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실리콘을 포함하는 기판을 준비하는 제 1 단계;상기 실리콘을 포함하는 기판의 상면으로부터 하방으로 복수의 트렌치를 형성하는 제 2 단계; 및상기 복수의 트렌치를 가지는 상기 실리콘을 포함하는 기판을 열산화 처리함으로써, 상기 실리콘을 포함하는 기판의 노출면에 열산화막(thermal oxidation layer)이 형성되면서 동시에 상기 복수의 트렌치의 공간까지 메우는, 절연패턴을 형성하는 제 3 단계; 를 포함하되, 상기 제 3 단계 후에, 상기 실리콘을 포함하는 기판의 상면 및 하면에 형성된 열산화막을 제거하는 단계;상기 실리콘을 포함하는 기판의 상면과 지지 기판을 접합 하는 단계;상기 실리콘을 포함하는 기판 중에서 상기 절연패턴의 높이에 해당하는 영역을 제외하고 나머지 레벨의 영역을 제거하는 단계; 상기 실리콘을 포함하는 기판의 상면과 상기 지지 기판 사이의 접합 계면이 노출되도록 상기 지지 기판의 일부를 제거하는 단계; 및상기 지지 기판 및 상기 실리콘을 포함하는 기판에 배선패턴을 형성하는 단계;를 포함하는, 실리콘 전기접속 기판의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 제 2 단계에서, 상기 복수의 트렌치는 트렌치와 바로 인접한 트렌치 사이의 이격거리(W)와 트렌치의 폭(K)의 비(K/W)가 1/1
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제 1 항에 있어서,상기 지지 기판은 글래스 지지 기판이며, 상기 실리콘을 포함하는 기판의 상면과 상기 지지 기판을 접합 하는 단계는 상기 실리콘을 포함하는 기판의 상면과 상기 글래스 지지 기판을 양극접합 하는 단계를 포함하는, 실리콘 전기접속 기판의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 지지 기판은 실리콘 지지 기판이며,상기 실리콘을 포함하는 기판의 상면과 상기 지지 기판을 접합 하는 단계는 상기 실리콘을 포함하는 기판의 상면과 상기 실리콘 지지 기판을 용융접합 하는 단계를 포함하는, 실리콘 전기접속 기판의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 실리콘을 포함하는 기판 중에서 상기 절연패턴의 높이에 해당하는 영역을 제외하고 나머지 레벨의 영역을 제거하는 단계를 수행함으로써, 상기 절연패턴은 상기 실리콘을 포함하는 기판을 관통하는 비아패턴으로 구현되는 것을 특징으로 하는, 실리콘 전기접속 기판의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 접합 계면이 노출되도록 상기 지지 기판의 일부를 제거하는 단계는 상기 절연패턴이 아니라 상기 실리콘을 포함하는 기판이 노출되도록 상기 지지 기판의 일부를 제거하는 단계를 포함하는, 실리콘 전기접속 기판의 제조방법
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실리콘 지지층, 절연층 및 실리콘 소자층이 순차적으로 배치된 SOI(Silicon On Insulator) 웨이퍼를 준비하는 단계;상기 실리콘 소자층을 관통하는 복수의 트렌치를 형성하는 단계; 및상기 복수의 트렌치를 가지는 상기 실리콘 지지층을 열산화 처리함으로써, 상기 실리콘 지지층의 노출면에 열산화막(thermal oxidation layer)이 형성되면서 동시에 상기 복수의 트렌치의 공간까지 메우는, 절연패턴을 형성하는 단계; 상기 실리콘 지지층과 절연층을 관통하되, 상기 실리콘 소자층을 관통하는 절연패턴이 아니라 상기 실리콘 소자층을 노출시키는 개구부를 형성하는 단계;상기 개구부를 포함하는 상기 실리콘 지지층 상에 형성된 제 1 패시베이션층과 제 1 배선패턴을 형성하는 단계; 및상기 실리콘 소자층 상에 형성된 제 2 패시베이션층과 제 2 배선패턴을 형성하는 단계; 를 포함하는, 실리콘 전기접속 기판의 제조방법
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실리콘을 포함하는 기판;상기 실리콘을 포함하는 기판을 관통하되, 열산화공정으로 실리콘을 산화시킨 실리콘산화막으로 이루어진, 절연패턴;상기 실리콘을 포함하는 기판과 접합되되, 상기 절연패턴이 아니라 상기 실리콘을 포함하는 기판을 노출시키는 개구부를 가지는, 지지 기판;상기 개구부를 포함하는 상기 지지 기판 상에 형성된 제 1 배선패턴; 및상기 실리콘을 포함하는 기판 상에 형성된 제 2 배선패턴;을 포함하는, 실리콘 전기접속 기판
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