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트랜지스터의 열처리 방법에 있어서,상기 트랜지스터의 게이트 전극과 드레인 전극 사이에 복구 전압을 인가하는 단계;상기 복구 전압을 이용하여 소스 전극과 상기 드레인 전극 사이에 형성된 채널 영역에 게이트-유발 드레인 누설 전류(GIDL; gate-induced drain leakage)를 생성하는 단계; 및상기 게이트-유발 드레인 누설 전류를 이용하여 상기 채널 영역 상부에 형성된 게이트 절연막의 손상을 치유하는 단계를 포함하는 트랜지스터의 열처리 방법
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제1항에 있어서,상기 게이트 절연막의 손상을 치유하는 단계는상기 게이트-유발 드레인 누설 전류에 의해 발생되는 줄 열이 상기 게이트 절연막으로 전도됨으로써, 상기 줄 열을 이용하여 상기 게이트 절연막의 손상을 치유하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터의 열처리 방법
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제1항에 있어서,상기 복구 전압을 인가하는 단계는상기 게이트 전극의 영역과 상기 드레인 전극의 영역이 오버랩(overlap)되는 오버랩 길이와 상기 게이트 절연막의 두께 중 적어도 하나에 의해 상기 복구 전압이 결정되며, 상기 게이트 전극과 상기 드레인 전극 사이에 상기 결정된 복구 전압을 인가하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터의 열처리 방법
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제1항에 있어서,상기 트랜지스터는평면형 트랜지스터, 3차원 입체형 트랜지스터, 적층형 트랜지스터, 상기 채널 영역의 일부가 식각된 리세스(recessed) 채널형 트랜지스터, 상기 채널 영역과 상기 소스 전극 사이 그리고 상기 채널 영역과 상기 드레인 전극 사이에 PN 접합 구조가 포함되지 않는 무접합 트랜지스터(junctionless transistor), 상기 소스 전극, 상기 채널 영역 및 상기 드레인 전극이 P-I-N 접합 구조 또는 N-I-P 접합 구조를 가지는 터널링 트랜지스터(tunneling transistor), 버리드(buried)형 게이트 트랜지스터, 트렌치(trench) 게이트 트랜지스터, 그루브(groove) 트랜지스터, 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극 중 적어도 하나에서 쇼트키 접합(Schottky junction)을 지니는 쇼트키 트랜지스터 및 링게이트(Ring-gate) 트랜지스터 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터의 열처리 방법
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제4항에 있어서,상기 3차원 입체형 트랜지스터는핀(Fin) 트랜지스터, 게이트 올 어라운드(Gate-All-Around) 트랜지스터, 더블 게이트(Double-gate) 트랜지스터, 트라이 게이트(Tri-gate) 트랜지스터 및 오메가 게이트(Omega-gate) 트랜지스터 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터의 열처리 방법
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제4항에 있어서,상기 3차원 입체형 트랜지스터는실리콘 웨이퍼 또는 열 전도율이 낮은 절연층 매몰 실리콘 웨이퍼, 절연층 매몰 스트레인드 실리콘 웨이퍼, 절연층 매몰 게르마늄 웨이퍼, 절연층 매몰 스트레인드 게르마늄 웨이퍼 및 절연층 매몰 실리콘 게르마늄 웨이퍼 중 적어도 하나를 기판으로 사용하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터의 열처리 방법
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제1항에 있어서,상기 게이트 절연막의 손상을 치유하는 단계는고온 캐리어 주입(Hot-carrier injection), 방사선 환경 노출, BTI(Bias Temperature Instability), 플라즈마 반도체 공정, Fowler-Nordheim 터널링(tunneling)과 디램 및 플래시 메모리의 반복적인 동작 중 적어도 하나에 의해 발생하는 상기 게이트 절연막의 손상을 치유하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터의 열처리 방법
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제1항에 있어서,상기 게이트 절연막은산화 실리콘(silicon dioxide) 막, 산화 알루미늄(aluminum oxide) 막, 산화 하프늄(hafnium oxide) 막, 산질화 하프늄(hafnium oxynitride) 막, 산화 아연(zinc oxide) 막, 란타늄 산화(lanthanum oxide) 막, 하프늄 실리콘 산화(hafnium silicon oxide) 막 및 강유전체(ferroelectric) 특성을 지니는 재료나 하프늄 지르코늄 산화(hafnium zirconium oxide) 막 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터의 열처리 방법
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트랜지스터의 열처리 방법에 있어서,상기 트랜지스터의 채널 영역에 게이트-유발 드레인 누설 전류를 인가하는 단계; 및상기 게이트-유발 드레인 누설 전류를 이용하여 상기 채널 영역 상부에 형성된 게이트 절연막의 손상을 치유하는 단계를 포함하는 트랜지스터의 열처리 방법
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제9항에 있어서,상기 게이트 절연막의 손상을 치유하는 단계는상기 게이트-유발 드레인 누설 전류에 의해 발생되는 줄 열이 상기 게이트 절연막으로 전도됨으로써, 상기 줄 열을 이용하여 상기 게이트 절연막의 손상을 치유하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터의 열처리 방법
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제9항에 있어서,상기 누설 전류를 인가하는 단계는상기 트랜지스터의 게이트 전극의 영역과 드레인 전극의 영역이 오버랩(overlap)되는 오버랩 길이와 상기 게이트 절연막의 두께 중 적어도 하나에 의해 복구 전압을 결정하고, 상기 결정된 복구 전압을 상기 게이트 전극과 상기 드레인 전극 사이에 인가함으로써, 상기 트랜지스터의 채널 영역에 상기 게이트-유발 드레인 누설 전류를 인가하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터의 열처리 방법
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