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전자 소자의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2020009232
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 상면에 이형층이 구비된 캐리어 기판을 제공하는 단계; 실리콘 웨이퍼 상에 소자층이 형성된 예비적 전자 소자를 제공하는 단계; 상기 소자층과 상기 이형층이 접촉하도록 상기 예비적 전자 소자를 플립하여 상기 이형층 상에 상기 예비적 전자 소자를 점착하는 단계; 상기 이형층과 상기 예비적 전자 소자가 점착된 상태에서, 상기 실리콘 웨이퍼를 후면에서부터 일부 제거하여 박형화된 실리콘 웨이퍼를 형성함으로써, 상기 박형화된 실리콘 웨이퍼와 상기 소자층을 구비하는 전자 소자를 형성하는 단계; 및 상기 이형층으로부터 상기 전자 소자를 분리시키는 단계;를 포함하는, 전자 소자의 제조 방법을 제공한다.
Int. CL H01L 21/56 (2006.01.01) H01L 21/52 (2006.01.01) H01L 21/768 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 21/78 (2006.01.01) H01L 23/00 (2006.01.01)
CPC H01L 21/563(2013.01) H01L 21/563(2013.01) H01L 21/563(2013.01) H01L 21/563(2013.01) H01L 21/563(2013.01) H01L 21/563(2013.01)
출원번호/일자 1020180171594 (2018.12.28)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2020-0081755 (2020.07.08) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.12.28)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강일석 대전광역시 서구
2 이종권 대전광역시 유성구
3 김태현 대전광역시 유성구
4 박종철 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김남식 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)
2 김한 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)
3 이인행 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2018.12.28 수리 (Accepted) 1-1-2018-1314326-58
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2020.02.17 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 심사처리보류(연기)보고서
Report of Deferment (Postponement) of Processing of Examination
2020.03.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2020-0037172-98
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2020.04.10 수리 (Accepted) 9-1-2020-0015307-99
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2020.04.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0292493-29
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
9 [지정기간연장]기간 연장신청서·기간 단축신청서·기간 경과 구제신청서·절차 계속신청서
2020.06.25 수리 (Accepted) 1-1-2020-0654706-15
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
2020.07.27 수리 (Accepted) 1-1-2020-0783100-49
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2020.07.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-0783101-95
12 등록결정서
Decision to grant
2020.11.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0831382-14
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
상면에 이형층이 구비된 캐리어 기판을 제공하는 단계;실리콘 웨이퍼 상에 소자층이 형성된 예비적 전자 소자를 제공하는 단계;상기 소자층과 상기 이형층이 접촉하도록 상기 예비적 전자 소자를 플립하여 상기 이형층 상에 상기 예비적 전자 소자를 점착하는 단계;상기 이형층과 상기 예비적 전자 소자가 점착된 상태에서, 상기 실리콘 웨이퍼를 후면에서부터 일부 제거하여 박형화된 실리콘 웨이퍼를 형성함으로써, 상기 박형화된 실리콘 웨이퍼와 상기 소자층을 구비하는 전자 소자를 형성하는 단계; 및상기 이형층으로부터 상기 전자 소자를 분리시키는 단계;를 포함하고,상기 전자 소자를 형성하는 단계는 상기 박형화된 실리콘 웨이퍼 상에 저온 실리콘 공정층을 형성하는 단계 및 상기 저온 실리콘 공정층 상에 접착층을 형성하고 상기 접착층 상에 유연기판을 배치하는 단계를 포함하는,전자 소자의 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 예비적 전자 소자를 제공하는 단계는 상기 실리콘 웨이퍼 내에 트렌치패턴을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 전자 소자를 형성하는 단계는 상기 실리콘 웨이퍼를 후면에서부터 일부 제거하여 상기 트렌치 패턴이 노출되도록 박형화된 실리콘 웨이퍼를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는,전자 소자의 제조 방법
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 이형층으로부터 상기 전자 소자를 분리시키는 단계;는,외부 열원으로부터 상기 이형층에 열에너지를 투입하여 상기 이형층의 점착력을 저하시키는 단계를 포함하는,전자 소자의 제조 방법
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 이형층으로부터 상기 전자 소자를 분리시키는 단계;는,상기 이형층에 자외선을 투입하여 상기 이형층의 점착력을 저하시키는 단계를 포함하는, 전자 소자의 제조 방법
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 이형층으로부터 상기 전자 소자를 분리시키는 단계;는,상기 이형층에 광에너지를 투입하여 상기 이형층의 점착력을 저하시키는 단계를 포함하는, 전자 소자의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 나노종합기술원 나노·소재기술개발 고성능 소프트 IoT 패치용 CMOS 기반 칩의 박형화 및 전사 집적 기술 개발
2 과학기술정보통신부 나노종합기술원 한국과학기술원부설나노종합기술원지원 나노 Open Innovation Lab 협력사업