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온도센서 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2019030912
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 알코올계 용매에 베이스 금속 산화물 및 도핑금속 산화물을 첨가한 후, 상온에서 물리적 혼합화(mechanical mixing)하여 전구체 용액을 제조하는 단계, 상기 전구체 용액을 기판 상에 코팅한 후, 제1 열처리(first thermal treatment)하여 베이스 박막(base thin film)을 제조하는 단계, 및 제2 열처리(second thermal treatment)를 통해, 상기 베이스 박막에 포함된 상기 베이스 금속 산화물 및 상기 도핑금속 산화물을 환원시켜, 음의 온도계수(Negative Temperature Coefficient, NTC)를 갖고 상기 도핑금속 산화물의 도핑금속이 도핑된 타겟금속 산화물을 포함하는 가변저항 박막(variable resistance thin film)을 제조하는 단계를 포함하는 온도센서의 제조 방법이 제공될 수 있다.
Int. CL G01K 7/18 (2006.01.01) H01B 1/02 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01)
CPC G01K 7/18(2013.01) G01K 7/18(2013.01) G01K 7/18(2013.01)
출원번호/일자 1020160060225 (2016.05.17)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1794446-0000 (2017.10.31)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20171106) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 발송처리완료
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.05.17)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박준성 대한민국 서울특별시 관악구
2 엄석기 대한민국 서울특별시 광진구
3 무투쿠마란 카티케이안 인도 서울특별시 성동구
4 김아름 대한민국 서울특별시 종로구
5 신승호 대한민국 서울특별시 성동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박상열 대한민국 서울 금천구 가산디지털*로 *** **층 ****호(나눔국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.05.17 수리 (Accepted) 1-1-2016-0471028-47
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2016.12.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2017.02.10 수리 (Accepted) 9-1-2017-0003876-26
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.03.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0202031-24
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2017.05.22 수리 (Accepted) 1-1-2017-0481849-28
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.06.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0590840-42
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.06.20 수리 (Accepted) 1-1-2017-0590839-06
8 등록결정서
Decision to grant		 2017.10.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0754360-87
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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알코올계 용매에 베이스 금속 산화물 및 도핑금속 산화물을 첨가한 후, 상온에서 물리적 혼합화(mechanical mixing)하여 전구체 용액을 제조하는 단계;상기 전구체 용액을 기판 상에 코팅한 후, 제1 열처리(first thermal treatment)하여 베이스 박막(base thin film)을 제조하는 단계; 및제2 열처리(second thermal treatment)를 통해, 상기 베이스 박막에 포함된 상기 베이스 금속 산화물 및 상기 도핑금속 산화물을 환원시켜, 음의 온도계수(Negative Temperature Coefficient, NTC)를 갖고 상기 도핑금속 산화물의 도핑금속이 도핑된 타겟금속 산화물을 포함하는 가변저항 박막(variable resistance thin film)을 제조하는 단계를 포함하되,상기 전구체 용액을 상기 기판 상에 코팅한 후, 상기 제1 열처리하는 단계를 반복 수행함으로써, 상기 기판 상의 상기 베이스 박막의 두께가 조절되는 온도센서의 제조 방법
2 2
제1 항에 있어서,상기 제2 열처리를 통한 상기 베이스 금속 산화물 및 상기 도핑금속 산화물의 환원 과정에서,상기 도핑금속 산화물은 환원되어 상기 도핑금속이 형성되고, 상기 베이스 금속 산화물에 포함된 금속과 산소의 조성비가 변화되어, 상기 타겟금속 산화물이 형성되는 것을 포함하는 온도센서의 제조 방법
3 3
제2 항에 있어서,상기 제2 열처리를 통해, 상기 베이스 박막에 포함된 상기 베이스 금속 산화물이 환원되어 상기 타겟금속 산화물이 형성되는 동시에 상변화(phase change)되고, 상기 도핑금속이 상기 타겟금속 산화물에 도핑(doping)되는 것을 포함하는 온도센서의 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 제1 열처리의 온도는 상기 제2 열처리의 온도보다 낮고,상기 제2 열처리의 온도는 350 내지 500℃인 것을 포함하는 온도센서의 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 제1 열처리를 통해, 상기 기판 상의 상기 전구체 용액에 포함된 상기 알코올계 용매가 기화되는 것을 포함하는 온도센서의 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 베이스 금속 산화물은, 3족 내지 12족의 전이 금속을 포함하는 온도센서의 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 기판은, 스테인레스강(stainless steel)을 포함하는 온도센서의 제조 방법
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