 저장막 상에 고분자로 형성된 블로킹막을 형성하는 단계; 및상기 블로킹막 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 메모리 소자의 제조 방법
2 2
제1 항에 있어서,상기 터널막 및 상기 블로킹막은 동일한 고분자로 형성되는 것을 포함하는 메모리 소자의 제조 방법
3 3
제1항에 있어서,상기 제2 전극을 형성하는 단계는,상기 블로킹막 상에, 서로 이격된 복수의 전극 패턴들을 형성하는 단계; 및 상기 복수의 전극 패턴들 중에서 일부를 상기 제2 전극으로 정의하고, 나머지 일부를 더미 전극 패턴으로 정의하는 단계를 포함하는 메모리 소자의 제조 방법
4 4
제3 항에 있어서,상기 블로킹막의 상부면은 중앙 부분 ？？ 상기 중앙 부분을 둘러싸는 가장자리 부분을 포함하고,상기 복수의 전극 패턴들 중에서, 상기 블로킹막의 상기 중앙 부분 상에 형성된 일부가 상기 더미 전극 패턴 및 상기 재2 전극으로 정의되는 것을 포함하는 메모리 소자의 제조 방법
5 5
제3 항에 있어서,상기 정보 저장막을 형성하는 단계는,용매 내에 상기 2차원 운모 시트를 혼합하여, 소스 용액을 제조하는 단계;상기 소스 용액을 상기 터널막 상에 스핀 코팅하는 단계를 포함하는 매모리 소자의 재조 방법
6 6
제5 항에 있어서,상기 소스 용액을 상기 터널막 상에 스핀 코팅하는 단계는 복수회 반복수행되는 것을 포함하는 메모리 소자의 제조 방법
7 7
제5항에 있어서,상기 터널막 상에 상기 소스 용액의 스핀 코팅이 반복 수행되는 횟수에 따라서, 상기 제2 전극으로 정의되는 상기 전극 패턴의 개수가 조절되는 것을 포함하는 메모리 소자의 제조 방법
8 8
제7 항에 있어서,상기 스핀코팅의 rpm에 따라서, 상기 제2 전극으로 정의되는 상기 전극 패턴의 수가 증가되는 것을 포함하는 메모리 소자의 제조 방법
9 9
기판 상의 제1 전극;상기 제1 전극 상에 배치되고, 고분자로 형성된 터널막;상기 터널막 상에 배치되고, 2차원 운모 시트를 포함하는 정보 저장막;상기 정보 저장막 상에 배치되고, 상기 터널막과 동일한 고분자로 형성된 블로킹막;상기 블로킹막 상에 배치된 제2 전극을 포함하는 메모리 소자
10 10
제9항에 있어서,상기 블로킹막 상에 배치된 더미 전극을 더 포함하는 메모리 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 (재)한국연구재단 이공분야 기초연구사업 / 중견연구자지원사업 / 도약연구(도전) 나노 복합체 기반 memristive 메모리 소자와 고효율 유기 발광 소자 개발