맞춤기술찾기

이전대상기술

패턴 형성 방법

  • 기술번호 : KST2022012887
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 패턴 형성 방법에 관한 것으로서, 기판 상에 나노스크래치를 형성하는 단계; 및 상기 나노스크래치가 형성된 기판 상에 블록 공중합체를 도포하여 자기조립을 유도하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다. 나노스크래치가 형성된 기판 상에 블록 공중합체의 자기조립을 유도하여 다양한 기판 상에 대면적으로 나노 패턴을 형성할 수 있다. 또한, 나노스크래치로 패턴을 형성하기 때문에 다양한 방향으로 조절하여 패턴을 형성할 수 있다.
Int. CL H01L 21/3105 (2006.01.01) H01L 21/304 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01)
CPC H01L 21/3105(2013.01) H01L 21/304(2013.01) H01L 21/02118(2013.01) H01L 21/02299(2013.01) H01L 21/02282(2013.01)
출원번호/일자 1020210004337 (2021.01.13)
출원인 울산과학기술원, 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0102234 (2022.07.20) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2021.01.13)
심사청구항수 8

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 울산과학기술원 대한민국 울산광역시 울주군
2 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김소연 울산광역시 울주군
2 윤동기 대전광역시 유성구
3 김동협 울산광역시 울주군

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이형석 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로*길 **, 광성빌딩 **층 (역삼동)(케이엘피특허법률사무소)
2 김종선 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로*길 **, 광성빌딩 **층 (역삼동)(케이엘피특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2021.01.13 수리 (Accepted) 1-1-2021-0042060-10
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 나노스크래치를 형성하는 단계; 및 상기 나노스크래치가 형성된 기판 상에 블록 공중합체를 도포하여 자기조립을 유도하는 단계;를 포함하는, 패턴 형성 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 다이아몬드 연마 필름을 이용하여 상기 기판 상에 나노스크래치를 형성하는 것인, 패턴 형성 방법
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 다이아몬드 연마 필름의 상기 다이아몬드의 직경은 1 nm 내지 5 μm인 것인, 패턴 형성 방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 자기조립을 유도하는 단계는, 상기 기판 상에 상기 블록 공중합체를 도포한 후 50℃ 내지 300℃의 온도에서 어닐링하는 것인, 패턴 형성 방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 기판은 세라믹, 금속, 금속산화물, 고분자 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 물질을 포함하는 것인, 패턴 형성 방법
6 6
제 2 항에 있어서, 다이아몬드 연마 필름에 0
7 7
제 2 항에 있어서, 다이아몬드 연마 필름이 0
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 나노스크래치 상에 도트 또는 라인 패턴이 형성되는 것인, 패턴 형성 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 서울대학교 산학협력단 기초연구사업/선도연구센터지원사업 코팅기반 화학공정 연구센터