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구조체가 로딩된 챔버에 전구체를 공급하여, 상기 구조체 상에서 상기 전구체를 노출시키는 단계; 상기 챔버에서 상기 전구체를 퍼지시키는 단계;상기 구조체에 바이어스를 인가한 상태에서 상기 챔버에 반응 플라즈마를 공급하는 단계 및 상기 챔버에서 반응 플라즈마를 퍼지시키는 단계로 구성되는 증착 사이클을 포함하고,상기 반응 플라즈마를 공급하는 단계는, 상기 구조체에 인가된 바이어스를 통해 상기 반응 플라즈마로부터 생성되는 전자 및 이온 중 적어도 하나의 거동을 상기 구조체의 방향으로 제어하는 것을 특징으로 하는 박막 증착 방법
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제1항에 있어서, 상기 반응 플라즈마를 공급하는 단계는,리모트-플라즈마(Remote-plasma) 장치를 이용하여 상기 반응 플라즈마를 생성하는 것을 특징으로 하는 박막 증착 방법
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제1항에 있어서, 상기 반응 플라즈마를 공급하는 단계는, 상기 전자 및 이온 중 적어도 하나를 가속시켜 상기 구조체에 충돌시킴으로써, 상기 전구체와 결합되어 있는 리간드를 제거하는박막 증착 방법
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제1항에 있어서, 상기 전구체를 노출시키는 단계는, 상기 구조체에 바이어스를 인가한 상태에서 상기 챔버에 전구체를 공급하여, 상기 구조체와 상기 전구체간의 화학적 흡착을 촉진하는 박막 증착 방법
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제1항에 있어서, 상기 구조체는, 규소(Si, silicon), 산화규소(SiO2, silicon oxide), 산화알루미늄(Al2O3, aluminium oxide), 산화마그네슘(MgO, magnesium oxide), 탄화규소(SiC, silicon carbide), 질화규소(SiN, silicon nitride), 유리(glass), 석영(quartz), 사파이어(sapphire), 그래파이트(graphite), 그래핀(g raphene), 폴리이미드(PI, polyimide), 폴리에스테르(PE, polyester), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN, poly(2,6-ethylenenaphthalate)), 폴리메틸 메타크릴레이트(PMMA, polymethyl methacrylate), 폴리우레탄(PU, polyurethane), 플루오르폴리머(FEP, fluoropolymers) 및 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethyleneterephthalate, PET) 중 적어도 하나를 포함하는 기판인 것을 특징으로 하는박막 증착 방법
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제1항에 있어서, 상기 구조체는, 복수의 돌기를 포함하는 3차원 구조체인 것을 특징으로 하는박막 증착 방법
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제1항에 있어서, 상기 바이어스는, 직류(direct current; DC) 형태, 교류(alternating current; AC) 형태, 펄스(pulse) 형태 및 고주파(high frequency) 형태 중 적어도 하나의 형태에 기초한 바이어스인 것을 특징으로 하는 박막 증착 방법
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제1항에 있어서, 상기 증착 사이클은, 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition; ALD)을 통해 수행되는 것을 특징으로 하는박막 증착 방법
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기설정된 제1 내지 제4 단위 시간 동안 구조체에 바이어스를 인가한 상태에서 상기 구조체가 로딩된 챔버에 반응 플라즈마를 공급하는 단계 및 상기 제1 단위 시간 및 상기 제3 단위 시간에서 상기 챔버에 전구체를 공급하는 단계로 구성되는 증착 사이클을 포함하고, 상기 반응 플라즈마를 공급하는 단계는,상기 구조체에 인가된 바이어스를 통해 상기 반응 플라즈마로부터 생성되는 전자 및 이온 중 적어도 하나의 거동을 상기 구조체의 방향으로 제어하는 것을 특징으로 하는 박막 증착 방법
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제9항에 있어서, 상기 반응 플라즈마를 공급하는 단계는,리모트-플라즈마(Remote-plasma) 장치를 이용하여 상기 반응 플라즈마를 생성하는 것을 특징으로 하는 박막 증착 방법
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제9항에 있어서, 상기 제2 단위 시간 및 상기 제4 단위 시간은,상기 챔버에서 상기 반응 플라즈마 및 전구체를 퍼지한 후에, 상기 반응 플라즈마를 공급하는박막 증착 방법
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제9항에 있어서, 상기 구조체는, 복수의 돌기를 포함하는 3차원 구조체인 것을 특징으로 하는박막 증착 방법
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제9항에 있어서, 상기 바이어스는, 직류(direct current; DC) 형태, 교류(alternating current; AC) 형태, 펄스(pulse) 형태 및 고주파(high frequency) 형태 중 적어도 하나의 형태에 기초한 바이어스인 것을 특징으로 하는 박막 증착 방법
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제9항에 있어서, 상기 증착 사이클은, 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition; ALD)을 통해 수행되는 것을 특징으로 하는박막 증착 방법
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