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제1 기판 상에 형성된 반도체 소자;상기 반도체 소자가 형성된 기판 상에 형성된 실리콘 산화물층;상기 실리콘 산화물층 상에 형성되고, 상기 실리콘 산화물층보다 밀도가 높은 산화물 캡핑층;상기 산화물 캡핑층 상에 형성된 열 산화 실리콘층; 및상기 열 산화 실리콘층 상에 형성된 제2 기판을 포함하는 모놀리틱 3차원 반도체 구조물
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제1항에 있어서,상기 제1 기판 및 상기 제2 기판은 각각, Si, Ge, GaAs, GaP, AlGaAs, InGaP, AlInGaP, GaN, AlN, AlGaN, CdTe 및 CdS로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 모놀리틱 3차원 반도체 구조물
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제1항에 있어서,상기 산화물 캡핑층은 SiO2, TiO2, ZnO, ZrO2, CuO 및 Al2O3로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 모놀리틱 3차원 반도체 구조물
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제3항에 있어서,상기 산화물 캡핑층은 2
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제1항에 있어서,상기 열 산화 실리콘층은 상기 제2 기판 상에 형성되어 상기 산화물 캡핑층에 접합된 것을 특징으로 하는 모놀리틱 3차원 반도체 구조물
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제1항에 있어서,상기 산화물 캡핑층의 표면에는 플라즈마 처리에 의해 수산화기가 형성된 것을 특징으로 하는 모놀리틱 3차원 반도체 구조물
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반도체 소자가 형성된 제1 기판 상에 실리콘 산화물층을 형성하는 단계;상기 실리콘 산화물층의 표면을 화학기계적으로 연마하는 단계;상기 실리콘 산화물층보다 밀도가 높은 산화물 캡핑층을 상기 실리콘 산화물층 상에 형성하는 단계;상기 산화물 캡핑층을 플라즈마 처리하는 단계;표면에 열 산화 실리콘층이 형성되고 내부에 이온 주입에 의해 스마트컷 라인이 형성된 제2 기판의 상기 열 산화 실리콘층이 상기 산화물 캡핑층에 접하도록, 상기 제2 기판을 상기 산화물 캡핑층 상에 적층시키는 단계; 및상기 스마트컷 라인을 따라 상기 제2 기판의 상부를 제거하는 단계를 포함하는 모놀리틱 3차원 반도체 구조물의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 산화물 캡핑층을 상기 실리콘 산화물층 상에 형성하는 단계에서,상기 산화물 캡핑층은 고밀도 플라즈마 화학기상증착법에 의해 200℃ 내지 400℃의 온도에서 300 nm/min 내지 500 nm/min의 증착 속도로 형성되고,상기 고밀도 플라즈마 화학기상증착법의 플라즈마 전자 밀도는 1010 cm-3 내지 1012 cm-3인 것을 특징으로 하는 모놀리틱 3차원 반도체 구조물의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 제2 기판의 상부를 제거하는 단계 이후에,상기 상부가 제거된 제2 기판의 표면을 화학기계적으로 연마하는 단계를 더 포함하는 모놀리틱 3차원 반도체 구조물의 제조방법
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10
제7항에 있어서,상기 제1 기판 및 제2 기판은 각각, Si, Ge, GaAs, GaP, AlGaAs, InGaP, AlInGaP, GaN, AlN, AlGaN, CdTe, ZnTe, CdZnTe 및 CdS로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 모놀리틱 3차원 반도체 구조물의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 산화물 캡핑층은 SiO2, TiO2, ZnO, ZrO2 및 Al2O3로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 모놀리틱 3차원 반도체 구조물의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 산화물 캡핑층은 2
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제7항에 있어서,상기 산화물 캡핑층을 플라즈마 처리하는 단계에서,상기 플라즈마 처리에 의해 상기 산화물 캡핑층의 표면에 수산화기를 형성하는 것을 특징으로 하는 모놀리틱 3차원 반도체 구조물의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 상기 제2 기판을 상기 산화물 캡핑층 상에 적층시키는 단계 이후,1 kPa 내지 10 kPa의 압력으로 200℃ 내지 550℃의 온도로 열처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 모놀리틱 3차원 반도체 구조물의 제조방법
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