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기공층이 형성된 Ge 기판을 이용한 화합물 반도체 제조 방법

  • 기술번호 : KST2019024200
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일 실시예에 따른 기공층이 형성된 Ge 기판을 이용한 화합물 반도체 제조 방법은 Ge 기판을 마련하는 단계, Ge 기판에 소정의 크기의 복수의 이격된 홀을 생성하는 단계, Ge 기판을 열처리하여 Ge 기판의 상부에 홀을 밀폐시키는 박막을 생성시켜 Ge 기판의 내부에 기공층을 형성하는 단계, 박막 위에 화합물 반도체를 성장시키는 단계 및 기공층이 형성된 부분의 Ge 기판을 절단하여 박막 및 화합물 반도체를 Ge 기판으로부터 분리시키는 단계를 포함한다.
Int. CL H01L 31/0304 (2006.01.01) H01L 31/18 (2006.01.01) H01L 31/047 (2014.01.01) H01L 31/0216 (2014.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01)
CPC H01L 31/03046(2013.01) H01L 31/03046(2013.01) H01L 31/03046(2013.01) H01L 31/03046(2013.01) H01L 31/03046(2013.01)
출원번호/일자 1020170049167 (2017.04.17)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1905770-0000 (2018.10.01)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20181205) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.04.17)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 오지훈 대한민국 대전광역시 유성구
2 박상현 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 제일특허법인(유) 대한민국 서울특별시 서초구 마방로 ** (양재동, 동원F&B빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.04.17 수리 (Accepted) 1-1-2017-0373501-01
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2017.06.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2017.08.09 수리 (Accepted) 9-1-2017-0026045-96
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.01.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0055907-34
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.03.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0291420-34
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.03.23 수리 (Accepted) 1-1-2018-0291419-98
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2018.07.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0458297-77
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.08.03 수리 (Accepted) 1-1-2018-0771081-85
9 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2018.08.03 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2018-0771082-20
10 등록결정서
Decision to Grant Registration
2018.08.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0566862-19
11 [명세서등 보정]보정서(심사관 직권보정)
2018.11.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-5022288-00
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
Ge 기판을 마련하는 단계;상기 Ge 기판에 소정의 크기의 복수의 홀을 사각형의 격자 배열 모양으로 이격되게 형성하는 단계;상기 Ge 기판을 열처리하여 상기 Ge 기판의 상부에 상기 홀을 밀폐시키는 박막을 생성시켜 상기 Ge 기판의 내부에 기공층을 형성하되, 상기 홀의 지름에 대한 깊이의 비율 및 근접하고 있는 홀의 중점을 이은 도형의 면적에 대한 상기 도형 내에 생성된 홀의 면적의 비율인 공극률을 조절함으로써, 상기 기공층이 구형 형태 또는 평판 형태 중 어느 하나를 갖도록 결정하는 단계;상기 박막 위에 화합물 반도체를 성장시키는 단계; 및상기 기공층이 형성된 부분의 Ge 기판을 절단하여 상기 박막 및 상기 화합물 반도체를 상기 Ge 기판으로부터 분리시키는 단계를 포함하고,상기 복수의 홀을 형성하는 단계는,상기 Ge 기판의 상부에 레진을 도포하는 단계;상기 레진에 복수의 이격된 함몰부를 생성하는 단계;상기 복수의 이격된 함몰부를 식각하여 상기 Ge 기판에 상기 복수의 홀을 형성하는 단계;상기 레진을 제거하는 단계; 및상기 레진을 제거한 후 상기 Ge 기판에 HBr를 가하여 상기 Ge 기판을 클리닝하는 단계를 포함하는기공층이 형성된 Ge 기판을 이용한 화합물 반도체 제조 방법
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서,상기 복수의 이격된 함몰부를 생성하는 단계는,일면에 외측으로 연장된 복수의 이격된 돌기 모형을 갖는 형틀을 상기 레진에 압착시키고 상기 레진을 열 또는 빛으로 경화시켜 상기 함몰부를 생성시키는 단계를 포함하는기공층이 형성된 Ge 기판을 이용한 화합물 반도체 제조 방법
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삭제
5 5
삭제
6 6
제1항에 있어서,상기 복수의 홀은,상기 사각형의 격자 배열 모양의 적어도 하나 이상의 격자점에서 존재하지 않도록 형성되는 기공층이 형성된 Ge 기판을 이용한 화합물 반도체 제조 방법
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제6항에 있어서,상기 복수의 홀은,상기 홀의 지름에 대한 깊이의 비율이 5 이상 9 이하이고, 상기 공극률이 40% 이상 50% 이하인기공층이 형성된 Ge 기판을 이용한 화합물 반도체 제조 방법
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제6항에 있어서,상기 복수의 홀은,상기 홀의 지름에 대한 깊이의 비율이 3 이상 6
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제1항에 있어서,상기 기공층을 형성하는 단계는,수소를 포함하는 공간에서 상기 Ge 기판을 열처리하는 단계를 포함하는기공층이 형성된 Ge 기판을 이용한 화합물 반도체 제조 방법
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Ge 기판을 마련하는 단계;상기 Ge 기판에 소정의 크기의 복수의 홀을 사각형의 격자 배열 모양으로 이격되게 형성하는 단계; 상기 Ge 기판을 열처리하여 상기 Ge 기판의 상부에 상기 홀을 밀폐시키는 박막을 생성시켜 상기 Ge 기판의 내부에 기공층을 형성하되, 상기 홀의 지름에 대한 깊이의 비율 및 근접하고 있는 홀의 중점을 이은 도형의 면적에 대한 상기 도형 내에 생성된 홀의 면적의 비율인 공극률을 조절함으로써, 상기 기공층이 구형 형태 또는 평판 형태 중 어느 하나를 갖도록 결정하는 단계;상기 기공층이 형성된 부분의 Ge 기판을 절단하여 상기 박막을 상기 Ge 기판으로부터 분리시키는 단계; 및상기 분리된 박막 위에 화합물 반도체를 성장시키는 단계를 포함하고,상기 복수의 홀을 형성하는 단계는,상기 Ge 기판의 상부에 레진을 도포하는 단계;상기 레진에 복수의 이격된 함몰부를 생성하는 단계;상기 복수의 이격된 함몰부를 식각하여 상기 Ge 기판에 상기 복수의 홀을 형성하는 단계;상기 레진을 제거하는 단계; 및상기 레진을 제거한 후 상기 Ge 기판에 HBr를 가하여 상기 Ge 기판을 클리닝하는 단계를 포함하는기공층이 형성된 Ge 기판을 이용한 화합물 반도체 제조 방법
11 11
삭제
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제1항 및 제3항, 제6항 내지 제10항 중 어느 한 항의 방법에 의해 생성된 화합물 반도체
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한국과학기술원 이공분야기초연구사업 고효율 유연 태양전지 제조를 위한 Ge 층 분리 및 전이 기술(3차년)