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반도체 나노와이어의 제조방법 및 그를 이용한 반도체 나노와이어 센서의 제조방법

  • 기술번호 : KST2019021733
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 반도체 나노와이어의 크기 또는 간격을 설정하는 단계; 기판 상에 제 1 박막 및 제 2 박막을 순차적으로 적층한 후 패터닝하여 중간구조체를 형성하되, 상기 제 1 박막의 측단부에 트렌치를 구비하도록 중간구조체를 형성하는 단계; 상기 기판의 노출된 영역에 상기 트렌치까지 메워지도록 반도체 물질을 성장시키는 단계; 및 상기 트렌치 내부를 제외한 영역에 성장된 반도체 물질을 식각하고 상기 제 2 박막을 제거함으로써 상기 트렌치에 대응되는 크기를 가지는 반도체 나노와이어 구조체가 형성되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 나노와이어 구조체의 제조방법 및 그를 이용한 반도체 나노와이어 센서의 제조방법을 제공한다.
Int. CL H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 29/06 (2006.01.01) H01L 21/027 (2006.01.01) H01L 21/762 (2006.01.01) H01L 21/768 (2006.01.01)
CPC H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01)
출원번호/일자 1020180076988 (2018.07.03)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-2041830-0000 (2019.11.01)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20191127) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.07.03)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박재홍 대전광역시 유성구
2 형정환 대전광역시 유성구
3 이병주 대전광역시 유성구
4 노길선 대전광역시 유성구
5 김광희 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인오암 대한민국 대전광역시 서구 문예로 **, *층 ***호(둔산동, 오성빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2018.07.03 수리 (Accepted) 1-1-2018-0653207-17
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2018.11.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2018.12.14 수리 (Accepted) 9-1-2018-0069903-31
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2019.06.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0457020-15
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2019.08.01 수리 (Accepted) 1-1-2019-0789525-55
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2019.08.01 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0789524-10
8 등록결정서
Decision to grant		 2019.10.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0785869-09
9 [명세서등 보정]보정서(심사관 직권보정)
 2019.11.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-5036237-99
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체 나노와이어 구조체의 크기 또는 간격을 설정하는 단계;기판 상에 제 1 박막 및 제 2 박막을 순차적으로 적층한 후 패터닝하고, 상기 설정된 크기에 따라 상기 제 1 박막의 측단부에 트렌치를 형성하되, 상기 패터닝된 제 1 박막의 측단부면을 일부 식각하여 트렌치의 길이를 조절하고, 상기 제 1 박막의 두께보다 얇도록 상기 제 1 박막과 동일한 성분의 물질막을 상기 기판 상에 증착하여 상기 트렌치의 폭을 조절하고, 상기 제 2 박막의 형태에 대응하도록 상기 증착된 물질막을 식각함으로써 상기 트렌치가 구비된 중간구조체를 형성하는 단계; 상기 기판의 노출된 영역에 상기 트렌치까지 메워지도록 반도체 물질을 성장시키는 단계; 및상기 트렌치 내부를 제외한 영역에 성장된 반도체 물질을 식각하고 상기 제 2 박막을 제거함으로써 상기 트렌치에 대응되는 크기를 가지는 반도체 나노와이어 구조체가 형성되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 나노와이어 구조체의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 기판은, Ⅳ족 반도체, Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체 또는 Ⅱ-Ⅵ족 산화물 반도체 중 선택된 하나의 것으로 벌크(bulk) 또는 에피텍셜(epitaxial) 기판인 것을 특징으로 하는 반도체 나노와이어 구조체의 제조방법
3 3
삭제
4 4
제 1 항에 있어서,상기 반도체 물질을 성장시키는 것은, 기판 상의 상기 노출된 면에 반도체 물질을 에피텍셜 성장 또는 증착함으로써 성장시키는 것을 특징으로 하는 반도체 나노와이어 구조체의 제조방법
5 5
제 1 항에 있어서,상기 제 2 박막의 제거 후 노출된 제 1 박막의 상부를 제거하여 상기 반도체 나노와이어 구조체의 외부면 일부를 노출하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 나노와이어 구조체의 제조방법
6 6
제 5 항에 있어서,상기 반도체 나노와이어 구조체의 외부면이 일부 노출된 기판의 상부면에 제 3 박막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 나노와이어 구조체의 제조방법
7 7
제 1 항, 제 2 항, 제 4 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항으로 제조된 반도체 나노와이어 구조체를 준비하는 단계;상기 반도체 나노와이어 구조체의 양 단부를 노출하고, 노출된 영역에 금속 배선을 형성하는 단계; 및 상기 반도체 나노와이어 구조체의 상부면 일부가 노출되도록 식각하여 채널을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 나노와이어 센서의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 나노종합기술원 나노·소재 기술개발사업 실용화 단계의 고감도 나노센서 집적공정 및 신호 컨디셔닝 기술개발
2 과학기술정보통신부 나노종합기술원 나노·소재 기술개발사업 나노 실리콘 기반 센서 표준공정 플랫폼 및 회로 기술개발